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研发客服SK hynix 表示对其高带宽内存（HBM）制造技术充满信心。该公司强调，其专有的HBM比竞争对手的产品要强大得多，这将使其在下一代半导体封装领域保持领先地位。
据6月9日的行业消息来源报道，SK hynix在5月28日于美国丹佛举行的 “ECTC 2024 ”研讨会上介绍了这一信息。
SK hynix声称，该公司采用独特的大规模回流-模塑底部填充（MR-MUF）技术制造的HBM比采用热压-非导电薄膜（TC-NCF）制造的产品坚固60%。
SK hynix用锋利的工具刺穿安装了 HBM 的 DRAM 顶部以产生划痕的方法进行了测试，结果发现其芯片的划痕少于使用 TC-NCF 生产的芯片。这一结果表明，在涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中，HBM 可以承受外部物理冲击而不影响良品率。
业界认为，SK hynix 的这篇论文是在强调其 HBM 制造技术优于三星电子和美光科技等竞争对手。SK hynix是英伟达（NVIDIA）等主要人工智能半导体公司的HBM领先供应商，并与台积电合作走在先进半导体封装的前沿，预计这些成果将吸引其主要客户。
SK hynix 还在 ECTC 上展示了其下一代封装技术 “垂直扇出（VFO）”的开发状况。这种技术是在没有半导体基板的计算单元顶部垂直堆叠四个 LPDDR 存储器，称为扇出晶圆级封装（FOWLP）。
文章来源于:电子工程世界 原文链接
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