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研发客服据 TheElec，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。
经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术制造，主要用于服务器。
MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的 TSV 工艺后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。
在此之前，三星已经在其现有的注册双列直插式内存模块（RDIMM）中使用了热压非导电膜（TC NCF）技术，而 MUF 是 SK 海力士用于制造高带宽内存（HBM）的技术（具体来说是 Mass Re-flow Molded Underfill，简称 MR-MUF）。
MUF 是一种环氧树脂模塑化合物，自从着 SK 海力士成功将其应用于 HBM 生产后便在芯片行业愈发受关注，业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。
资料显示，SK 海力士所使用的化合物是与 Namics 合作开发的，而消息人士称三星则计划与三星 SDI 合作开发自己的 MUF 化合物，目前已经订购了 MUF 应用所需的模压设备。
三星是世界最大的存储半导体龙头企业，如果三星也引入 MUF，那么 MUF 可能会成为主流技术，半导体材料市场也会发生巨大的变化，不过三星电子相关人士对此回应称“无法确认内部技术战略”。
文章来源于:ECCN 原文链接
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