据 TheElec，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。

经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术制造，主要用于服务器。

MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的 TSV 工艺后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。

在此之前，三星已经在其现有的注册双列直插式内存模块（RDIMM）中使用了热压非导电膜（TC NCF）技术，而 MUF 是 SK 海力士用于制造高带宽内存（HBM）的技术（具体来说是 Mass Re-flow Molded Underfill，简称 MR-MUF）。

MUF 是一种环氧树脂模塑化合物，自从着 SK 海力士成功将其应用于 HBM 生产后便在芯片行业愈发受关注，业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。

资料显示，SK 海力士所使用的化合物是与 Namics 合作开发的，而消息人士称三星则计划与三星 SDI 合作开发自己的 MUF 化合物，目前已经订购了 MUF 应用所需的模压设备。

三星是世界最大的存储半导体龙头企业，如果三星也引入 MUF，那么 MUF 可能会成为主流技术，半导体材料市场也会发生巨大的变化，不过三星电子相关人士对此回应称“无法确认内部技术战略”。