【导读】三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺,与TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。
据韩媒报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。
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