资讯
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
下游的问题不能在上游就暴露并解决，对加快产业链闭环速度造成负面影响。
Part 1：动态特性
提到动态特性，大家的第一反应一定是开关特性，这确实是功率器件的传统核心动态特性。由于其是受到器件......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
时间、开关能量、开关速度、开通电流尖峰、关断电压尖峰。根据陪测管类型和被测器件的位置，可以得到四种测试电路，根据需求和实际应用情况选择即可。
开关特性受到多方面因素的影响，包括器件参数、外围......
ADG201S数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:07)
ADG201S数据手册和产品信息;ADG201A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。 同时还具有高开关速度和低导通电阻特性......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
引用地址：
元器件的特点
除了IGBT外，元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关......
WBG 半导体彻底改变汽车设计(2024-08-19)
结温最高可达 150°C 左右。因此，在电动汽车充电器中使用 WBG 器件可以实现更高的开关速度和更好的能源效率，从而实现更紧凑、更易于冷却的模块。
OBC 在工厂安装。在纯......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
,total的关断波形。在两个用例中，RG相同，因此器件的开关特性相似。由此可见，VCE的显著差异与ΔLσ,module直接相关。然而，如果Lσ,total较低，则最大VCE为500V；如果Lσ,total......
电驱动系统的传导噪声干扰源抑制(2024-03-07)
波形来实现各种应用目的，例如抑制桥之间的串扰、降低开关波形的过冲幅度和抑制高频EMI。
主动栅极驱动有两种方法
开环控制技术；
闭环控制技术；
有源驱动案例
有源栅极驱动的开环控制是针对开关器件的......
GaN FET：音响发烧友的首选技术(2022-11-30)
的更高的效率和功率密度印象深刻，这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而，高端现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。
最近，包括Technics(松下......
巧用这三个GaN 器件 轻松搞定紧凑型电源设计(2023-10-27)
在设计上可能具有挑战性。例如，由于 GaN 器件的开关速度极快，驱动电路布局对来自印刷电路板和分立 GaN 封装的杂散电感和电容可能非常敏感。驱动 GaN 器件时可能出现的快速电压波动 (dv/dt) 和高......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
IGBT驱动电路介绍;，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
MOSEFT材料的优势
10倍于si器件电介质击穿场强：更小的晶圆厚度和Rsp，更小的热阻
3倍以上的热导率：更小的热阻和更快的电子传输速度
2倍多的电子饱和速度：更快的开关速度......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
众多电动压缩机开发客户的选择。
表1：SiC 与Si 器件的物理特性对比
SiC MOSEFT材料的优势
10倍于si器件电介质击穿场强：更小的晶圆厚度和Rsp，更小的热阻
3倍以上的热导率：更小的热阻和更快的电子传输速度......
优化汽车应用的驾驶循环仿真(2023-01-06)
全面的系统级评估。它有助于器件的选择，尽管具备多种实用功能，但可能过分简化了某些方面，例如器件的开关状态。对于逆变器应用，PLECS 可以使用数据表中的参数进行建模来确定导通和开关损耗，同时......
优化汽车应用的驾驶循环仿真(2023-01-09)
能帮助建模物理域，例如热、磁和机械，提供全面的系统级评估。它有助于器件的选择，尽管具备多种实用功能，但可能过分简化了某些方面，例如器件的开关状态。对于逆变器应用，PLECS 可以使用数据表中的参数进行建模来确定导通和开关......
TS3DV642 HDMI 二切一替代方案(2023-09-27)
具有断电模式，该模式下所有通道均具有高阻抗（Hi-Z）并且功耗极低。
ASW3642特点
◼ 8路单刀双掷高速开关
◼ 4路单刀双掷低速开关
◼ 高速开关特性：
带宽：8.0GHz (典型值)
串扰......
ASW3642替代TS3DV642方案|ASW3642 HDMI 2.0二进一出切换器设计方案(2023-10-08)
◼ 8路单刀双掷高速开关
◼ 4路单刀双掷低速开关
◼ 高速开关特性：
带宽：8.0GHz (典型值)
串扰：-40dB (1.7GHz时）
隔离度：-23dB (1.7GHz时)
插入......
基于GD32F303的高频DC/DC变换器解决方案(2024-06-17)
率和高功率密度成为OBC的两个关键要求。宽带隙(WBG)功率器件的技术发展和应用，例如碳化硅(SiC)器件和氮化镓(GaN)器件，因其更高的开关速度、更低的开关损耗以及更低的导通电阻温度依赖性，在很......
基于PMSM模型的电动汽车动力系统仿真方案简介(2024-01-02)
）；适用于设计开关速度和死区时间最优的门驱动电路；这一层的模型产生供上层模块调用的器件损耗表。
......
ADG5208数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:30)
通道均关断。这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使这些器件适合视频信号切换应用。
当接通时，各开关......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
SiC MOSFET栅-源电压测量方法(2023-03-20)
到的波形会与真正的原始波形完全不同。
・在观测波形时，需要时刻注意观察到的波形是否是真正的原始波形。
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech......
测量栅极和源极之间电压时需要注意的事项(2023-03-30)
到的波形会与真正的原始波形完全不同。
・在观测波形时，需要时刻注意观察到的波形是否是真正的原始波形。
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
也可。
5
MOS管的开关特性......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
）
• 环绕着芯片的开关单元，目前大多数采用JTE结构。
• 有效控制了漏电流，提高了SiC器件的可靠性和稳定性；
• 减小了电场集中效应，提高了SiC器件的......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
各个部分的作用特点总结一下，这样方便大家对芯片有一个更好的认识。
耐压环（Edge termination Ring）
• 环绕着芯片的开关单元，目前大多数采用JTE结构。
• 有效控制了漏电流，提高了SiC器件的......
5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！(2023-02-20)
证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的......
GaN正在加速电机驱动中的应用(2024-07-09)
传统硅具有显著的优势，包括更高的电子迁移率、更高的击穿电压和更低的导通电阻。这些特性使得GaN器件能够在更高频率下工作，同时降低功率损耗。
高效率：GaN器件的导通损耗和开关损耗显著低于传统硅器件。例如，TI的......
用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器(2022-12-05)
电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速......
强势扩张第4代SiC，罗姆2023年量产8英寸碳化硅衬底(2023-02-27)
的导通阻抗情况下，芯片的尺寸会降低，带来的好处是寄生的电容都会被降低，开关特性会比较容易能够实现高速的开关特性。
等同ON阻抗情况下效率的对比，罗姆第4代会比第3代高出不到一个百分点，是很明显的提高。从损......
ADG1236数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:03)
，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。
这款器件具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
参数就显得尤为重要啦。
重要的动态参数包括：栅极电阻（内部+外部）、栅极电容、寄生电容、充电电荷、开关时间等，其中，开关时间是开关特性......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
电压均达到1200V,满足800V高压平台使用要求｡器件基本参数如表1所示｡
由于功率器件的工作特性和外部电路是强相关的,所以在使用器件时器件手册只具备参考价值,需要进行双脉冲测试获得器件准确的开关特性......
GaN技术：挑战和未来展望(2024-05-20)
频率高达硅的 1,000 倍，加上较低的导通和开关损耗，可提供高效、轻巧且占用空间小的解决方案。高开关频率（GaN 功率晶体管的开关速度可以达到 100 V/ns）允许工程师使用较低值（因此尺寸更小）的电......
测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项(2023-03-30)
测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项;SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET......
NXP为采埃孚下一代SiC MOSFET提供驱动(2024-06-25)
于其内部的 IGBT 或 MOSFET 之间的接口，前者输出脉冲宽度调制 (PWM) 信号来控制牵引逆变器或其他系统的运行。
尽管 SiC 具有更快的开关速度和其他独特的功率处理特性，但仍存在一些权衡。例如......
ASW3642/HDMI切换器四切一方案|HDMI 4：1切换器控制IC(2023-09-19)
DisplayPort 应用提供所需的高带宽。
ASW3642 具有断电模式，该模式下所有通道均具有高阻抗（Hi-Z）并且功耗极低
ASW3642特点
◼ 8路单刀双掷高速开关
◼ 4路单刀双掷低速开关
◼ 高速开关特性......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
所选材料所采用的电流、电压及工艺有关。
IGBT损耗
可分为导通损耗和开关损耗。其中，传导损耗与内部电阻和通过元件的电流有关，而开关损耗与元件的开关频率和元件承受的直流电压有关。
电感损耗
可分......
ADG5408数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:31)
通道均关断。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保开关音频信号时拥有良好的线性度和低失真性能。同时高开关速度使这些器件适合视频信号切换应用。
当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
正在迅速接近其理论极限。
因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件，如氮化镓 (GaN)。GaN 器件的开关速度比硅器件快，能处理更高的电压和功率水平，在既定功率水平下体积小得多，而且......
SiC驱动模块的应用与发展(2023-12-11)
.合适的高速开关驱动
SiC驱动器模块具有许多功能和特点，其中之一是合适的高速开关驱动。SiC材料具有瞬态电子迁移率高、饱和电子迁移率高等特点，使得其用于高速开关应用时能够实现更高的开关速度和更低的开关......
双脉冲测试平台的架构及搭建方案(2023-03-29)
板可以直接选用变换器实际的电路板，这样的测试结果可以直接用于电路设计。随着器件的开关速度越来越快，对测试板的性能也提出了更高的要求，如回路电感、驱动电路等。
2高压电源
高压......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
门极驱动正压对功率半导体性能的影响;引言本文引用地址：
对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的......
宽带隙之战才刚刚开始，SiC和GaN谁更有优势？(2023-07-09)
物半导体制成的晶体管具有更高的击穿电压和对高温的耐受性。这些器件在高压和高功率应用中比硅更有优势。
与硅相比，WBG晶体管的开关速度也更快，可在更高的频率下工作。更低......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）(2023-02-27)
引用地址：
安森美()的隔离针对SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等技术所需的最高开关速度和系统尺寸限制而设计，为 MOSFET 提供可靠控制。电力电子行业的许多设计人员对于在诸多类型的电力电子应用中使用Si......
纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD26(2023-02-15)
性能。例如驱动器会在单独的芯片上带有驱动器的分立晶体管，受到驱动器输出级和晶体管输入之间以及半桥开关节点之间的寄生电感的影响，同时 HEMT 具有非常高的开关速度，如果寄生电感未被抑制，将会......
碳化硅功率器件的基本原理及优势(2024-04-30)
碳化硅功率器件的基本原理及优势;随着新能源汽车的快速发展，碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和......
如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围(2023-10-07)
驱动直接接入内部源极连接可最大限度地提高 SiC MOSFET 的开关速度，将总开关损耗（导通和关断）降低达 35%。第四代 SiC MOSFET 的第二个差异化规格是额定电压。器件的额定电压为 750 V 或 1200......
罗姆持续发力碳化硅 第4代产品优势突出(2023-02-22 10:15)
的尺寸会降低，带来的好处是寄生的电容会被降低，可实现高速的开关特性。从而抑制MOSFET器件的自开通、误开通。明显减少了寄生电容Cgd，同样能够保证芯片更高速的开启和关断，降低开关损耗，实现高驱动频率，为外围器件......
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡(2023-09-15)
够在明显更高的频率和结温下工作，对电源应用而言非常理想。此外，SiC 器件的开关损耗相对更低，这有助于降低无源组件的尺寸、重量和成本。
图 2：SiC 为电源系统带来诸多优势
SiC 器件的导通损耗和开关损耗更低，因此......
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡(2023-09-19)
源应用而言非常理想。此外，SiC 器件的开关损耗相对更低，这有助于降低无源组件的尺寸、重量和成本。
图 2：SiC 为电源系统带来诸多优势
SiC 器件的导通损耗和开关损耗更低，因此降低了对散热的要求。再加......
相关企业
;无限光通讯（深圳）有限公司;;我公司的光无源器件产品种类丰富，有单多模耦合器、齿形盒耦合器、光准直器、波分复用器、粗波分复用器、密波分复用器、上下行波分复用器、隔离器、自由空间隔离器、环形器、机械光开关
等产品的厂家，拥有配备先进软硬件的产品研发中心、加工中心、检验中心、模具中心、销售中心等部门和冲压、仪表、装配、调试、包装、压塑、注塑等车间；并配备有智能型万能式断路器自动检测台、隔离开关特性
、SANYO等知名企业微动开关的一级供应商，目前保持此系列微动开关全球销量第一，公司拥有全套的自动化生产设备，开关特性检查设备&寿命试验设备&亲环境测试设备齐全。我们热忱欢迎各界人士来访与洽谈，联系人：李维
缸／磁性开关／真空发生器／压力开关/数显开关）等，并从事系统解决方案与非标件的开发与研制，气动元件备货、度身订造气缸及其他气动品牌代用等服务。。广泛应用于机械、光学设备，半导体，TFT/LCD高精
;杭州煌洋电子有限公司;;本公司专业生产（原复旦电源部）开关电源，主要用于计算机，电子，机械，医用器械，开关电源。本公司的开关电源广泛使用于东方明珠环绕球幕稳压电源、上海博物馆报警系统、城市
;泰隆电子有限公司;;泰隆电子有限公司专业制造电子开关、插座十余年。现有产品规格超过一千款。为应市场激烈的竞争须求，泰隆部份产品，已在开关行业中，首先采用全封闭式自动化生产；并以新颖的开关原理，和独特的开关特性
;东莞市友晖电子有限公司;;本公司专业生产各种规格连动开关 滑动开关 摇头开关特殊规格开关 适用于音响 喇叭 HDMA转换盒 扫把头开关 汽车功放 分音器 等等
;深圳市天思电子科技有限公司;;深圳市天思电子科技有限公司自2004年成立以来， 一直从事开关插座类电子元器件的开发与经营， 主要经营的开关类元器件有船形开关，轻触开关，拨动开关，DIP编码开关
;深圳市雅而泰科技发展有限公司;;深圳市雅而泰科技发展有限公司是一家专业从事电子元器件的公司,取得松下继电器，富士通继电器，欧姆龙继电器，韩国NAMAE（南涯）按键开关，瑞萨，ATMEL,，美国
;佳斯特电子公司;;我司是专业代理松下电子元器件的公司.有松下的开关,电容器,电阻,电感,半导体,连接器,继电器....还有NICHICON的电容器,ALPS开关电位器,NDK的晶体...