资讯
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
MOSFET结构不受重复雪崩HCI效应的影响。
受重复雪崩HCI效应影响的MOSFET直流参数包括BVdss（雪崩电压）、Idss（断态漏极-源极漏电流）、Vth（栅极-源极阈值电压）和Rds......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
生物晶体传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极和漏极......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，从而区分了源极和漏极。
实际的元件，p型的衬底是接正电源的，使得栅极预先成为相对负电压，因此p型的管子，栅极不用加负电压了，接地就能保证导通。
相当......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
的 dv/dts 带来了更大的挑战，这是由于半桥配置中第二个开关的栅极漏极电容引起的。可以通过降低 dv/dt 来避免这个问题，但代价是效率的下降。
限制负栅极电压的最佳方法是通过开尔文源极......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
电容。
CGB：栅极到本体电容。
CSB：源极到体电容。
CDB：漏极到体电容。
在设计包含MOSFET的模拟IC时，这些电容在电路带宽中起着重要作用。图1显示了它们的位置。
带有寄生电容的NMOS晶体......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
导通性能和开关动作下降。
本文介绍了 SB MOSFET
的特性和特性，以及为什么次线性是由源极侧而不是漏极侧引起的。为了支持要使用的各种实验和模拟，使用了具有硅化镍源极和漏极触点的双栅极硅纳米线晶体管。
该晶......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！(2023-12-28)
通过寄生串联电感和电阻或电阻抗和热阻抗影响芯片性能。封装引脚加上键合和金属掩模可增加高达10mΩ的串联电阻。
为了量化这些影响，可以访问三引脚MOSFET的内部节点，如栅极、漏极和源极（参见图5......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。
▉ N和P区分
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-22)
系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢复特性，并在高温下具有更低的漏极截止电流。此外，新产品的品质因数“漏极-源极导通电阻×栅极-漏极电荷”也更低。相较于东芝现有的TK62N60W5[4] [5]器件......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
电压，|Vth|）时，漏极-源极电阻减小，使得MOSFET导通。这种漏极-源极电阻称为导通电阻。n沟道和p沟道MOSFET的栅极和源极之间施加的电压方向不同。图3显示了MOSFET导通的条件。
图3......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29 15:23)
＝10V
3.1
VGS＝6V
6.0
总栅极电荷（栅极-源极+栅极-漏极）Qg典型值（nC）
83
栅极开关电荷Qsw典型值（nC......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护(2023-11-07)
型号
SSM10N961L
极性
N沟道2
内部连接
共漏极
绝对最大额定值
源极-源极电压VSSS（V）
30
栅极-源极电压VGSS（V）
±20
源极电流（DC）IS（A）[1]
9.0
源极......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护(2023-11-07 16:01)
的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。实现具有低漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）的双向开关需要两个具有低RDS......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29)
总栅极电荷（栅极-源极+栅极-漏极）Qg典型值（nC......
大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项(2023-12-19)
泵或自举架构来实现这些电压（例如，VCP 和 VGLS）。
然后来看图 2-1 的中间部分，可以看到功率级的另一个次要功能是调节或控制 FET 栅极上的信号。MOSFET 可以作为开关、电阻器或电流源（这取决于与漏极和源极电压相关的栅极......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
Transistor, ）。
其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。
二、nmos和pmos的原理与区别
英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金......
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2023-06-13)
终实现了开关电源效率的提高。
该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响，增强MOSFET的高速开关性能，从而抑制开关过程中的振荡。
未来，东芝......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-29)
/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间材料层的有效介电常数，这可以通过在该位置的介电材料中引入空气间隙来实现。这种......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-28)
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容;本文引用地址：
减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极......
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2023-06-13 11:45)
性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极......
25kW电动汽车SiC直流快充设计指南：经验总结(2022-12-10)
电压(绿色迹线)达到栅极开启电压，漏极-源极电压就会开始降低。请注意，在所有这些测试中，初始漏极电流均为0 A。
•漏源电压的快速下降会导致DESAT输入电压反转。它源于先前在D1和D2高压......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-26)
））的反向恢复特性，并在高温下具有更低的漏极截止电流。此外，新产品的品质因数“漏极-源极导通电阻×栅极-漏极电荷”也更低。相较于东芝现有的TK62N60W5[4] [5]器件，TK042N65Z5的高温漏极......
变频器的30个基础知识（之三）(2024-03-26)
电气系统使用两根火线和一根中性线来传输电力。
24.什么是三相电源?
三相电源——主要用于商业和工业设施，三相电气系统使用中性线或地线，以及三根火线，每根传输一相交流电。
25.什么是变频器中的漏极和源极?
漏极和源极......
变频器的30个基础知识（三）(2024-04-02)
电气系统使用两根火线和一根中性线来传输电力。
24.什么是三相电源?
三相电源——主要用于商业和工业设施，三相电气系统使用中性线或地线，以及三根火线，每根传输一相交流电。
25.什么是变频器中的漏极和源极?
漏极和源极......
25kW电动汽车SiC直流快充设计指南：经验总结(2022-12-09)
mA。其目的是限制漏极di/dt，以使电源路径寄生电感上的漏极-源极过电压不会损坏MOSFET。在测量波形中，可以明显看到漏极-源极电压转换速度也低很多。
•如图所示，栅极......
如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围(2023-10-07)
）
与其他 MOSFET 类似，沟槽型 MOSFET 单元包含漏极、栅极和源极，但竖向排列。借助场效应，形成竖向沟道，与栅极沟槽平行。电流的流向是从源极竖向流到漏极。与横......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
驱动要求。
SiC MOSFET 特性
1、跨导
开关电源中使用的硅 MOSFET 在两种工作模式或区域之间尽可能快地开关。当栅极-源极电压 VGS 小于栅阈值电压 VTH 时，晶体......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应(2024-02-29)
MOSFET并定义如下术语：
● Iav=雪崩电流
● Ipk=最大雪崩电流=MOSFET关断时的值
● Ipk (fail)=MOSFET失效时的最大雪崩电流（漏极到源极到栅极短路）
● Jpk......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。
为了便于理解，这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。
当VGS=0V时，源极S和漏极D之间相当于存在两个背靠背的pn结，因此不论漏极-源极......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。
在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。
在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交......
使用数字万用表对IGBT模块进行检验(2023-03-15)
数字万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时igbt模块被触发导通，数字万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
之后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
寄生电容的MOSFET。
图5.具有寄生电容的MOSFET结构。
以上代表的是：
Cgs，栅源电容。
Cgd，栅极到漏极电容。
Cgb，栅极到本体电容。
CSB，源极到体电容。
Cdb，漏极到体电容。
图6中的......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
有 MOSFET 一样，P 沟道 MOSFET 在源极和漏极之间有一个本征体二极管。当电池正确连接时，本征体二极管导通，直到 MOSFET 的沟道导通。要使 P 沟道 MOSFET 导通，栅极电压需要比源极......
氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要(2023-02-20)
所使用的芯片尺寸更小。因此，哪怕与同类最佳的硅 MOSFET 相比，GaNFET 的栅极电荷、输出电容和动态导通电阻也大大降低。此外，GaNFET 没有 PN结，因此漏极-源极......
onsemi NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块(2023-08-31 14:22)
可靠性高
18V至20V栅极驱动
20V工作电压，可降低损耗
18V，与其他模块兼容
规范
工作结温范围：-40°C至+175°C
漏极-源极电压：1200V......
的各种应用，提供高精度、低容差基准电压，”Nexperia产品经理Paula Stümer介绍，“如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压，或从更多种类的合适的MOSFET中进行选择，用具......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
个开关，栅极（G）是控制端，它控制着源极（S）和漏极（D）之间是否能导通，即是否可以通过电流。
5. 源极和漏极导通电流的意思是，给他们两加一个电压源，可以形成电流，从漏流到源也行，从源流到漏也行，这个......
意法半导体VIPower M0-7 H桥驱动器:有效降低EMI(2023-10-31)
地可以进一步减少电磁干扰，提高系统的整体电磁兼容性能。建议增加的栅极漏极电容器的最大容值为470 pF，以防止系统突然关闭。事实上，开关上升斜率增加过多可能会触发VNHD7008AY / VNHD7012内部的VDS......
意法半导体VIPower M0-7 H桥驱动器：有效降低EMI(2023-10-27)
dBμV/m表示以微伏每米 (μV/m) 为参考量的辐射强度的对数比值。
这一改进不受转向柱体是否接地的影响，但接地可以进一步减少，提高系统的整体电磁兼容性能。建议增加的栅极漏极......
意法半导体VIPower M0-7 H桥驱动器：有效降低EMI(2023-10-30)
地可以进一步减少电磁干扰，提高系统的整体电磁兼容性能。建议增加的栅极漏极电容器的最大容值为470 pF，以防止系统突然关闭。事实上，开关上升斜率增加过多可能会触发VNHD7008AY......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-02-02 14:13)
=25°C，除非另有说明）
器件型号
极性
绝对最大额定值
漏极-源极导通电阻RDS(ON)最大值(mΩ)
沟道到外壳热阻Zth(ch-c)最大值@Tc=25......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-02-02)
℃）
器件型号
XPQR3004PB
XPQ1R004PB
极性
N沟道
N沟道
绝对最大额定值
漏极-源极电压VDSS（V......
升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因(2024-03-07)
值，漏极电压为“RDSON×电感电流”。从此时开始，当FET的栅极驱动转为关断时，漏极和源极之间的电阻值上升，漏极电压也开始上升。
当低边开关关断时，漏极和源极之间会产生容性分量COSS，部分......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-02-01)
晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品......
相关企业
、阳极基板、玻盖等组成的真空器件。阴极灯丝是在很细的钨丝上，涂覆三元碳酸盐的氧化物，再以适当的张力安装在灯丝支架上，其主要作用是发射电子；栅极是不锈钢类的金属薄片通过光刻蚀加工而成的金属网栅，直接
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
;上海道径电子深圳办事处;;公司处于深圳罗湖区，货源极为宽广，稳定，信誉第一的原则下，只营各大名牌的原装管。
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化测试及失效分析。 苏州首长瑞芯微电子以市场需求为导向，结合公司的技术优势，相继推出了系列STN、Analogue TFT source driver 中小尺寸源极推动器，Digital TFT source
、隔离和更多。我们的产品包括变压器的音频、栅极驱动、电力、医疗/牙齿,wall-mount和插入式应用程序,以及电感电流的感觉,普通模式、环形、过滤和权力的应用
焊架‖中东插头‖英规头‖英式BS插头 AC插片系列:澳大利亚插头‖澳规插头‖澳式包胶片‖美规插片‖美式插片‖国标插片‖国标长城片 国标电源极性插片‖美标插片 电源配件系列:品字尾方管端
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