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同仁还于当天下午走进贺利氏上海创新中心，与一线工程师面对面交流，现场观摩并亲身实践银烧结的工艺步骤，更深层次地认识贺利氏mAgic烧结银创新产品组合和工艺技术如何应对烧结工程中的挑战。 第三届中国银烧结......
东风首批自主碳化硅功率模块下线;本文引用地址：11月2日消息，据“智新科技”官微消息，近日，首批采用纳米银烧结技术的模块从二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。 该模块采用纳米银烧结工艺......
本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。该产品为业内主流DCM封装模块，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导......
模块。 ◆ 烧结工艺 为了达到最佳的散热效果，安森美VE-Trac™ Direct SiC采用最新的银烧结工艺，将SiC裸芯直接烧结在DBC上，DBC焊接到Pin Fin底板，底板下是冷却液，这样，芯片......
硅陶瓷的理论热导率可达到200W/|（m·K）以上，而其热膨胀系数与芯片的热膨胀系数相差无几，氮化硅陶瓷基板被认为是大规模或超大规模集成电路封装基板材料的优先选择。 而烧结工艺是氮化硅陶瓷基板生产的关键技术之一，氮化硅基板烧结......
于传统锡焊技术，银烧结可实现零空洞，低温烧结高温服役，焊接层厚度减少60-70％，适合高温器件互连，电性能、热性能均优于锡焊料，电导率提高5-6倍，热导率提高3-4倍。很多企业已经尝试将功率模块内部中的所有传统焊料升级迭代为银烧结工艺......
模块在实际工况下充分发挥上述优势，长电科技运用低杂散电感封装技术、创新材料互连封装技术和先进的热管理技术，并结合客户实际使用需求，提供全银烧结工艺、铜线键合、单面直接水冷等系统集成方案。 此外，SiC功率......
技术。当然这其中又牵扯到焊料，烧结工艺等，这些又都是复杂且不断发展的领域，所以任何事物都有着值得不断发展和迭代的过程，只是在一定的阶段，它受到市场需求，成本，技术等等因素的权衡。 就像......
高温服役，焊接层厚度减少60-70％，适合高温器件互连，电性能、热性能均优于锡焊料，电导率提高5-6倍，热导率提高3-4倍。很多企业已经尝试将功率模块内部中的所有传统焊料升级迭代为银烧结工艺，包括芯片，电阻......
稳定的生态系统模型作为技术组合，为电动汽车牵引逆变器提供出色的性能，以提高续航里程、功率和可靠性。麦德美爱法广泛的银烧结材料系列提供了全方位的解决方案，为客户提供了更多选择和更易操作的产品，同时......
和挑战》课题。在功率电子应用中，焊接和烧结是连接芯片和基板的主要方式。使用焊接或烧结工艺之后，残留物的去除是一个常见挑战。这些残留物会导致腐蚀、电气短路和其他可靠性问题，从而......
晶能SiC半桥模块试制成功; 近日，晶能首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。 晶能SiC半桥模块 该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合环氧树脂转模塑封工艺......
列产品包括多种用膏体，可提供湿式和干式选择，并采用低压技术，特别适用于芯片、垫片、顶部固定或封装体粘接。 ® ®产品线最新的产品是ALPHA® Argomax® 2148银烧结技术，专门用于在金或银基板上烧结......
连接改善了栅极驱动器的回路性能，并具有业界领先的散热能力。通过利用银烧结技术（Ag Sintering），可以在常规PCB以及复杂的绝缘金属基板（IMS）上完成管芯贴附。此外，它们具有出色的爬电距离（6.7mm）和电......
于客户需求进行定制化、测量时间更短，精度更高等特点。 此外，苏州宝士曼在今年年初，具有完全自主知识产权的烧结设备也正式出厂，银烧结是第三代半导体封装技术中应用最为广泛也是最核心的技术，苏州宝士曼银烧结......
过程中，从常温烧到 1300°前面的含氧量都是21% ，现在烧到1000°的时候，含氧量就要做到0.1%的高标准。 华源采用智能烧结技术，使得装备数字化、操控集中化、运维信息化、控制智能化，有效解决了烧结工艺......
，而在业内人士看来，本土企业在技术上，较国际领先企业还存在一定差距，其中，陶瓷基板、烧结材料、烧结工艺、铜皮铜箔烧结工序等仍是考验一家企业 AMB 技术实力的重要指标，国内部分企业仍处于研发阶段。其中......
的器件也可采用 TO-247 三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺，通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。 此外，免费在线设计工具支持所有 1200V SiC FET；可以......
理、银烧结、铜线键合等先进技术,逐步实现国产替代。未来,臻驱科技将持续开展研发创新和技术迭代,打造出更多优质的产品,并加速功率半导体批量出货与全面交付。......
导率的Si3N4 AMB覆铜陶瓷基板 ●  主端子和信号端子超声波焊接 ●  纳米银烧结和DTS高可靠性工艺 ●  直接液冷Pin-Fin散热......
微电子是吉利旗下的功率半导体公司，聚焦于新能源领域的模块研发与制造。2023年9月初，晶能微电子首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺......
模块，1200V 1040A SiC功率模块采用了双面烧结工艺，即SiC MOSFET上下表面均采用烧结工艺进行连接，具备更出色的工艺优势与可靠性。 该模块成功克服了模块空间限制的难题，在不......
品采用标准HPD（Hybrid Pack Drive）封装，并在功率模块内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺，以及高密度铜线键合技术。基于这些先进工艺组合的Pcore6系列模块，可有效降低电动汽车主驱电控、燃料......
IGBT解决方案，并整合了银烧结（Die Top System）和单面覆铜基板裸露（Single-Sided exposed Copper）成型工艺等先进技术，为欧洲和美国的电动车提供卓越的可靠性。 图一......
在耐湿热腐蚀、耐UV衰减、PID和LID光致衰减等方面表现出卓越性能。除了高可靠性，阿特斯TOPCon组件还不断提升自产电池技术，通过导入高少子寿命硅片、先进烧结工艺等技术，将电池量产效率全面突破26.0%。相比......
可减少紧凑内部连接回路中的电感，再加上附带的开尔文源连接，能够实现低开关损耗，支持更高的工作频率，并提高系统功率密度。此外，这些器件采用银烧结芯片贴装，通过液体冷却最大限度排出标准 PCB 和 IMS 基板上的热量，因此......
便是将直流和交流端子以及散热器，和上面的功率部分进行烧结。 然后再添加一个塑料框架，以便后续系统中进行模块的安装。   以上整个过程如下图 所有这些都是通过银烧结完成，包括芯片到DCB基板，DCB基板到散热器，芯片......
了电池的本质安全，同时，大幅降低了固态电池成本！安全和降本，成为鹏辉能源第一代固态电池的核心优势。 固态电池中氧化物陶瓷类电解质材料的制备，通常需要经过高温烧结工艺，这一过程不仅能耗高，效率也较低。此外，陶瓷......
利普思半导体有限公司投资建设的第三代功率半导体SiC模块封装线项目在无锡滨湖区开工，该项目计划引进2条自动化程度较高的先进第三代功率半导体SiC模块封装生产线，包含全自动银烧结机、真空焊接机、全自动端子机、测试......
这个领域，汉高推出了两款以高可靠性和高导电导热为特点的芯片粘接材料，一款是LOCTITE ABLESTIK SSP 2020 全银烧结芯片粘接胶，不仅具有高导电率和高导热性，还具有在线工作时间长，可加......
车辆搭载的基本半导体车规级碳化硅功率模块，采用多芯片并联均流设计、铜带键合工艺、全银烧结连接等技术，具有高功率密度、高可靠性、低寄生电感、低热阻等特性，综合性能达到国际先进水平。 目前，基本......
模块，该模块采用全桥拓扑，pinfin设计和双面银烧结工艺。 三安半导体展示1200V 8mΩ SiC MOSFET，是三安半导体目前MOS 1200V电压平台最小导通电阻、最大......
%-35%，并且印刷时可节约两道主栅银浆印刷和烧结工序。另外，因焊带直径变细数量变多，电流传送路径变短，串联电阻也相应减小，还能提高组件抗隐裂的能力。这些优势今年成为了大家关注的焦点，可以......
%，并且印刷时可节约两道主栅银浆印刷和烧结工序。另外，因焊带直径变细数量变多，电流传送路径变短，串联电阻也相应减小，还能提高组件抗隐裂的能力。这些优势今年成为了大家关注的焦点，可以......
，相关厂商的布局正在紧锣密鼓推进中。 据芯源新材料介绍，烧结银材料是SiC芯片的“最佳搭档”，而其自主研发的产品可帮助客户实现SiC模块的双面银烧结技术（在散热性能、可靠性上表现出色）。此外......
能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益......
芯并联、宽功率等级，覆盖150-300kw 独特优势： 1、进口成熟沟槽栅SiC mosfet 2、高工作结温，Tjop=175℃ 3、高效扰流散热+DTS+纳米银烧结设计 4、热阻降低10......
优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源......
品MG800FXF1ZMS3和MG800FXF1JMS3采用具有银烧结内部键合技术和高安装兼容性的iXPLV[3]封装。这些产品的导通损耗低， 1.3 V（典型值）[4]的低漏源导通电压（传感值），并且还具有230 mJ......
等多个工程师关心的角度进行了评选。 获奖产品介绍 Pcell系列模块为基本半导体根据SiC器件特性，结合终端客户需求设计的宽禁带半导体专用封装产品。 搭配芯片双面银烧结和DTS（Die Top System）技术，提升......
成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SiC MOSFET技术。第4代技术中所包含的其他优势，则是通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些......
设计包括基板中的高温兼容和低损耗材料（具有良好散热财产的材料，如AlN和AMB-Si3N4）、封装（高温环氧树脂或硅胶）、芯片连接（如银烧结）或互连（具有低电感互连，如顶部Cu引线框架）。在提......
500千瓦及以上的更大充电功率提供有效支撑，实现真正的5C超快充。 基于在高压平台实现更高效率，理想汽车选择采用了SiC碳化硅功率模块替代传统的IGBT。得益于塑封封装和和银烧结等更加先进的工艺......
条自动化程度较高的先进第三代功率半导体SiC模块封装生产线，包含全自动银烧结机、真空焊接机、全自动端子机、测试机等进口设备。据披露，项目达产后，可形成年产模块产能50万台的生产能力。 项目总投资2......
满足市场主流的各类型模块产品需求。 值得强调的是，全新成立的瑞能微恩同时建立了先进封装的研发中心，用于进行前沿封装技术的开发和量产，以及新材料的适用性研究。全自动的模块生产线具有丰富的工艺制程能力，如芯片的无铅焊接/银烧结......
成立的瑞能微恩同时建立了先进封装的研发中心，用于进行前沿封装技术的开发和量产，以及新材料的适用性研究。全自动的模块生产线具有丰富的工艺制程能力，如芯片的无铅焊接/银烧结焊接、端子无铅焊锡焊接/超声波焊接、铝线......
成立的瑞能微恩同时建立了先进封装的研发中心，用于进行前沿封装技术的开发和量产，以及新材料的适用性研究。全自动的模块生产线具有丰富的工艺制程能力，如芯片的无铅焊接/银烧结焊接、端子无铅焊锡焊接/超声波焊接、铝线绑线及铜片连接等，能让......
进行前沿封装技术的开发和量产，以及新材料的适用性研究。全自动的模块生产线具有丰富的工艺制程能力，如芯片的无铅焊接/银烧结焊接、端子无铅焊锡焊接/超声波焊接、铝线绑线及铜片连接等，能让生产的模块具备最佳的效率和可靠性。当前......
流片成功。 2023年9月初，晶能微电子首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合环氧树脂转模塑封工艺，持续......
) 和输出 (Coss) 寄生电容器电荷，从而减少开关损耗。如果需要处理更高电流，这些器件可以配置为并联工作，因为它们具有正温度系数/不受温度影响。封装也对散热有显著影响，如安森美的VE-Trac系列采用银烧结工艺......

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