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研发客服中国北京 – 2022 年 8 月 4 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。
在 650/750V 状态下，第四代 的 RDS(on) 为 9 毫欧姆 (mohm)，实现行业低水平，该系列的额定电阻为 9、11、18、23、33、44 和 60 豪欧姆。该广泛选择为工程师提供更多器件选项，支持更大的灵活性，以实现理想成本/效率平衡，同时维持丰富的设计裕量和电路稳健性。这些器件利用独到的共源共栅 SiC FET 技术，其中，处于常开状态的 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，产生处于常闭状态的 SiC FET，这些器件提供出色的 RDS x A 品质因数，能够最大限度减少小尺寸裸片中的传导损失。
中国北京 – 2022 年 8 月 4 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。
在 650/750V 状态下，第四代 的 RDS(on) 为 9 毫欧姆 (mohm)，实现行业低水平，该系列的额定电阻为 9、11、18、23、33、44 和 60 豪欧姆。该广泛选择为工程师提供更多器件选项，支持更大的灵活性，以实现理想成本/效率平衡，同时维持丰富的设计裕量和电路稳健性。这些器件利用独到的共源共栅 SiC FET 技术，其中，处于常开状态的 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，产生处于常闭状态的 SiC FET，这些器件提供出色的 RDS x A 品质因数，能够最大限度减少小尺寸裸片中的传导损失。
UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）总工程师 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封装可减少紧凑内部连接回路中的电感，再加上附带的开尔文源连接，能够实现低开关损耗，支持更高的工作频率，并提高系统功率密度。此外，这些器件采用银烧结芯片贴装，通过液体冷却最大限度排出标准 PCB 和 IMS 基板上的热量，因此热阻非常低。”
采用 D2PAK-7L 封装系列的全新 750V 第四代 SiC FET 售价（1000 件起，美国离岸价）为 3.50 美元 (UJ4C075060B7S) 至 18.92 美元 (UJ4SC075009B7S)。所有器件均通过授权经销商销售。
如需进一步了解 UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列如何提供行业先进的性能品质因数，降低传导损失，提高更高速度时的效率，同时改善整体成本效率，请访问 。如需下载 Qorvo SiC FET 用户指南副本，请点击。
UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）总工程师 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封装可减少紧凑内部连接回路中的电感，再加上附带的开尔文源连接，能够实现低开关损耗，支持更高的工作频率，并提高系统功率密度。此外，这些器件采用银烧结芯片贴装，通过液体冷却最大限度排出标准 PCB 和 IMS 基板上的热量，因此热阻非常低。”
采用 D2PAK-7L 封装系列的全新 750V 第四代 SiC FET 售价（1000 件起，美国离岸价）为 3.50 美元 (UJ4C075060B7S) 至 18.92 美元 (UJ4SC075009B7S)。所有器件均通过授权经销商销售。
如需进一步了解 UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列如何提供行业先进的性能品质因数，降低传导损失，提高更高速度时的效率，同时改善整体成本效率，请访问 。如需下载 Qorvo SiC FET 用户指南副本，请点击。
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