东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线,有助于工业设备的高效化和小型化

发布时间:2024-01-25  

【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)面向工业应用推出集成斩波碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300 V和800 A特征)的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”,这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片。

 

东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线,有助于工业设备的高效化和小型化


东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)面向工业应用推出集成斩波碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300 V和800 A特征)的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”,这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片。


新产品MG800FXF1ZMS3和MG800FXF1JMS3采用具有银烧结内部键合技术和高安装兼容性的iXPLV[3]封装。这些产品的导通损耗低, 1.3 V(典型值)[4]的低漏源导通电压(传感值),并且还具有230 mJ(典型值)[5]的低开通损耗。有助于减少设备的功率损耗和减小冷却设备的尺寸。


东芝的iXPLV封装MOSFET模块产品线有三款产品,其中包括现有产品MG800FXF2YMS3(3300 V / 800 A / 双SiC MOSFET模块)。为用户提供了丰富的产品选择。其可以用于2电平逆变器、buck/boost转换器和3电平逆变器。


未来,东芝将继续努力满足市场对工业设备高效率和小型化的需求。


应用

工业设备

  • 用于轨道车辆的逆变器和转换器

  • 可再生能源发电系统

  • 工业电机控制设备


特性

  • 低漏源导通电压(传感值):
    VDS(on)sense=1.3 V(典型值)(ID=800 A,VGS=+20 V,Tch=25 °C)

  • 低导通损耗:
    Eon=230 mJ(典型值)(VDD=1800 V,ID=800 A,Tch=175 °C)

  • 低关断损耗:
    Eoff=230 mJ(典型值)(VDD=1800 V,ID=800 A,Tch=175 °C)


主要规格

(除非另有说明,@Tc=25℃)


东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线,有助于工业设备的高效化和小型化


内部电路


东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线,有助于工业设备的高效化和小型化


东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线,有助于工业设备的高效化和小型化


应用电路示例


东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线,有助于工业设备的高效化和小型化


注:
[1]高边:SiC MOSFET,低边:SiC SBD
[2]高边:SiC SBD,低边:SiC MOSFET
[3]iXPLV:智能柔性封装低电压
[4]测试条件:ID=800 A, VGS=+20 V,Tch=25 °C
[5]测试条件:VDD=1800 V,ID=800 A,Tch=175 °C


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