【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)面向工业应用推出集成斩波碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300 V和800 A特征)的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”,这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片。
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)面向工业应用推出集成斩波碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300 V和800 A特征)的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”,这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片。
新产品MG800FXF1ZMS3和MG800FXF1JMS3采用具有银烧结内部键合技术和高安装兼容性的iXPLV[3]封装。这些产品的导通损耗低, 1.3 V(典型值)[4]的低漏源导通电压(传感值),并且还具有230 mJ(典型值)[5]的低开通损耗。有助于减少设备的功率损耗和减小冷却设备的尺寸。
东芝的iXPLV封装MOSFET模块产品线有三款产品,其中包括现有产品MG800FXF2YMS3(3300 V / 800 A / 双SiC MOSFET模块)。为用户提供了丰富的产品选择。其可以用于2电平逆变器、buck/boost转换器和3电平逆变器。
未来,东芝将继续努力满足市场对工业设备高效率和小型化的需求。
应用
工业设备
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用于轨道车辆的逆变器和转换器
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可再生能源发电系统
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工业电机控制设备
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特性
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低漏源导通电压(传感值):
VDS(on)sense=1.3 V(典型值)(ID=800 A,VGS=+20 V,Tch=25 °C) -
低导通损耗:
Eon=230 mJ(典型值)(VDD=1800 V,ID=800 A,Tch=175 °C) -
低关断损耗:
Eoff=230 mJ(典型值)(VDD=1800 V,ID=800 A,Tch=175 °C) -
主要规格
(除非另有说明,@Tc=25℃)
内部电路
应用电路示例
注:
[1]高边:SiC MOSFET,低边:SiC SBD
[2]高边:SiC SBD,低边:SiC MOSFET
[3]iXPLV:智能柔性封装低电压
[4]测试条件:ID=800 A, VGS=+20 V,Tch=25 °C
[5]测试条件:VDD=1800 V,ID=800 A,Tch=175 °C
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