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,一般来说,这种芯片比硅晶体管制造的芯片耐热性更好,寿命更长,而且更节能。 美国银行分析师称特斯拉发布的声明“值得注意,但为时过早”。但分析师们也承认,“如果这是真的,这种技术进步可能是碳化硅......
第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代,这是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。   据介绍,此次研发成功的8英寸碳化硅晶体,晶坯厚度25mm,直径214mm,是晶盛在大尺寸SiC晶体......
从基础到应用碳化硅晶体研制获突破;碳化硅晶体是一种性能优异的半导体材料,在信息、交通、能源、航空、航天等领域具有重要应用。春节期间,中科院物理研究所科研团队们正在探索用一种新的方法生长碳化硅晶体......
技术和市场基本被欧美发达国家如WolfSpeed、德国SiCrystal 等公司垄断。 近日,山西烁科晶体有限公司(以下简称“烁科晶体”)宣布,成功研制出8英寸碳化硅晶体、晶片。除了烁科晶体外,晶盛机电、露笑科技、吉星......
产品供应华为/比亚迪等,河北一SiC晶片项目未来年产能达12万片;近日,位于河北邢台清河县的天达晶阳碳化硅晶片项目传来了新的动态。 据河北新闻联播报道,天达晶阳碳化硅单晶体......
碳化硅风向标,特斯拉说了不算;北京时间3月2日凌晨,特斯拉在其投资者日的演讲中,谈到最牵动半导体厂商的一句话,来自特斯拉动力总成工程负责人——科林坎贝尔,他提到在下一个动力系统中,碳化硅晶体管......
Street Research 的分析师推测认为:“新动力传动系统的逆变器将采用混合架构”,混合了硅和碳化硅晶体管,两种类型的晶体管协同工作以处理特斯拉汽车的峰值负载,主要是在车辆加速期间。“这种......
目一期工程已完工,二期生产车间和机修车间共计1.8万平方米,钢结构正在吊装,预计6月份主体竣工。 据悉,中科钢研集成电路产业园项目占地83亩,主要产品为4—6英寸碳化硅晶体衬底片,适用......
表面光滑无缺陷,最大直径超过204mm。 这是科友半导体于今年十月在六吋碳化硅晶体厚度上实现40mm突破后,在碳化硅晶体生长尺寸上取得的又一次极具历史意义的重大突破。 在碳化硅......
机电顺应行业发展趋势,提早布局碳化硅晶片市场。目前,该公司碳化硅外延设备已通过客户验证,同时在6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节建立测试线,其6英寸碳化硅晶片已获得客户验证。 晶盛......
布了全球首个8英寸碳化硅晶体,并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。 据悉,液相法具有生长高品质晶体的优势,在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进目前在液相法领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体......
材料列入重点研究领域项目,由中科院两家分所主攻导电型碳化硅晶体,山东大学晶体材料研究所主攻半绝缘型碳化硅晶体。 “相较于硅基,碳化硅器件具有功率大、体量小、节能高效、耐用等多方面优势,除了......
消息称英飞凌或在欧洲自行生产碳化硅晶体,以求供应稳定; 【导读】据电子时报消息,英飞凌目前正在美国扩大碳化硅(SiC)器件的生产,该公司此前一直采购其它公司制造的碳化硅晶圆。有消......
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长!;今日,据台媒报道,台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6英寸导电型4H碳化硅单晶,中心厚度为19mm,边缘约为14mm,生长速度达到370um/hr,晶体......
晶盛机电:已成功生长出8英寸碳化硅晶体;近日,晶盛机电在接受机构调研时表示,目前公司已成功生长出8英寸碳化硅晶体,并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线,实验......
13.5亿元微芯长江半导体项目预计今年6月份生产;据安徽网4月27日报道,在铜陵经开区安徽微芯长江半导体材料公司(以下简称“微芯长江半导体”)的碳化硅晶体生产车间,来自......
,EV6 确认采用 如今在瑞士知名半导体供应商 (STMicroelectronics) 于 12 月公布的新闻稿中,就宣布推出 5 款全新基于旗下第 3 代 STPOWER SiC MOSFET 碳化硅晶体管......
在瑞士知名半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics) 于 12 月公布的新闻稿中,就宣布推出 5 款全新基于旗下第 3 代 STPOWER SiC MOSFET 碳化硅晶体管技术的功率模块(Power Module),这 5 款名为 ACEPACK......
再次亮相,并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制,并结合半导体行业生产特点,将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合,采用PVT法(物理......
关领域发表高水平文章及期刊百余篇。 科友半导体表示,通过与俄罗斯N公司的合作,科友半导体将研发获得“无微管,低位错”完美籽晶,应用品质优异的籽晶进行晶体生长,会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度,从而提高晶体......
,此次签约项目总投资达21.2亿元。据晶盛机电介绍,公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺研发,相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片,是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前,公司......
对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的保护,增加浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层工艺厚度,最终优化TDDB的可靠性,使得MOSFET器件拥有更高的击穿电压以及更长的可靠性寿命。 北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布 天眼......
推进第三代半导体材料国产化进程。 自2017年,晶盛机电开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发,通过研发团队的技术攻关,公司于2018年成功研发出6英寸碳化硅晶体生长炉,于2020年建......
Ferrotec集团中国总部暨汉虹二期建设工程项目举行开工仪式 助力碳化硅晶体、车载半导体等领域发展;据上海宝山工业园区官微消息,11月30日上午,Ferrotec集团......
同时,《征求意见稿》还明确了山东省第三代半导体产业发展的重点任务。 坚持全产业链发展,提升产业竞争能级 以技术和产品发展相对成熟的碳化硅晶体材料为切入点,迅速做大碳化硅半导体产业规模。聚焦......
衬底产品的小规模量产。 科友半导体于2022年10月在6英寸碳化硅晶体厚度上实现40毫米的突破,后又在12月份宣布,其通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8英寸的碳化硅单晶,晶体......
还表示,“此外,显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳化硅金氧半场效晶体管降低50%成为可能”。 TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆第4代金氧半场效晶体管,并于2022年7月公......
位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示,“此外,显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳化硅金氧半场效晶体管降低50%成为可能”。 TechInsights仅用......
进一步改进原有的双沟槽结构,在不影响短路耐受时间的情况下,使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示,“此外,显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳化硅金氧半场效晶体管降低50%成为......
英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来,未来将会有更多厂商带来新的产品和技术,我们拭目以待。 关键突破!中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级 近日,中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅......
有可能成为限制汽车行业大规模应用的关键因素。 国产化加速推进 碳化硅应用前景广阔,国内企业也看准了这个赛道。“但是碳化硅晶体......
双方签署了一份谅解备忘录 (MOU),旨在开展一项总额达 800 万美元的战略合作,其中包括在宾夕法尼亚州立大学材料研究所 (MRI) 开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。未来 10 年,安森美每年都将为 SiC3 中心......
做事的方法、可接受的东西、最佳实践,现在都受到了质疑。” 在未来的太空探索中,我们将看到更多采用替代半导体(如碳化硅、专用CMOS晶体管、集成光子学和新型抗辐射存储器)制成的系统。以下......
(IGBT),率先引入碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET),开启全球第三代半导体扩产潮。至于氮化镓(GaN)功率元件市场则由消费性产品(如手机快充)、电信......
圆片项目建设工程竣工仪式。 据悉,该项目是FerroTec集团在第三代半导体领域的全新布局,项目总投资13.5亿元,占地100亩,新建碳化硅晶体生长车间、碳化硅晶圆片加工车间、研发中心等。项目建成达产后,预计年产碳化硅晶......
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm;5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅......
性和热膨胀方面具有更好的性能。这使得它非常适合于汽车和工业应用,包括太阳能电池和人工智能数据中心。 碳化硅技术的发展与其他后硅芯片的研究齐头并进。这一点尤为重要,尤其是在摩尔定律(即芯片上的晶体管数量每两年翻一番)放缓......
缺陷密度控制有着丰富的研究经验,在相关领域发表高水平文章及期刊百余篇。 签约现场合影 通过与俄罗斯N公司的合作,科友半导体将研发获得“无微管,低位错”完美籽晶,应用品质优异的籽晶进行晶体生长,会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体......
圆性能验证。 3月,中电材料下属公司山西烁科晶体已研制出8英寸碳化硅晶体,成功解决了大尺寸单晶制备的重要难题,并实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。 8月,晶盛机电首颗8英寸N型碳化硅晶体......
半导体成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭。据悉,其8英寸碳化硅晶体生长技术于2023年四季度转入萧山研发中心进行中试。 9月下旬,乾晶半导体与谱析光晶、绿能芯创签订三方战略合作协议。三方约定紧密配合、共同......
的芯片都是在衬底的基础上长上一层薄薄的外延,然后才拿去制作芯片。那衬底又是怎样生产制造出来的呢?这里涉及到两个步骤,首先是将碳化硅粉放到长晶炉里生长成晶体得到碳化硅晶锭,碳化硅晶锭需要打磨抛光,然后送去切割,并经......
表面光滑无缺陷,最大直径超过204mm。这是科友半导体继去年10月在6英寸碳化硅晶体厚度上实现40mm突破后,在碳化硅晶体生长尺寸和衬底尺寸上取得的又一次极具历史意义的重大突破。 哈尔......
晶片的核心位错达到行业领先水平。 晶盛机电表示,自布局碳化硅衬底业务以来,公司通过自主开发的设备、热场和工艺技术,不断延伸产品系列。经过研发团队的技术攻关,公司于2020年建立6-8英寸碳化硅晶体生长及切磨抛产线,于2022年成......
德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”;近日,在国际盛会SEMICON China 2024上,全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团亮相,并向行业展示了其为中国市场定制化的碳化硅晶体......
了使用硅基氮化镓时需要生长厚的数微米缓冲层的额外步骤。 此外,GaNoX优越的晶体质量允许更高的工作电压,使其适用于广泛的应用,与高达1200V的碳化硅相比,具有诱人的性价比,适用于电机驱动、消费电子、适配器、电动出行、功率因数校正(PFC)级......
的芯片都是在衬底的基础上长上一层薄薄的外延,然后才拿去制作芯片。那衬底又是怎样生产制造出来的呢?这里涉及到两个步骤,首先是将碳化硅粉放到长晶炉里生长成晶体得到碳化硅晶锭,碳化硅晶锭需要打磨抛光,然后送去切割,并经......
生产了外延石墨烯,这是在碳化硅晶面上生长的单层。研究发现,当制造得当时,外延石墨烯会与碳化硅发生化学键合,并开始表现出半导体特性。 但要制造功能性晶体管,必须对半导体材料进行大量操作,这可......
衬底的产能,其中包括N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。 8英寸进展方面,烁科晶体于2021年8月研制出8英寸碳化硅晶体,随后在2022年1月,烁科晶体实现8英寸N......
年产值6亿元。其中,项目一期投资5000万元,租赁厂房1050平方米,建设4—6英寸液相法碳化硅晶体生长中试线。 据了解,晶格领域于2020年06月注册成立,注册资本2000万元,其主营业务为碳化硅......
总经理彭建华透露,公司8英寸碳化硅产线将于2024年年底通线。 当前方正微电子有两个Fab。其中,Fab1已实现6英寸碳化硅晶圆9000片/月的生产能力,到2024年底,这一数字预计将增长至每月1.4万片......

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