资讯
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
管是SiC PIN二极管，非常适合在10 kV至20 kV范围内工作，因为电导率调制可有效降低漂移区域电阻。
碳化硅开关
在许多工业应用中，功率半导体器件的阻断电压要求约为1.2至3.3 kV......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
（SiC）是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率等优点。相比于硅基IGBT，碳化硅功率器件具有更低的导通电阻和更高的开关频率，能够显著提升新能源汽车的性能和能效。
电机......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-31)
Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
所选材料所采用的电流、电压及工艺有关。
IGBT损耗
可分为导通损耗和开关损耗。其中，传导损耗与内部电阻和通过元件的电流有关，而开关损耗与元件的开关频率和元件承受的直流电压有关。
电感损耗
可分......
功耗低。
B1D10065F封装TO-263-2
基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性，可无限的将PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
电压经过电容滤波后，送入H桥逆变电路逆变为高频方波，然后经过高频变压器，次级侧高频整流后供给空调变频器使用。为提高开关频率、减小整机体积，功率器件的开关频率通常达到100kHz以上。这就......
市场一片火热，第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？(2021-07-29)
直流充电桩应用领域加速市场渗透。
图4：120kw直流充电桩内部结构图
来源：CNKI，DT新材料
3.轨道交通
碳化硅功率器件相较传统硅基IGBT能够有效提升开关频率，降低开关损耗，其高......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
的击穿电场和更高的热导率，随着硅接近其理论极限，SiC在电力电子领域越来越受欢迎。碳化硅基MOSFET在损耗、开关频率和功率密度方面比硅基MOSFET更高效。
当人们尝试提高电动汽车的效率和续航里程，同时......
800V电驱动系统解读(2023-08-16)
观察到最高的压摆率。 系统设计的目标是在低谐波损耗和由于高开关频率和压摆率而增加的绝缘系统要求和电机的使用寿命之间找到适当的平衡。这两个方面的最佳平衡对碳化硅牵引系统的设计具有重要意义。 电机......
瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度(2022-09-08)
产品的解决方案，大幅提高整车性能，优化整车架构，使新能源汽车可以具有更低的成本、更长的续航里程、更高的功率密度。相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关......
PI推出高压利器：900V氮化镓反激式开关IC助力节能新时代(2023-03-27 10:32)
以及氮化镓更为合适。PI的所有系列产品当中，硅器件主要有650V，725V，900V。在售的氮化镓器件有之前发布的750V，耐压更高些的器件包括1700V的碳化硅开关。此次发布的900V氮化......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
，而碳化硅则做到了800KW；峰值效率上，IGBT可以达到98%，碳化硅则能达到99.5%。
与此同时，在相同条件下，800V SiC功率器件的开关和导通损耗都可以做到更低。比如，当把器件的开关频率......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-30)
隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在耐压的PowiGaN开关。 专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置(2023-10-30 14:20)
了系统设计灵活性。
新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(on)。模块具有高效的开关性能，将温度影响降至最低，确保......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
器件在提高效率或增加功率密度方面不断迭代，大量应用在能源基础设施领域，包括太阳能、UPS、储能和电动汽车充电系统等。较低的开关损耗能够实现更高的效率，减少散热，并提高开关频率,缩小无源元件尺寸。这些优势足以证明碳化硅......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置(2023-10-30)
六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(on)。模块具有高效的开关......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置(2023-10-31)
引用地址：新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(on)。模块具有高效的开关性能，将温......
Microchip抢攻三代半导体市场，推完全配置SiC MOSFET数字栅极驱动器(2021-09-23)
功率应用提供整体系统解决方案，Agile Switch 2ASC-12A2HP数字栅极驱动器现已量产。Agile Switch 2ASC-12A2HP数字栅极驱动器由ICT支持，包括许多可立即商用的碳化硅开关的新手设定。栅极......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-31 11:04)
隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。
Power Integrations专有......
车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用(2024-06-14)
车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用;在新能源汽车市场快速发展的背景下，车载功率半导体需求量激增，其中，碳化硅功率器件凭借更低的能量损耗、更小的封装尺寸、更高的开关频率、更强......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置(2023-10-30)
六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关......
InnoSwitch3－AQ可提高400V和800V电动汽车μDCDC变换器的效率和可靠性(2024-09-14 09:45)
系列为汽车应用提供了多种方案选择，包括750V硅、900V硅、900V PowiGaN或1700V碳化硅开关。只需对电路板设计进行极少的改动，工程师就能选择最合适的符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3......
）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。
通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，本文......
比亚迪公布2项新技术，把SiC狠狠夸了一把(2024-05-11)
确实处于全球领先水平，量产电机转速较高的还有华为、广汽、小米、上汽和现代等。
众所周知，要提升电机的转速，势必要提高基波的频率，据电机专家分析，基波频率通常需要从10kHz提升至20kHz，这导致开关频率仅为12kHz的硅......
英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本(2024-03-11)
系统既可以集成到皮卡车上，也可以通过任何太阳能电池板或墙上插座充电。通过用英飞凌的GaN功率半导体取代以往功率转换器中的硅开关，并以更高的开关频率运行晶体管，Worksport将能够降低33%的电......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
的饱和电子漂移速度和更高的热导率。这使得碳化硅在功率半导体器件方面表现出高耐压、高速开关、低导通电压和高效率等特性，从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电和电动汽车等高压大功率应用中，碳化硅......
碳化硅/氮化镓元件开始商用，电子产业迎来大革命(2017-07-07)
效率更上一层楼。
锁定高功率应用碳化硅开拓电力电子新疆域
英飞凌(Infineon)工业电源控制事业处市场开发总监马国伟(图1)指出，碳化硅具有极佳的材料特性，可以显著降低开关损耗，因此电源开关的操作频率......
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析(2024-06-11)
°C， 12kHz 时为8.7 °C。
D. 结论
测试表明，减小并联碳化硅芯片的阈压差可以极大地降低芯片之间的温差。此外，随着开关频率提高，通过减小裸片阈压差的方式降低温差的方法变得更加有效，特别......
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品(2023-05-12)
，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
”的特性——更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得碳化硅MOSFET在大功率应用中表现出色，尤其是高压应用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件损耗小，极大......
英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本(2024-03-11)
用英飞凌的GaN功率半导体取代以往中的硅开关，并以更高的开关频率运行晶体管，Worksport将能够降低33%的电池系统重量和高达25%的系统成本。
此次......
英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本(2024-03-11)
司的COR电池系统既可以集成到皮卡车上，也可以通过任何太阳能电池板或墙上插座充电。通过用英飞凌的GaN功率半导体取代以往功率转换器中的硅开关，并以更高的开关频率运行晶体管，Worksport将能够降低33......
不同电压和功率等级的三菱电机SiC功率器件介绍(2024-03-08)
的短路信号做出反应。
用于铁路和电网应用的高压碳化硅模块
除牵引逆变器外，辅助转换器、铁路电池充电器和DC-DC转换器尤其受益于SiC功率模块带来的开关频率提升。开关频率......
一文了解SiC MOS的应用(2024-06-19)
一文了解SiC MOS的应用;作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且......
基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳举行(2021-07-30)
为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件，具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点，对整......
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度(2024-06-13 10:04)
GeneSiC MOSFETs为碳化硅性能标定了高效、可低温运行的新基准。G3F碳化硅MOSFETs的开关频率高达600 kHz，硬开关品质因数比竞争对手高出40%。纳微正在不断拓展碳化硅......
一文了解SiC MOS的应用(2024-06-19)
一文了解SiC MOS的应用;作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，FET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且......
天狼芯半导体——专注第三代半导体功率芯片设计(2023-03-27)
名称：1200V/1350A IGBT+SiC 模块
展品特点：1200V 1350A IGBT+SiC模块具有电流密度高、高开关频率、高抗短路能力，产品性能稳定，主要应用于直流电压为1200V的变......
纳芯微隔离和驱动技术为SiC+800V电驱动赋能(2023-03-20)
共地需求，需要用隔离器件来实现电平转换功能；三是高抗噪需求，以实现更高的CMTI（共模抑制比）抗扰能力，避免出现大的噪声干扰，导致功率管误开通；特别是碳化硅的应用会使开关频率上升，出现比较大的dv/dt......
【慕尼黑华南电子展】蓉矽半导体圆满收官！(2022-11-18)
式储能电源应用中，相较FRD，蓉矽半导体理想硅基二极管MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温；在损耗不变的前提下，可提升50%的开关频率，缩小磁性器件体积约30%。
2022年度......
爱仕特/英威腾/深圳先进院，三方联合启动深圳市科技重大专项(2024-03-20)
于传统硅基器件，碳化硅（SiC）功率器件具有耐高压、耐高温、抗辐射、散热能力佳、更低的导通损耗和开关损耗、更高的开关频率、可减小模块体积等特性，在高压系统中有望快速替代，从而......
意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议，助力 800V 平台(2023-12-22)
MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
据介绍，意法半导体的碳化硅具有更高的开关频率、击穿电压和热阻，可以显著提高功率晶体管的性能和能效，这些......
意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议，助力 800V 平台(2023-12-22 16:03)
MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
据介绍，意法半导体的碳化硅具有更高的开关频率、击穿电压和热阻，可以显著提高功率晶体管的性能和能效，这些特性在纯电车的高电压环境中非常重要。理想......
纳微发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列(2024-06-12)
的开关频率高达600 kHz，硬开关品质因数比竞争对手高出40%。纳微正在不断拓展碳化硅......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？;安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 () M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅，除了......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器;在中，效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量，并需要通过昂贵且耗能的冷却系统来去除。软开关技术与碳化硅（SiC......
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET(2021-03-22)
有内部保护功能，包括可防止低压部分和高压驱动通道交叉导通的硬件互锁和热关断。低高压电路之间的传播延迟精确匹配，防止周期失真，最大程度地减少电能损耗。总传播延迟小于75ns，精确的脉宽调制(PWM)控制支持高开关频率......
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET(2021-03-22)
有内部保护功能，包括可防止低压部分和高压驱动通道交叉导通的硬件互锁和热关断。低高压电路之间的传播延迟精确匹配，防止周期失真，最大程度地减少电能损耗。总传播延迟小于75ns，精确的脉宽调制(PWM)控制支持高开关频率......
英飞凌：布局碳化硅是一场超级马拉松(2020-04-28)
电子迁移率的数值相差不大。从这5个物理特性的差距来看，碳化硅可以运行更高的电压，达到更高的效率，让功率器件轻薄短小的同时，也具备更高的开关频率，从而有效降低整个研发成本。此外，对于......
意法半导体碳化硅助力理想汽车加速进军高压纯电动车市场(2023-12-22)
MOSFET。
意法半导体的碳化硅具有更高的开关频率、击穿电压和热阻，可以显著提高功率晶体管的性能和能效，这些特性在纯电车的高电压环境中非常重要。理想汽车即将推出的800V高压......
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;潍坊六方碳化硅陶瓷有限公司;;