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研发客服11月17日，为期三天的慕尼黑华南电子展成功收官。蓉矽半导体作为参展商，携NovuSiC️ 1200V碳化硅二极管和NovuSiC️ 1200V MOSFET系列产品惊艳亮相，现场演示电机驱动，吸引了众多硬科技从业者和产业界人士驻足观看、询问交流。
11月17日，为期三天的慕尼黑华南电子展成功收官。蓉矽半导体作为参展商，携NovuSiC️ 1200V碳化硅二极管和NovuSiC️ 1200V MOSFET系列产品惊艳亮相，现场演示电机驱动，吸引了众多硬科技从业者和产业界人士驻足观看、询问交流。
本次展会展出产品在新能源汽车、直流充电桩、光伏系统等高增量市场表现亮眼。
在20kW直流充电模块中，与硅基器件相比，蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%；降低总损耗50%以上；提升效率约2%，峰值可达97%以上。
在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。
在500W便携式储能电源应用中，相较FRD，蓉矽半导体理想硅基二极管MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温；在损耗不变的前提下，可提升50%的开关频率，缩小磁性器件体积约30%。
2022年度慕尼黑华南电子展虽已落下帷幕
但蓉矽半导体的前进脚步从未停止
感谢所有到场客户的厚爱与支持
也欢迎新老朋友来电咨询
我们将竭诚为您提供先进解决方案
本次展会展出产品在新能源汽车、直流充电桩、光伏系统等高增量市场表现亮眼。
在20kW直流充电模块中，与硅基器件相比，蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%；降低总损耗50%以上；提升效率约2%，峰值可达97%以上。
在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。
在500W便携式储能电源应用中，相较FRD，蓉矽半导体理想硅基二极管MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温；在损耗不变的前提下，可提升50%的开关频率，缩小磁性器件体积约30%。
2022年度慕尼黑华南电子展虽已落下帷幕
但蓉矽半导体的前进脚步从未停止
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