【导读】顾邦半导体推出的600V 20mΩ超结MOSFET GBS60020，在DS开关振荡和EMI性能优化的基础上，实现了超快开关速度和体二极管特性，专为高频大功率应用场景设计，适合硬开关（如PFC）和软开关（如LLC、移相全桥）等高效电源拓扑结构。

顾邦半导体推出的600V 20mΩ超结MOSFET GBS60020，在DS开关振荡和EMI性能优化的基础上，实现了超快开关速度和体二极管特性，专为高频大功率应用场景设计，适合硬开关（如PFC）和软开关（如LLC、移相全桥）等高效电源拓扑结构。

产品特性

• 技术类型：超结MOSFET

• 电气特性：600V耐压、超低内阻18mΩ（典型值）

• 开关性能：超低FOM 4068mΩ*nC

• 快速体二极管：Trr=190ns, Qrr=1.72uC

• 可靠性：100%雪崩击穿测试

• 封装形式：TO247，低热阻设计

技术亮点

01 超低RDS_ON

在25℃、10V驱动电压、57A电流条件下，GBS60020的内阻为18mΩ，最大内阻仅为20mΩ，远优于国内外同类产品（18mΩ内阻的竞品最大值通常在22mΩ以上），并且具备优异的温度稳定性。

02 超快恢复体二极管

体二极管反向恢复速度极快（Trr=190ns），恢复电荷低至1.72uC，同时具备较低的峰值反向恢复电流（Irrm=18A），减少系统损耗，适合高效能电源系统。

03 卓越的开关速度    

在400V母线电压、57A漏极电流条件下，GBS60020开关时间迅速：

开通时间Tr=15ns，关断时间Tf=11.4ns，满足大功率系统对快速开关响应的需求。

目标应用

GBS60020非常适合以下高性能应用场景：

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