资讯
半导体设备厂商晶升装备成功登陆科创板(2023-04-24)
、半导体硅NPS晶体单晶炉研发：针对14-28nm工艺存储用抛光片单晶炉进行研发，开发适合NPS单晶生长的热场及工艺，升级控制硬件及策略，提高NPS晶体产出良率。
2、6-8英寸碳化硅单晶......
晶盛机电首台12英寸硬轴直拉炉成功生长出硅单晶(2021-07-22)
装备研发以及发展发展LED衬底材料，相继开发出全自动单晶生长炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉、碳化硅炉等晶体生长设备，同时开发销售晶体加工、光伏电池和组件等装备。
根据7月19日晶......
238层4D NAND出货；中微刻蚀机运往台积电海外工厂(2022-08-08)
室内部热场的改变。针对挑战，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅......
第三代半导体13项标准获得新进展！(2024-07-29)
用等静压石墨标准征求意见
由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定辉光放电质谱法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》已完......
国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备成功试产(2020-12-25)
国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备成功试产;12月23日，由西安理工大学和西安奕斯伟设备技术有限公司共同研制的国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备在西安实现一次试产成功。
据科......
产品供应华为/比亚迪等，河北一SiC晶片项目未来年产能达12万片(2022-04-27)
期为年产4英寸碳化硅晶片1.2万片，使用单晶生长炉54台。第二期年产分别为4-8英寸碳化硅晶片10.8万片，增设相应生产能力的单晶生长炉及其配套的切、磨、抛和检测设备。
未来五年，天达晶阳将以8亿元......
实现小批量生产，电科材料成功研制出8英寸碳化硅晶体(2022-03-04)
有覆盖SiC粉料制备、单晶生长和晶片加工等的整套生产线，其中单晶生长设备有600台。
核心技术方面，烁科晶体掌握了SiC生产装备制造、高纯SiC粉料制备工艺、N型SiC单晶衬底和高纯半绝缘SiC单晶......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？(2023-10-27)
，计划增购单晶生长炉600台，满产后达到年产10万片生产能力。
同光科技董事长郑清超当时表示，下一步，公司正谋划建设2000台碳化硅晶体生长炉生长基地，以及年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，拟总......
2023山西重点工程项目名单确定：中国电科、海纳半导体等在列(2023-04-28)
研究中心创建项目（前期），中北高新区半导体硅材料产业基地项目，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地二期项目，晋城经开区星心半导体封装项目，晋城智芯半导体封装封测项目，海纳半导体硅单晶生产基地项目，华芯......
与三安光电/上海新昇等合作，又一家半导体设备企业闯关科创板(2022-04-29)
据等领域的持续推动下，全球半导体硅片市场规模自2016年进入新一轮增长周期，最近五年复合增长率为11.68%。而作为半导体硅片的关键制造设备，晶体生长设备也随之迎来新的发展机遇。
近年来，通过积极布局以碳化硅......
天科合达完成Pre-IPO轮融资(2023-02-14)
衬底龙头企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。
技术方面，作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一，天科合达在国内率先成功研制出6英寸SiC衬底......
年产60万片！乾晶半导体碳化硅衬底项目中试线主厂房结顶(2023-10-16)
期地块举行。
据此前消息，该项目总占地面积22亩，总建筑面积约19000平方米，第一期总投资约3亿元，计划建成碳化硅6/8英寸单晶生长和衬底加工的中试基地。第一期项目将在2023年底具备设备......
10万片SiC项目投产，60万片项目在路上，同光晶体拟科创板上市(2021-09-06)
同光晶体有限公司与涞源县人民政府签署协议，政企共建年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，总投资约9.5亿元、规划占地112.9亩。
该项目采用国际先进的碳化硅单晶衬底生产技术，布局单晶生长炉600台，购置......
国内首次报道！50mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功(2022-08-01)
国内首次报道！50mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功;近日，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长......
2022年各省市重点/重大半导体项目盘点！（附项目名单汇总）(2022-05-05)
、加工、清洗和检测的厂房1座并建立配套的动力站、科研楼等配套。
2020年8月，天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工，当时项目总投资约9.5亿元，新建一条400台/套碳化硅单晶生长......
浙江大学杭州国际科创中心50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功(2022-07-29)
浙江大学杭州国际科创中心50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功;近日，据浙大杭州科创中心消息，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室成功生长......
碳化硅技术再突破 烁科晶体、晶盛机电、露笑科技迎新进展(2022-03-04)
生产和研发的领军企业。公司通过自主创新和自主研发全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线，并在......
5.2亿！天科合达加码碳化硅设备(2024-09-18)
科合达本次摘牌的地块位于北方芯谷新建区，计划建设碳化硅单晶生长炉、高温CVD真空炉等装备研发制造生产基地和半导体设备高温零部件碳化物涂层等终端产品生产基地。项目预计明年初开工建设，年底前投入使用。
作为全球碳化硅......
第三代半导体功率器件在汽车行业的应用(2023-09-19)
衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法......
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！(2023-03-08)
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！;今日，据台媒报道，台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6英寸导电型4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长......
南砂晶圆旗下中晶芯源8英寸碳化硅衬底生产基地投产(2024-06-25)
总部设在广州市南沙区，现有广州、中山、济南三大生产基地，形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和村底制备等完整的生产线。
南砂晶圆的产品主要以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主。南砂......
晶盛机电：拟57亿定增加码碳化硅、半导体设备(2021-10-26)
生产商。在硅材料领域，公司开发出了应用于光伏和集成电路领域两大产业的系列关键设备，包括全自动晶体生长设备（直拉单晶生长炉、区熔单晶炉）、晶体加工设备（单晶硅滚磨机、截断机、开方机、金刚线切片机等）、晶片加工设备......
2025年，全球SiC/GaN功率半导体市场将增至52.9亿美元(2022-05-06)
硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。其中，碳化硅单晶炉主要应用于碳化硅单晶衬底制造，蓝宝石单晶炉主要应用于LED衬底及消费电子领域材料制造。2021年，碳化硅单晶......
山西新政：走出一条具有山西特色的半导体及集成电路产业发展之路(2021-06-22)
光电产业园、晋城光机电产业园等半导体产业集聚区，培育了一批骨干企业，在砷化镓、碳化硅等化合物半导体材料，碳化硅单晶生长炉等半导体装备，短波红外探测器、深紫外LED、LED照明......
碳化硅设备厂晶驰机电完成数千万首轮融资(2024-10-09)
（LPCVD法）、金刚石单晶生长及外延设备（MPCVD法）、氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。其在第三代、第四......
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶(2024-05-04)
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶;近日，浙大杭州科创中心官微发文称，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）首次生长......
晶驰机电半导体材料装备研发生产项目投产(2024-11-27)
半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广。该公司分别与浙江大学、杭州电子科技大学共建联合实验室。
杭州晶驰机电科技有限公司主要产品有六英寸和八英寸碳化硅外延设备（LPCVD法）、金刚石单晶生长及外延设备（MPCVD......
科友半导体重大科技专项中期验收通过验收(2023-12-13)
阶段验收评审会。
专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸碳化硅单晶生长的新技术和新工艺，建立了碳化硅衬底生产的工艺流程，制定了相关工艺流程的作业指导书，一致......
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定(2024-06-12)
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定;6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功......
总投资5.46亿元，山西海纳半导体硅单晶生产基地项目开工(2022-06-24)
产基地项目在山西综改示范区举行开工奠基仪式。
据悉，山西海纳硅单晶生产基地项目，总投资5.46亿元，占地面积约133.85亩，将运用海纳自身的技术，引入120套单晶生产设备，建设年产750吨6英寸半导体硅单晶生产基地，并开展8-12......
科友半导体6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破(2023-05-15)
产业化制备系列技术，并实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货，向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料......
科友半导体拿下超2亿元欧洲SiC长订单(2024-03-21)
产业化制备系列技术，并实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货，向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料及技术服务等全产业链的解决方案。
2023年9月，科友......
规划750吨/年，山西海纳半导体单晶生产基地项目投产(2024-10-02)
着公司正式扩大了产能规模。
据了解，2022年海纳单晶基地正式落户山西转型综改示范区，主营中大尺寸半导体硅单晶，总投资约5.46亿元，占地面积约130亩，项目引进了国际先进的生产设备和技术，预计......
企业密集发力资本市场，6家半导体厂商开启IPO上市计划(2022-03-25)
月，同光晶体600台单晶生长炉，年产40万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目顺利落地涞源县人民政府，2021年9月，该项目正式投产。
据该公司董事长郑清超此前介绍，下一步，同光正谋划建设2000......
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶(2024-05-05)
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶;近日，杭州科创中心官微发文称，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）首次生长出厚度达100......
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm(2024-05-31)
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm;5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶......
科友半导体第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工(2023-03-27)
科友半导体已累计投入研发经费近2000万元，获得授权专利达133项。
科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产......
国内碳化硅市场东风至，变局来！(2023-07-06)
产项目。据其官方消息，第三代半导体碳化硅衬底产业化基地项目位于大兴区，总投资约9.5亿元，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，建成后可年产碳化硅衬底12......
SiC融资火热！今年以来超20家获融资，金额超23亿(2023-03-20)
炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。
天域半导体
天域半导体日前获得近12亿元融资，投资方包括中国比利时基金、广东粤科投、南昌产业投资集团、嘉元科技、招商资本、乾创......
SiC融资火热！今年以来超20家获融资，金额超23亿(2023-03-20)
铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等三支基金参与本轮融资，其他投资人包括国内多家知名投资机构。
天科合达是我国碳化硅衬底龙头企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶......
长城汽车投资同光股份 进军第三代半导体核心产业(2021-12-30)
股份的第一个扩产项目涞源工厂已投入运行。未来，同光股份还规划建设2000台碳化硅晶体生长炉生长基地和加工基地，碳化硅单晶衬底年产能将可达60万片。
长城汽车表示，此次投资同光股份，深入......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！;氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。
9月12日，据杭......
科友半导体产出直径超过8英寸碳化硅单晶(2022-12-29)
科友半导体产出直径超过8英寸碳化硅单晶;12月29日，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（以下简称“科友半导体”）宣布，公司通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8吋的碳化硅单晶，晶体......
超越车规！国产SiC衬底致命缺陷降80%(2023-11-22)
单晶技术研发突破，开发出了直径为202mm的8寸SiC单晶，各项参数指标良好。该公司表示，接下来，他们将通过碳化硅生长工艺及生长设备研制，通过优化温场、炉体参数，提高良品率等技术手段，为客......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
化镓团队从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
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国内......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
化镓团队从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
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国内......
第三代半导体SiC动态涌现！(2024-05-16)
方米，包括标准化厂房、危化库、固体库等设施。计划购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套），新建碳化硅晶片衬底制备生产线，达产后可实现年产碳化硅衬底16万片。此次二期扩产项目投产后，天科合达徐州基地碳化硅......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
半导体材料及其禁带宽度
Source：中国科普博览
氧化镓作为第四代材料代表，具备禁带宽度大（4.8 eV）、临界击穿场强高（8MV/cm）、导通特性好（几乎是碳化硅的10倍）、材料生长成本低等优势，业界......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶......
南砂晶圆：补齐广东碳化硅晶片产业链衬底关键一环(2022-12-19)
材料迎来商用加速期的当下，这里就覆盖了上游的碳化硅单晶及衬底加工，中游的芯片设计、制造、封测，下游的应用等产业链关键环节。本文引用地址：作为上游企业，广州半导体技术有限公司（下称“”）是目......
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二极管生产技术，结合先进的生产设备，逐步形成具有月产碳化硅1000片能力国家级高新技术企业。并预计在2015年成为具有月产10000片能力的国际知名品牌。现有600V ，1200V ,1
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