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国内首次报道！50mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功

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来源: 全球半导体观察

近日，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出了厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶（下图），这在国内尚属首次报道。


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