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尔森在衬底和材料领域有着深厚的积淀。双方将携手开发具有极低电阻率的多晶碳化硅衬底，借助 Soitec 的 SmartSiC™ 技术，协力优化碳化硅电力电子元件。美尔森位于法国热讷维耶（Gennevilliers）的团......
 900 3D热离子注入系统可向200毫米和150毫米碳化硅晶圆注入和扩散离子， 产生的电阻率仅为室温下注入的四十分之一 应用材料公司的ICAPS（物联网、通信、汽车、功率和传感器）事业......
首次展示了其衬底的“典型”值，如下图所示。据此，典型的多晶碳化硅电阻率为 2.5 mOhm-cm，具有键合界面在电阻率上增加 10 µOhm-cm2。他们还表示，高掺杂几乎消除了接触电阻，将其......
展进程，实现高端特高压功率器件国产化。 据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年公......
加工而得的衬底片的结果显示，该超厚碳化硅单晶具有单一的4H晶型（图2a）、结晶质量良好（图2b），电阻率平均值不超过∼ 30 mΩ·cm。 source：先进......
 (Bernin 4) 的建设，用于生产 150mm 和 200mm 的 SmartSiC™ 晶圆，贝宁 4 号预计将于 2023 年下半年投入运营。 Soitec 独特的 SmartSiC™ 技术能够将极薄的高质量碳化硅层键合到电阻率极低的多晶碳化硅......
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶;近日，杭州科创中心官微发文称，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）首次生长出厚度达100......
, 031003, 2023）。 多晶硅层用作电荷俘获层是RF-SOI中提高器件射频性能的关键技术，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅电阻率等参数与电荷俘获性能有密切的关系；此外，由于多晶硅/硅的复合结构，使得......
, 031003, 2023）。 多晶硅层用作电荷俘获层是RF-SOI中提高器件射频性能的关键技术，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅电阻率等参数与电荷俘获性能有密切的关系；此外，由于多晶硅/硅的......
全球加速碳化硅产能扩充;受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主......
车载充电器实现更快充电和更远的续航里程。 B1M160120HC主要用于用于电动汽车的车载充电和高压DCDC转换，可提高能效并缩短电动汽车的充电时间，器件专用于大功率车载充电器，其更低的导通电阻使得碳化硅电......
 B1M160120HC助力车载充电器实现更快充电和更远的续航里程。 B1M160120HC主要用于用于电动汽车的车载充电和高压DCDC转换，可提高能效并缩短电动汽车的充电时间，器件专用于大功率车载充电器，其更低的导通电阻使得碳化硅电......
相关发行费用后的募集资金净额将用于投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目。 预案显示，本次项目主要研发方向包括SiC生长热场仿真、SiC单晶应力控制、SiC单晶微缺陷控制、导电型SiC电阻率控制等。天岳先进本次募资的3......
立式感应合成炉、碳化硅电阻炉等。 连城数控表示，公司把握第三代半导体国产化机遇，深耕半导体设备领域，围绕硅、碳化硅、蓝宝石等半导体材料开发出一系列关键设备，部分产品已经取得样机并得到客户验证。此外......
级技术顾问。 此外，Soitec同日宣布，公司已与电子电力和先进材料的供应商Mersen建立战略合作关系，为电动汽车市场开发新型多晶碳化硅衬底系列。 据了解，由Soitec和Mersen联合开发的极低电阻率聚碳化硅......
款车型，STERRA ES采用了800V碳化硅电驱。 埃安在7月23日发布了第二代AION V埃安霸王龙车型，搭载了基本半导体750V碳化硅功率模块。 近年来，基本半导体与广汽埃安围绕车规级碳化硅......
供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而大幅降低生产的总能耗。 ......
体具备优良的均匀性和低缺陷密度，直径达到200毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求。 据悉，该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉，采用上进料方式和自动化控制，通过......
来源：罗姆 碳化硅具有特殊的导电性能，可用于生产开关速度快、损耗低的电力电子芯片。同时，碳化硅芯片具有更强的耐热性，因此可以提高电子器件的功率密度。得益于这些特点，碳化硅电子元器件的转换损耗比传统硅（Si......
衬底已经实现“逆袭”——广泛应用于比亚迪、小米、保时捷等车型，已有3家碳化硅衬底企业跻身全球前5席位。碳化硅电驱不仅是800V车型的刚需，广汽埃安这次在400V车型中也导入了碳化硅电驱。吉利的国产SiC......
幸的是，碳化硅材料形成的SiC-SiO2界面，缺陷密度要比Si-SiO2高得多。这些缺陷在电子流过会捕获电子，电子迁移率下降，从而沟道电阻率上升。 平面型器件怎么解决这个问题呢？再看一下沟道电阻......
区中，流过时会产生JFET效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。 平面型与沟槽型碳化硅MOSFET技术对比 来源：头部大厂结构图 沟槽型结构是将栅极埋入基体中，形成垂直沟道，特点......
MOSFET产品”和“面向智能电网和高铁应用的高压大功率碳化硅电力电子器件”两大产品方向，从碳化硅电力电子的基础理论、材料生长、器件制备、系统应用等四个方面，联合......
产品的解决方案，大幅提高整车性能，优化整车架构，使新能源汽车可以具有更低的成本、更长的续航里程、更高的功率密度。相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻......
的 SmartCut™ 技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而......
的 SmartCut™ 技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而......
的 SmartCut™ 技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而......
曾经在多个场合告诫我们，一个人或者一个企业，要想明白三件事：你有什么？你想要什么？你愿意放弃什么？想明白这三件事再做事情，你就会非常踏实。 有什么？有800伏高压平台、碳化硅电驱动系统、4C充电电池，在480千瓦......
芯片在一些极端环境中的应用具备了无可比拟的优势。 碳化硅芯片在高温环境下还具有较低的功耗和高效的工作性能。高温下电子迁移的问题导致传统芯片的功耗增加，性能下降，并且可能导致芯片的快速老化。而碳化硅芯片不仅具备较低的电阻率......
达到国际先进水平，目前器件产品累计出货超过2千万颗。 近日，基本半导体表示，公司获得合肥巨一动力系统有限公司的碳化硅电驱动项目开发定点。该项目将采用基本半导体汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块......
明确了江西省2022年对外招商引资的六个重要方向，其中，战略性新兴产业项目涉及碳化硅、传感器、封装等半导体行业多个细分领域。 以下为部分项目介绍： 6英寸半导体碳化硅电力电子器件项目，总投资20......
功率半导体的自主控制，填补国内产业空白。 据悉，泰科天润6英寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目于2019年签约落户长沙浏阳。该项目总投资15亿元，分两期建设，将主要生产碳化硅芯片、肖特基二极管、碳化硅MOSFET......
市场需求，也能够稳定供货。 另据了解，近两年罗姆与诸多企业进行相关技术合作，这也加快了相关进程。 比如在2020年，罗姆与纬湃科技合作开发碳化硅电源解决方案，同年......
意创作为广州开发区产业基金投资集团有限公司和大湾区集成电路与系统研究院联合发起的集成电路领域早期基金广东广开芯泉集成电路基金所投资的首家企业，于2021年3月成立，同年11月完成数千万元天使轮融资。公司成功研发国内首台ASIL-D最高功能安全等级产品认证的碳化硅电......
吉时利四探针法测试系统实现材料电阻率的测量;电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况，需要测试材料的电阻率。 四探针法是目前测试半导体材料电阻率的常用方法，因为......
玻璃微珠、石墨、银的硅化物、碳化硅、碳化钨、碳化镍、碳化钯等，部分导电粒子材料的电阻率如表1所示。 表1 部分导电粒子材料的电阻率......
测试和可靠性测试等工作环节，为我国新能源产业提供整套SiC功率器件及驱动芯片解决方案，同时打造我国独立自主的碳化硅电力电子产业链关键环节。 封面图片来源：拍信网......
车的主要技术指标和整体性能有着重要影响。目前，众多车企已将碳化硅电机控制器列入新项目开发计划。作为国内为数不多的掌握碳化硅功率模块核心技术的企业，基本半导体正在与多家国内外车企及电驱动企业开展深入合作。 自主研发，锤炼核心技术 测试车辆搭载的基本半导体车规级碳化硅......
12合1的电驱全系搭载1200V碳化硅电控，并且升级了全新一代SiC功率模块。 谈及该电驱之所以采用碳化硅模块，比亚迪认为，碳化硅是电动汽车的“最强芯脏”，而且与高转速电机是“完美搭档”。 据介......
统开发人员提供多层级控制保护，以实现安全、可靠的运输并满足严格的业界要求。 对碳化硅电源转换设备设计人员来说，Microchip Agile Switch 2ASC-12A2HP 1200V双通......
%。- 研发方面，将在8月底正式发布自研碳化硅（SiC MOSFET）晶片，电阻率低至13毫欧，达到了国际领先水准。 赛晶科技集团有限公司（「赛晶科技」或「公司」，连同其附属公司统称「集团」；股份......
代半导体市场持续升温。 3亿！加码研发碳化硅电驱 臻驱科技完成3亿元的B2轮融资，此轮融资由中金资本领投，容亿投资、招商局资本、浦东科创集团旗下海望资本等新股东跟投。此外，君联资本、福睿基金、联想......
Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士 01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定，并随尺寸缩小而显著提升。通常，铜线的制作流程是用沟槽刻蚀工艺在低介电二氧化硅......
）和英飞凌的典型平面结构和沟槽式设计。 沟槽式金氧半场效晶体管包括沟槽边缘形成并已被蚀刻在碳化硅表面的栅极。沟槽栅极用于制造低电阻器件，准确地说，是低比导通电阻（Ronsp，电阻x面积）。如能......
金氧半场效晶体管设计示意图，图中显示了罗姆（第3代）和英飞凌的典型平面结构和沟槽式设计。 沟槽式金氧半场效晶体管包括沟槽边缘形成并已被蚀刻在碳化硅表面的栅极。沟槽栅极用于制造低电阻器件，准确......
进一步改进原有的双沟槽结构，在不影响短路耐受时间的情况下，使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示，“此外，显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳化硅金氧半场效晶体管降低50%成为......
光退火设备，广泛应用于硅基IGBT离子掺杂激活和碳化硅背面电极镀膜退火等多个工艺。其微秒级的控制系统、晶圆厚度测量功能以及出色的光学整形装置，为晶圆的退火工艺提供了高效的解决方案。 此前报道，瑶光......
全产业链都在春节前加速突破。在过去一年里，得益于新能源汽车市场的加速扩张，碳化硅上车的节奏明显加快，搭载碳化硅电机驱动模块，或是碳化硅OBC的新车型陆续上市，比如蔚来ET5/7、SMART精灵、小鹏G9、比亚迪海豹等车型在电机驱动部分采用了碳化硅......
碳化硅厂商，忙得不亦乐乎;业界释出碳化硅已然迈入高速增长期。从市场规模上看，据TrendForce集邦咨询研究指出，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC Power......
含全球最大8英寸晶圆厂，2个碳化硅项目披露新进展;在三安半导体刚刚举行芯片二厂M6B设备入场仪式，三安碳化硅项目二期即将通线之际，又有两个碳化硅相关大项目披露了最新进展，分别是英飞凌8英寸碳化硅......

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