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基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片; 【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点,越来......
上。 东芝纯碳化硅器件正逐步量产 在新能源汽车上的碳化硅应用,东芝也有自己的观点。屈兴国表示,根据电池电压的不同,主要可分为300V-400V以及800V这两大类。其中,普通的......
平台车型普遍以SiC(碳化硅) MOS代替硅基 IGBT,“要知道,SiC元件要比普通的硅基IGBT贵上至少3倍。” 他打趣说道,即便800V高压平台能让整车工作电流减半,有利......
MOSFET 的输出特性更像可变电阻,没有饱和区,这意味着普通的去饱和检测原理行不通。作为解决方案之一,通常使用电流传感器来检测过流,或使用温度传感器来检测异常温度。 NCP51561 碳化硅(SiC)隔离......
化层的形成。由于碳化硅材料中同时含有Si和C原子,因此需要一种非常特殊的栅介质生长方法。SiC-MOSFET采用沟槽结构,以最大限度地发挥SiC的特性。 3、碳化硅MOS的优点 硅IGBT通常......
碳化硅IGBT并行不悖,新能源汽车功率器件怎么配?; 【导读】近期,特斯拉宣布将大砍碳化硅用量75%的消息冲上了热搜。这一消息,也让业内对于碳化硅究竟能否替代IGBT在新......
能直接影响到新能源汽车的能效、续航里程以及可靠性。目前,硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和碳化硅(SiC)功率器件是两种主流的解决方案,它们在新能源汽车中有着各自独特的应用特点。 一、硅基IGBT在新......
凌不断改进芯片结构,已将IGBT技术迭代至第七代,IGBT产品向小型化、高功率、高可靠性发展。 随着IGBT供需持续紧张,有关宽禁带半导体材料碳化硅替代硅基IGBT的话......
总投资超200亿,IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产;近年来,以IGBT为主的功率半导体和以碳化硅、氮化镓为主第三代半导体均受到市场的高度关注。 其中,IGBT,被视为电力领域的“CPU......
电路和控制电路等多个功能模块。 IPM模块通常包括一个功率MOSFET、IGBT(绝缘栅双极晶体管)或SiC(碳化硅)等开关器件,以及一个驱动电路,用于控制这些开关器件的导通和截止。此外,IPM模块还通常集成有电源电路、电流......
的交期一致,最长在54周。 IGBT的短缺预计会持续到2024年,导致IGBT缺货的原因可以简单归为三点,其一是产能受限,扩增缓慢;其二是,车用需求旺盛,特斯拉砍75%碳化硅用量大幅提升IGBT需求......
MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比。使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果。最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
元件作为各家电动汽车性能致胜的一大依赖技术,整车厂们争相绑定未来几年的SiC供应,IGBT供应商也不例外。 TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄指出,碳化硅拥有优越的电气特性,传统的硅材料无法比拟。碳化硅......
元器件 ,例如高效率的碳化硅MOSFET “SCT3xxxKx(1200V/17-95A)”或标准IGBT “RGSxxTSX2”。在20kW以上的应用中,可以选择全碳化硅......
凌目前是市场上不多的可以提供全面功率产品组合的企业,涵盖了几乎所有功率技术——硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),功率等级从微安到兆瓦应有尽有,包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化......
该业务占到东芝总营收的约1/4多。从东芝官网来看,东芝的半导体产品包括有碳化硅功率器件、MOSFET、IGBT/IEGT、二极管、传感器、微控制器、隔离器、RF器件、电源管理IC等。从地域来看,如文首所述,东芝......
迪半导体在新能源汽车主驱上累计搭载功率模块约106万套,占比达32.0%,超过了英飞凌成为第一。 除了IGBT外,近来比亚迪半导体在碳化硅方面也取得重大技术突破,比亚迪汉、唐四驱等旗舰车型上已大批使用碳化硅模块,未来有望在SIC模块......
10分钟狂充80%电量!东风碳化硅功率模块明年量产装车;近日消息,从东风汽车官方获悉,东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成,将于2023年搭载东风自主新能源乘用车,实现量产。 IGBT行业......
及模块技术的企业。目前,中车时代电气在IGBT器件领域建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸SiC(碳化硅)的产业化基地。据《湖南日报》报道,中车时代电气拥有目前国际SiC(碳化硅)芯片......
;150kV/μs。 据介绍,博通的第二代的ACFJ-3161和ACFJ-3262 (2-CH)针对碳化硅器件、氮化镓器件做了一些适配和测试,为了方便开发者快速上手,陈红雷公开了一批博通的......
求急剧增加。 瑞萨电子正在迅速采取行动,通过扩大其内部制造能力来满足功率半导体不断增长的需求。 该公司最近宣布在甲府工厂扩产 IGBT,并在高崎工厂建立碳化硅生产线。 与传统的硅功率半导体相比,碳化硅......
性:混合模块可以根据终端应用的具体需求,灵活选择不同的技术组合,如硅基IGBT碳化硅二极管或碳化硅MOS。这种灵活性使得模块能够更好地适应不同应用场景,实现性能和成本的最佳平衡。性能优化:通过......
每一点都需要遵循。例如,与 IGBT 不同, 碳化硅 MOSFET 的输出特性更像可变电阻,没有饱和区,这意味着普通的去饱和检测原理行不通。作为解决方案之一,通常使用电流传感器来检测过流,或使......
规格和封装相似的栅极驱动器有利于快速设计。 当然,并非每一点都需要遵循。例如,与 IGBT 不同, 碳化硅 MOSFET 的输出特性更像可变电阻,没有饱和区,这意味着普通的去饱和检测原理行不通。作为解决方案之一,通常......
推进车规级MCU芯片在汉落地,预计2024年实现量产;与中芯国际合作,已完成设计首款MCU芯片。 作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体,碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐......
2035年功率半导体市场规模超六千亿,“一大两小”最有前景; 【导读】2022年4月10日,富士经济公布了SiC(碳化硅)和Si(硅)功率半导体等下一代功率半导体的全球市场调查结果。据该......
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用!;碳化硅器件(SiC)在新能源汽车领域对传统硅基(Si-)IGBT的替代正在加速。自2018年特斯拉在Model3中首次将IGBT模块替换成SiC模块后,就有......
%。 特拉斯是全球率先采用碳化硅逆变器的车企,其Model 3采用了意法半导体推出的650V SiC MOSFET逆变器,相较Model X等车型上采用的IGBT能带来5%~8%的逆变器效率提升,对电......
的使用量,而不会减少。”黄河科技学院客座教授张翔向记者表示,碳化硅具有耐高温、耐高压的特性,非常适用于高压场景,而且在主逆变器中,碳化硅模块和IGBT模块相比,能够提高约5%的系统效率。 有碳化硅......
亚洲报道,东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息,东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节,布局完成后将形成:外延设备+外延片+器件......
对人员的增加。 此外,今年2月下旬,日经亚洲报道,东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最......
这家IGBT龙头企业净利润大涨120.54%,未来将发力碳化硅芯片研发与产业化;近日,斯达半导公布2021年度业绩快报。 2021年斯达半导营业收入为17.07亿元,同比增长77.22%;净利......
MOSFET相比Si-IGBT具有哪些优势呢? - 碳化硅MOSFET相比硅基IGBT功率转换效率更高,电动汽车续航距离可延长5- 10%,即在同样续航里程的情况下可削减电池容量,降低......
可以延长续航;或者以更小的电池,可以达到相同的续航里程,进而降低系统成本。 在“2023碳化硅功率器件应用及测试技术大会”上,毫厘机电拿出了一组对比数据。在峰值功率上,硅基IGBT模块可以达到560KW......
集成还提供IGBT晶圆、碳化硅晶圆。除了功率器件产品的展示之外,芯联集成还带来了其IGBT和8英寸碳化硅晶圆样品。 芯联集成“明星产品”(8英寸碳化硅) 据了解,芯联集成的8英寸碳化硅晶圆工程批,已于今年4月20......
SiC上车高光时刻,牵引逆变器成主战场;以碳化硅(SiC)为核心的功率半导体,正以其优越的性能,在汽车电气化浪潮中迎来规模化发展。 2018年,特斯拉Model 3主驱逆变器将SiC MOSFET......
功率充电列为新技术模式推进试点应用。另外,2023预计有国内外车企多款800V高压充电新能源车型亮相。伴随着碳化硅等新技术的进步,以800V充电为代表的高压大功率充电技术有望带动产业链“登车”,推动......
帮助电动汽车实现更高效率,增加续航。 作为行业先锋,特斯拉率先在Model3中引入碳化硅器件,让这一优势得以具体呈现。据悉,用碳化硅MOSFET取代硅基IGBT,特斯......
控丹佛斯还推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块。 而在SiC领域,去年3月,在两家企业合并之前,赛米控就与某德国领先的汽车制造商签订了一份十多亿欧元(超百亿人民币)的车规级碳化硅......
发区举办。 会上,芯华睿半导体科技有限公司(以下简称“芯华睿”)车规级碳化硅及硅基功率模块(IGBT/SiC)举行量产仪式,蔚来、积塔、英搏尔、富乐华等前后链对接配套的企业代表现场牵手合作。 芯华......
台湾的茂矽也计划转向化合物半导体生产。 消息人士称,IGBT的短缺预计将持续到2024年,但其市场已经受到氮化镓和碳化硅的挤压。消息人士补充说,由于成本竞争力,他们仍在寻求投资。该消息人士称,尽管很少有6英寸、8英寸......
了系统效率和全球节能。事实上,有估计显示,IGBT在过去25年中帮助避免了75万亿磅的二氧化碳排放。 正如20世纪80年代革命性的IGBT技术,如今的宽频半导体碳化硅(SiC)也越......
流系统。 展品结构:通过IGBT加上碳化硅的混合,一方面继承了IGBT强悍的电流承载能力以及可靠性,另一方面引入了碳化硅的宽禁带特性来达到更快斩断尾电流的目的,进而得到更快的操作频率以及更好的转换效率。 典型......
GaN和SiC在电动汽车中的应用;汽车设计的几乎每个组件,包括底盘、动力总成、信息娱乐、连接和驾驶辅助系统 (ADAS),都在汽车领域经历快速发展和创新。 设计人员正在寻求先进技术,从基于硅的解决方案转向使用碳化硅......
受阻尚需时日 考虑到与新能源汽车厂商的长期合作关系,IGBT提前两三年就被预订了。 在 3 月的投资者日,特斯拉将其电动汽车中的碳化硅用量削减 75%。业界普遍预计,硅基IGBT将成为高成本碳化硅......
器件的单位面积阻抗仅为硅器件的百分之一,而用碳化硅制成的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率器件可将导通阻抗降低到常规硅器件的十分之一. 由于碳化硅技术可以有效降低二极管的反向恢复电流,因此......
电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件......
线以第六代IGBT技术为基础,首批下线的IGBT模块将搭载于东风风神、岚图等自主品牌车型上。据悉,智新半导体建成的一期年产能为30万只,二期建成后,年产能将达120万只。与此同时,智新半导体碳化硅......
栅双极晶体管(IGBT)和氮化镓(GaN)器件。英飞凌在碳化硅技术领域拥有25年的发展经验,主要针对主逆变器及车载充电机等应用领域都有相关的产品。其碳化硅技术应用到主逆变器,在基于800伏的系统下,可实现7%以上......
产品。英飞凌在汽车功率产品方面很早就拥有全面的IGBT产品系列,目前已经从IGBT逐渐升级到更高性能、更高性价比的碳化硅碳化硅产品目前已经在全球各大车厂广泛应用。在中......

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