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碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？(2023-04-05)
碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？;
【导读】近期，特斯拉宣布将大砍碳化硅用量75%的消息冲上了热搜。这一消息，也让业内对于碳化硅究竟能否替代IGBT在新......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能直接影响到新能源汽车的能效、续航里程以及可靠性。目前，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和碳化硅（SiC）功率器件是两种主流的解决方案，它们在新能源汽车中有着各自独特的应用特点。
一、硅基IGBT在新......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片;
【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件(2024-04-29)
电路和控制电路等多个功能模块。
IPM模块通常包括一个功率MOSFET、IGBT（绝缘栅双极晶体管）或SiC（碳化硅）等开关器件，以及一个驱动电路，用于控制这些开关器件的导通和截止。此外，IPM模块还通常集成有电源电路、电流......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
总投资超200亿，IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产(2021-06-24)
总投资超200亿，IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产;近年来，以IGBT为主的功率半导体和以碳化硅、氮化镓为主第三代半导体均受到市场的高度关注。
其中，IGBT，被视为电力领域的“CPU......
瑞萨电子与 Wolfspeed 签署 10 年碳化硅晶圆供应协议(2023-07-06)
求急剧增加。 瑞萨电子正在迅速采取行动，通过扩大其内部制造能力来满足功率半导体不断增长的需求。 该公司最近宣布在甲府工厂扩产 IGBT，并在高崎工厂建立碳化硅生产线。
与传统的硅功率半导体相比，碳化硅......
缺货或持续至明年上半年，IGBT后，谁能成车用半导体厂商下一个风口？(2023-03-28)
凌不断改进芯片结构，已将IGBT技术迭代至第七代，IGBT产品向小型化、高功率、高可靠性发展。
随着IGBT供需持续紧张，有关宽禁带半导体材料碳化硅替代硅基IGBT的话......
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程(2021-09-15)
模块
值得注意的是，东芝也展出了其SiC混合模块，该混合模块是介于硅和碳化硅之间的产品，可称之为混合型的IGBT。该器件采用PMI封装方式，内部的IGBT（IEGT芯片）采用硅材料，但是二极管部分采用碳化硅......
国内首款基于自主碳化硅的汽车“芯”动力在株洲下线，各大车厂逐步加大碳化硅车规级使用(2021-12-27)
及模块技术的企业。目前，中车时代电气在IGBT器件领域建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸SiC（碳化硅）的产业化基地。据《湖南日报》报道，中车时代电气拥有目前国际SiC（碳化硅）芯片......
功率半导体巨头拓展中国“朋友圈” 国产碳化硅商业化按下“加速键”(2023-05-16)
的使用量，而不会减少。”黄河科技学院客座教授张翔向记者表示，碳化硅具有耐高温、耐高压的特性，非常适用于高压场景，而且在主逆变器中，碳化硅模块和IGBT模块相比，能够提高约5%的系统效率。
有碳化硅......
安森美新一代混合功率模块探秘：平衡性能与成本的创新(2024-11-08 10:10)
性：混合模块可以根据终端应用的具体需求，灵活选择不同的技术组合，如硅基IGBT和碳化硅二极管或碳化硅MOS。这种灵活性使得模块能够更好地适应不同应用场景，实现性能和成本的最佳平衡。性能优化：通过......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
化层的形成。由于碳化硅材料中同时含有Si和C原子，因此需要一种非常特殊的栅介质生长方法。SiC-MOSFET采用沟槽结构，以最大限度地发挥SiC的特性。
3、碳化硅MOS的优点
硅IGBT通常......
IGBT持续缺货的三个原因(2023-06-01)
的交期一致，最长在54周。
IGBT的短缺预计会持续到2024年，导致IGBT缺货的原因可以简单归为三点，其一是产能受限，扩增缓慢；其二是，车用需求旺盛，特斯拉砍75%碳化硅用量大幅提升IGBT需求......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
可以延长续航；或者以更小的电池，可以达到相同的续航里程，进而降低系统成本。
在“2023碳化硅功率器件应用及测试技术大会”上，毫厘机电拿出了一组对比数据。在峰值功率上，硅基IGBT模块可以达到560KW......
厂商谈IGBT大缺货：根本买不到！(2023-03-21)
元件作为各家电动汽车性能致胜的一大依赖技术，整车厂们争相绑定未来几年的SiC供应，IGBT供应商也不例外。
TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄指出，碳化硅拥有优越的电气特性，传统的硅材料无法比拟。碳化硅......
市场一片火热，第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？(2021-07-29)
%。
特拉斯是全球率先采用碳化硅逆变器的车企，其Model 3采用了意法半导体推出的650V SiC MOSFET逆变器，相较Model X等车型上采用的IGBT能带来5%～8%的逆变器效率提升，对电......
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用！(2023-09-21)
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用！;碳化硅器件（SiC）在新能源汽车领域对传统硅基（Si-）IGBT的替代正在加速。自2018年特斯拉在Model3中首次将IGBT模块替换成SiC模块后，就有......
东风汽车碳化硅功率模块将于2023年实现量产(2022-12-13)
推进车规级MCU芯片在汉落地，预计2024年实现量产；与中芯国际合作，已完成设计首款MCU芯片。
作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐......
10分钟狂充80%电量！东风碳化硅功率模块明年量产装车(2022-12-13)
10分钟狂充80%电量！东风碳化硅功率模块明年量产装车;近日消息，从东风汽车官方获悉，东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成，将于2023年搭载东风自主新能源乘用车，实现量产。
IGBT行业......
车规功率半导体的争夺战(2023-03-10)
帮助电动汽车实现更高效率，增加续航。
作为行业先锋，特斯拉率先在Model3中引入碳化硅器件，让这一优势得以具体呈现。据悉，用碳化硅MOSFET取代硅基IGBT，特斯......
车载光伏需求叠加 碳化硅商业化进程加速(2023-10-27)
车载光伏需求叠加 碳化硅商业化进程加速;
【导读】从2018年特斯拉Model 3首次采用碳化硅逆变器取代硅基IGBT以来，碳化硅的车载应用就在加速。与此同时，碳化硅......
芯联集成2024H1业绩稳健增长，PCIM Asia展现背后技术创新实力(2024-09-11)
集成还提供IGBT晶圆、碳化硅晶圆。除了功率器件产品的展示之外，芯联集成还带来了其IGBT和8英寸碳化硅晶圆样品。
芯联集成“明星产品”（8英寸碳化硅）
据了解，芯联集成的8英寸碳化硅晶圆工程批，已于今年4月20......
2035年功率半导体市场规模超六千亿，“一大两小”最有前景(2023-04-18)
2035年功率半导体市场规模超六千亿，“一大两小”最有前景;
【导读】2022年4月10日，富士经济公布了SiC（碳化硅）和Si（硅）功率半导体等下一代功率半导体的全球市场调查结果。据该......
芯华睿车规级碳化硅功率模块项目实现量产(2024-08-30)
发区举办。
会上，芯华睿半导体科技有限公司（以下简称“芯华睿”）车规级碳化硅及硅基功率模块（IGBT/SiC）举行量产仪式，蔚来、积塔、英搏尔、富乐华等前后链对接配套的企业代表现场牵手合作。
芯华......
高压快充陆续“上车”，碳化硅器件成香饽饽，成本下降打开市场渗透率(2023-02-16)
平台车型普遍以SiC（碳化硅） MOS代替硅基 IGBT，“要知道，SiC元件要比普通的硅基IGBT贵上至少3倍。”
他打趣说道，即便800V高压平台能让整车工作电流减半，有利......
电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍(2023-02-02)
电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍;电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在多个领域得到广泛的应用，并且......
吉利也要自制IGBT功率模块，一期年产60万套(2022-12-08)
等或自开项目，或与半导体企业联手，均在IGBT领域开展相关布局。
SiC早有布局
吉利也深度参与到汽车级碳化硅领域，从芯片、模块、电驱动系统到整车应用。
在芯片上，2021年5月，吉利汽车子公司威睿电动汽车与本次博世碳化硅......
各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局分析(2023-11-03)
迪半导体在新能源汽车主驱上累计搭载功率模块约106万套，占比达32.0%，超过了英飞凌成为第一。
除了IGBT外，近来比亚迪半导体在碳化硅方面也取得重大技术突破，比亚迪汉、唐四驱等旗舰车型上已大批使用碳化硅模块，未来有望在SIC模块......
800V高压系统及其系统架构分析(2024-10-28 08:14:14)
部件损耗和线束损耗以都可以降低；二者伴随着
第三代半导体
碳化硅技术的引入，各高压部件尤其是电驱部件的能耗可以大幅降低，实现......
芯联动力与南瑞半导体签署合作协议：将在新型电力系统深度合作(2024-02-08)
为南瑞半导体的全电压IGBT和碳化硅芯片等多个产品供应商，离不开双方团队的共同努力，这也意味着南瑞半导体对芯联集成的技术创新、产品快速迭代、稳定供应的高度认可。
近年来，芯联集成已为多家主流新能源汽车公司提供碳化硅产品，这也......
碳化硅在电动汽车中主要应用(2024-01-24)
DC/DC)和充电桩
主驱逆变器：碳化硅MOSFET在电动汽车主驱逆变器中相比Si-IGBT优势明显，虽然当前SiC器件单车价格高于Si-IGBT，但SiC器件的优势可降低整车系统成本：（1）由于碳化硅......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
器件的单位面积阻抗仅为硅器件的百分之一，而用碳化硅制成的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率器件可将导通阻抗降低到常规硅器件的十分之一. 由于碳化硅技术可以有效降低二极管的反向恢复电流，因此......
国产晶圆厂纷纷扩产功率半导体，除了抢占电动化赛道还要破除“瓶颈”(2023-07-21)
压功率器件如 SJMOSFET、IGBT和碳化硅 MOSFET将会在车端大量应用，其单车价值量有望继续提升。 据半导体行业纵横数据，混动和纯电动汽车上功率半导体价值量分别占单车半导体 总价值的 40%和 55......
电动汽车推动光储充市场发展再提速，看安森美高性能产品解决之道(2023-10-17)
单元会采用三电平的NPC拓扑，安森美器件能覆盖这样的设计，目前能提供的单管产品除今年新发布的第七代1200V IGBT外，还有650V和1200V的碳化硅二极管和MOSFET。据悉，目前安森美的650V碳化硅......
新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机(2023-06-06)
MOSFET相比Si-IGBT具有哪些优势呢？
- 碳化硅MOSFET相比硅基IGBT功率转换效率更高，电动汽车续航距离可延长5- 10%，即在同样续航里程的情况下可削减电池容量，降低......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
GaN和SiC在电动汽车中的应用;汽车设计的几乎每个组件，包括底盘、动力总成、信息娱乐、连接和驾驶辅助系统 (ADAS)，都在汽车领域经历快速发展和创新。
设计人员正在寻求先进技术，从基于硅的解决方案转向使用碳化硅......
三菱电机首条12英寸产线安装调试完成！(2023-09-07)
五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约2600亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅功率半导体的生产。
具体而言，三菱电机计划在2026年4月开始稼动位于日本熊本县菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圆的新工厂。此外......
车企自研功率模块加速落地，国产SiC MOSFET和代工厂迎新机会(2024-04-11)
功率模块的机会车企自研功率模块的目的，很大程度上是因为在功率模块上，目前仍有不少的创新空间。功率模块的性能很大程度上取决于封装和散热的设计，传统的功率模块，包括碳化硅的功率模块和IGBT功率模块，很多......
特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进(2023-04-20)
还在向着更高的切割良率、更快的生长速度、更大的晶圆尺寸以及更低的生产成本跃进。
碳化硅大规模应用“虽迟但到”
早前特斯拉率先在Model 3中采用碳化硅替代IGBT，碳化硅开始崭露锋芒；近日......
特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进(2023-04-21)
特斯拉率先在Model 3中采用碳化硅替代IGBT，碳化硅开始崭露锋芒；近日特斯拉在投资者大会上宣布，在其下一代平台将减少75%碳化硅的方案，引起业界波动。
芯粤能总经理徐伟在近日举办的第25届中......
浅谈新能源汽车电驱系统的核心技术(2023-06-26)
机能效MAP图
于是提高电机控制单元中的主逆变器能效，成为提升整个电驱系统能效的新方向。
也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块！
△ 碳化硅材料优点
碳化硅SiC MOSFET 的优......
深度解析电动汽车电驱动系统的核心技术(2024-03-04)
提升整个电驱系统能效的新方向。
也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块！
△ 碳化硅材料优点
碳化硅SiC MOSFET 的优点有很多，体积小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高（是硅......
Wolfspeed 推出 2300 V 碳化硅功率模块，助力清洁能源产业提升(2024-09-11)
模块相比，该模块的电压余量增加了 15%、改善了动态性能且温度稳定性一致性良好、可以显著缩小EMI 滤波器尺寸。和IGBT相比，Wolfspeed 方案的开关损耗可以降低 77%。针对 1500 V 应用，碳化硅......
这家IGBT龙头企业净利润大涨120.54%，未来将发力碳化硅芯片研发与产业化(2022-03-15)
这家IGBT龙头企业净利润大涨120.54%，未来将发力碳化硅芯片研发与产业化;近日，斯达半导公布2021年度业绩快报。
2021年斯达半导营业收入为17.07亿元，同比增长77.22%；净利......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-26)
亚洲报道，东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息，东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节，布局完成后将形成：外延设备+外延片+器件......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-27)
对人员的增加。
此外，今年2月下旬，日经亚洲报道，东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最......
什么是800V高压系统?800V高压系统的驱动力和系统架构分析(2023-07-10)
大幅提升逆变器效率以及电驱效率，降低整车能耗。
相比400V系统硅IGBT，无论400V系统还是800V高压系统，碳化硅MOSFET逆变器损耗均可以降低50%左右，提升电驱效率继而降低整车能耗。不同级别车辆能耗分析(如图2......
充电桩电路图（电路设计中单、双向充电桩解决方案）(2024-11-27 18:53:31)
元器件
，例如高效率的碳化硅MOSFET “SCT3xxxKx（1200V/17-95A）”或标准IGBT “RGSxxTSX2”。在20kW以上的应用中，可以选择全碳化硅......
基本半导体完成B轮融资，将加强碳化硅器件研发(2021-01-05)
快新一代的驱动控制技术升级，特别是高密度的IGBT和碳化硅器件方面是今后升级发展的方向。
封面图片来源：拍信网......
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