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碳化硅IGBT并行不悖,新能源汽车功率器件怎么配?; 【导读】近期,特斯拉宣布将大砍碳化硅用量75%的消息冲上了热搜。这一消息,也让业内对于碳化硅究竟能否替代IGBT在新......
能直接影响到新能源汽车的能效、续航里程以及可靠性。目前,硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和碳化硅(SiC)功率器件是两种主流的解决方案,它们在新能源汽车中有着各自独特的应用特点。 一、硅基IGBT在新......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片; 【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点,越来......
电路和控制电路等多个功能模块。 IPM模块通常包括一个功率MOSFET、IGBT(绝缘栅双极晶体管)或SiC(碳化硅)等开关器件,以及一个驱动电路,用于控制这些开关器件的导通和截止。此外,IPM模块还通常集成有电源电路、电流......
MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比。使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果。最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
总投资超200亿,IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产;近年来,以IGBT为主的功率半导体和以碳化硅、氮化镓为主第三代半导体均受到市场的高度关注。 其中,IGBT,被视为电力领域的“CPU......
求急剧增加。 瑞萨电子正在迅速采取行动,通过扩大其内部制造能力来满足功率半导体不断增长的需求。 该公司最近宣布在甲府工厂扩产 IGBT,并在高崎工厂建立碳化硅生产线。 与传统的硅功率半导体相比,碳化硅......
凌不断改进芯片结构,已将IGBT技术迭代至第七代,IGBT产品向小型化、高功率、高可靠性发展。 随着IGBT供需持续紧张,有关宽禁带半导体材料碳化硅替代硅基IGBT的话......
模块 值得注意的是,东芝也展出了其SiC混合模块,该混合模块是介于硅和碳化硅之间的产品,可称之为混合型的IGBT。该器件采用PMI封装方式,内部的IGBT(IEGT芯片)采用硅材料,但是二极管部分采用碳化硅......
及模块技术的企业。目前,中车时代电气在IGBT器件领域建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸SiC(碳化硅)的产业化基地。据《湖南日报》报道,中车时代电气拥有目前国际SiC(碳化硅)芯片......
的使用量,而不会减少。”黄河科技学院客座教授张翔向记者表示,碳化硅具有耐高温、耐高压的特性,非常适用于高压场景,而且在主逆变器中,碳化硅模块和IGBT模块相比,能够提高约5%的系统效率。 有碳化硅......
化层的形成。由于碳化硅材料中同时含有Si和C原子,因此需要一种非常特殊的栅介质生长方法。SiC-MOSFET采用沟槽结构,以最大限度地发挥SiC的特性。 3、碳化硅MOS的优点 硅IGBT通常......
的交期一致,最长在54周。 IGBT的短缺预计会持续到2024年,导致IGBT缺货的原因可以简单归为三点,其一是产能受限,扩增缓慢;其二是,车用需求旺盛,特斯拉砍75%碳化硅用量大幅提升IGBT需求......
可以延长续航;或者以更小的电池,可以达到相同的续航里程,进而降低系统成本。 在“2023碳化硅功率器件应用及测试技术大会”上,毫厘机电拿出了一组对比数据。在峰值功率上,硅基IGBT模块可以达到560KW......
元件作为各家电动汽车性能致胜的一大依赖技术,整车厂们争相绑定未来几年的SiC供应,IGBT供应商也不例外。 TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄指出,碳化硅拥有优越的电气特性,传统的硅材料无法比拟。碳化硅......
%。 特拉斯是全球率先采用碳化硅逆变器的车企,其Model 3采用了意法半导体推出的650V SiC MOSFET逆变器,相较Model X等车型上采用的IGBT能带来5%~8%的逆变器效率提升,对电......
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用!;碳化硅器件(SiC)在新能源汽车领域对传统硅基(Si-)IGBT的替代正在加速。自2018年特斯拉在Model3中首次将IGBT模块替换成SiC模块后,就有......
推进车规级MCU芯片在汉落地,预计2024年实现量产;与中芯国际合作,已完成设计首款MCU芯片。 作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体,碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐......
10分钟狂充80%电量!东风碳化硅功率模块明年量产装车;近日消息,从东风汽车官方获悉,东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成,将于2023年搭载东风自主新能源乘用车,实现量产。 IGBT行业......
帮助电动汽车实现更高效率,增加续航。 作为行业先锋,特斯拉率先在Model3中引入碳化硅器件,让这一优势得以具体呈现。据悉,用碳化硅MOSFET取代硅基IGBT,特斯......
车载光伏需求叠加 碳化硅商业化进程加速; 【导读】从2018年特斯拉Model 3首次采用碳化硅逆变器取代硅基IGBT以来,碳化硅的车载应用就在加速。与此同时,碳化硅......
集成还提供IGBT晶圆、碳化硅晶圆。除了功率器件产品的展示之外,芯联集成还带来了其IGBT和8英寸碳化硅晶圆样品。 芯联集成“明星产品”(8英寸碳化硅) 据了解,芯联集成的8英寸碳化硅晶圆工程批,已于今年4月20......
2035年功率半导体市场规模超六千亿,“一大两小”最有前景; 【导读】2022年4月10日,富士经济公布了SiC(碳化硅)和Si(硅)功率半导体等下一代功率半导体的全球市场调查结果。据该......
发区举办。 会上,芯华睿半导体科技有限公司(以下简称“芯华睿”)车规级碳化硅及硅基功率模块(IGBT/SiC)举行量产仪式,蔚来、积塔、英搏尔、富乐华等前后链对接配套的企业代表现场牵手合作。 芯华......
平台车型普遍以SiC(碳化硅) MOS代替硅基 IGBT,“要知道,SiC元件要比普通的硅基IGBT贵上至少3倍。” 他打趣说道,即便800V高压平台能让整车工作电流减半,有利......
电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍;电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍 以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视,并在多个领域得到广泛的应用,并且......
迪半导体在新能源汽车主驱上累计搭载功率模块约106万套,占比达32.0%,超过了英飞凌成为第一。 除了IGBT外,近来比亚迪半导体在碳化硅方面也取得重大技术突破,比亚迪汉、唐四驱等旗舰车型上已大批使用碳化硅模块,未来有望在SIC模块......
等或自开项目,或与半导体企业联手,均在IGBT领域开展相关布局。 SiC早有布局 吉利也深度参与到汽车级碳化硅领域,从芯片、模块、电驱动系统到整车应用。 在芯片上,2021年5月,吉利汽车子公司威睿电动汽车与本次博世碳化硅......
为南瑞半导体的全电压IGBT碳化硅芯片等多个产品供应商,离不开双方团队的共同努力,这也意味着南瑞半导体对芯联集成的技术创新、产品快速迭代、稳定供应的高度认可。 近年来,芯联集成已为多家主流新能源汽车公司提供碳化硅产品,这也......
DC/DC)和充电桩 主驱逆变器:碳化硅MOSFET在电动汽车主驱逆变器中相比Si-IGBT优势明显,虽然当前SiC器件单车价格高于Si-IGBT,但SiC器件的优势可降低整车系统成本:(1)由于碳化硅......
器件的单位面积阻抗仅为硅器件的百分之一,而用碳化硅制成的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率器件可将导通阻抗降低到常规硅器件的十分之一. 由于碳化硅技术可以有效降低二极管的反向恢复电流,因此......
压功率器件如 SJMOSFET、IGBT碳化硅 MOSFET将会在车端大量应用,其单车价值量有望继续提升。 据半导体行业纵横数据,混动和纯电动汽车上功率半导体价值量分别占单车半导体 总价值的 40%和 55......
单元会采用三电平的NPC拓扑,安森美器件能覆盖这样的设计,目前能提供的单管产品除今年新发布的第七代1200V IGBT外,还有650V和1200V的碳化硅二极管和MOSFET。据悉,目前安森美的650V碳化硅......
MOSFET相比Si-IGBT具有哪些优势呢? - 碳化硅MOSFET相比硅基IGBT功率转换效率更高,电动汽车续航距离可延长5- 10%,即在同样续航里程的情况下可削减电池容量,降低......
GaN和SiC在电动汽车中的应用;汽车设计的几乎每个组件,包括底盘、动力总成、信息娱乐、连接和驾驶辅助系统 (ADAS),都在汽车领域经历快速发展和创新。 设计人员正在寻求先进技术,从基于硅的解决方案转向使用碳化硅......
五年内将之前宣布的投资计划翻一番,达到约2600亿日元,主要用于建设新的晶圆厂,以增加碳化硅功率半导体的生产。 具体而言,三菱电机计划在2026年4月开始稼动位于日本熊本县菊池市(泗水)的碳化硅8英寸晶圆的新工厂。此外......
功率模块的机会车企自研功率模块的目的,很大程度上是因为在功率模块上,目前仍有不少的创新空间。功率模块的性能很大程度上取决于封装和散热的设计,传统的功率模块,包括碳化硅的功率模块和IGBT功率模块,很多......
还在向着更高的切割良率、更快的生长速度、更大的晶圆尺寸以及更低的生产成本跃进。 碳化硅大规模应用“虽迟但到” 早前特斯拉率先在Model 3中采用碳化硅替代IGBT碳化硅开始崭露锋芒;近日......
特斯拉率先在Model 3中采用碳化硅替代IGBT碳化硅开始崭露锋芒;近日特斯拉在投资者大会上宣布,在其下一代平台将减少75%碳化硅的方案,引起业界波动。 芯粤能总经理徐伟在近日举办的第25届中......
机能效MAP图 于是提高电机控制单元中的主逆变器能效,成为提升整个电驱系统能效的新方向。 也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块! △ 碳化硅材料优点 碳化硅SiC MOSFET 的优......
提升整个电驱系统能效的新方向。 也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块! △ 碳化硅材料优点 碳化硅SiC MOSFET 的优点有很多,体积小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高(是硅......
模块相比,该模块的电压余量增加了 15%、改善了动态性能且温度稳定性一致性良好、可以显著缩小EMI 滤波器尺寸。和IGBT相比,Wolfspeed 方案的开关损耗可以降低 77%。针对 1500 V 应用,碳化硅......
亚洲报道,东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息,东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节,布局完成后将形成:外延设备+外延片+器件......
对人员的增加。 此外,今年2月下旬,日经亚洲报道,东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最......
这家IGBT龙头企业净利润大涨120.54%,未来将发力碳化硅芯片研发与产业化;近日,斯达半导公布2021年度业绩快报。 2021年斯达半导营业收入为17.07亿元,同比增长77.22%;净利......
大幅提升逆变器效率以及电驱效率,降低整车能耗。 相比400V系统硅IGBT,无论400V系统还是800V高压系统,碳化硅MOSFET逆变器损耗均可以降低50%左右,提升电驱效率继而降低整车能耗。不同级别车辆能耗分析(如图2......
快新一代的驱动控制技术升级,特别是高密度的IGBT碳化硅器件方面是今后升级发展的方向。 封面图片来源:拍信网......
天岳先进官宣:液相法P型碳化硅衬底成功交付;11月6日,据天岳先进官微消息,天岳先进近日向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底。天岳先进表示,高质量低阻P型碳化硅衬底将加速高性能SiC-IGBT的发......
控丹佛斯还推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块。 而在SiC领域,去年3月,在两家企业合并之前,赛米控就与某德国领先的汽车制造商签订了一份十多亿欧元(超百亿人民币)的车规级碳化硅......
模块价格每年下降10%,IGBT价格每年下降5%,电池成本每年下降10%,中性预计全碳化硅方案相比硅方案能降低能耗8%,仅考虑相同续航下节省的电池成本,而忽略节省的散热系统成本缩减、无源......

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;潍坊六方碳化硅陶瓷有限公司;;