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挣足钱的三星进攻下一代存储，MRAM成为目标？(2017-04-28)
用了类似三明治的结构。为了讲清楚它的工作原理，我们先了解一些特性：
1.磁电阻效应：这是指某些材料在强磁场下表现高电阻，弱磁场下表现低电阻（或者相反）。磁电阻效应在很多金属和半导体上都可看到，电阻率变化正负都有，常见......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
构并不复杂，原理也不难。它采用了类似三明治的结构。为了讲清楚它的工作原理，我们先了解一些特性：
磁电阻效应：这是指某些材料在强磁场下表现高电阻，弱磁场下表现低电阻（或者相反）。磁电阻效应在很多金属和半导体......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
需要更强的电场。
b）隧道效应
隧道效应又称为齐纳击穿、隧道穿通，（一般发生在击穿电压VB<4V时，）其原理如下：
图[9] P+N+结电压反偏示意图
将两块重掺杂的P+、N+半导体材料结合在一起，由于......
曝台积电明年量产2nm工艺：苹果首发(2024-05-29)
-Around，中文名为全环绕栅极晶体管，其本质上是一种新型的晶体管设计，可以在更小的制程下提供更好的性能。
在GAA晶体管中，栅极材料包围了晶体管的源和漏，从而提供了更好的电流控制。
这可以帮助减少量子隧道效应......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子注入效应......
消息称美国要对中国进口的显卡、主板等恢复征收关税！(2024-05-29)
材料包围了晶体管的源和漏，从而提供了更好的电流控制。
这可以帮助减少量子隧道效应，从而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成为可能。
台积电方面透露，目前GAA的试产良率已经达到了目标的90%，这意......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
向时则会和这个由材料差异引起的介面能阶差互相对冲以致无法流过去。不过当电压大于能阶差的时候还是会打穿的，基纳二极体就是利用这个效应工作的整压二极体。
▲P型半导体的结构示意
▲N型半导体的结构示意
三极晶体管的由来
三极......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
米管CMOS器件与传统半导体器件的比较。A： 基于碳管阵列的场效应晶体管结构示意图；B-D：碳管CMOS器件（蓝色、红色和橄榄色的星号）与传统材料晶体管的亚阈值摆幅（SS），本征......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成了当今使用的大多数场效应......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成了当今使用的大多数场效应......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
SiC MOSFET的短沟道效应;Si IGBT和SiC沟槽之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展;三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半导体展会 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技术......
第一代1nm芯片何时来袭 ，谁才是最终的芯片王者？(2022-11-27)
，但无论技术如何进步，它的性能都停留在16nm到12nm之间。也就是说，不管是1纳米、0.5纳米、0.2纳米，晶体管的密度都不会有太大的改变。其实，先前就有科学家说过，到了1nm以后，量子隧道效应就有可能导致半导体......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
在CFET(互补场效应晶体管)之外进一步加速GAA技术创新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS(N 型金属氧化物半导体)和PMOS(P
型金属氧化物半导体)晶体......
碳化硅SIC将会发力电动汽车？(2024-03-07)
决方案几乎不需要对制造过程进行任何改变。虽然对具有薄电介质的 SiC 器件的研究很少，但硅器件使用薄至 5 nm 的氧化物，而不会产生过度的隧道效应。此外，如上所述，使用高k电介质可以提供更好的沟道控制，同时......
高精度传感器在创造机器人自然动作中所发挥的作用(2022-02-11)
（Tunnel Magneto Resistance：穿隧磁阻效应）。应用了高磁阻TMR元件的磁传感器，通过利用量子力学的隧道效应来发挥灵敏度。
机器人分为“工业机器人”和“服务机器人”。在工......
“争议”摩尔定律，英特尔反驳英伟达“结束论”(2023-03-28)
看来摩尔定律逐渐遭遇瓶颈。受制于芯片尺寸的物理极限、光刻技术、隧道效应、功耗和散热、供电能力等问题，从5nm到3nm再到2nm，其间隔都超过了2年时间。
赵晓马认为，现在半导体......
国内科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展(2023-09-19)
以满足频繁的数据交互。随着计算机数据吞吐量的爆发式增长，突破传统浮栅晶体管擦写速度、耐久性等瓶颈，发展一种可兼顾高速、耐久特性的存储技术势在必行。
二维材料具有原子级厚度和无悬挂键表面，在器件集成时可有效避免窄沟道效应......
中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展(2024-03-18)
铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应......
cpu的nm级越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？(2017-06-20)
以后再按照以往的经验来缩减晶体管尺寸，将会失效。短沟道效应造成晶体管无法关断。目前业内通过Fin-FET， SOI等技术来解决这个问题。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第1312期内......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
开关
隧道二极管是江崎玲于奈1958年8月时发明的，当时他在东京通讯工业株式会社（现在的索尼）。1973年时江崎玲于奈和布赖恩·约瑟夫森因为发现上述半导体中的量子穿隧效应......
Allegro MicroSystems针对ADAS 应用推出开创性的新型位置传感器(2022-06-28)
Allegro MicroSystems针对ADAS 应用推出开创性的新型位置传感器;运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（纳斯......
台积电4nm升级版工艺，为当前市面上最高级别的旗舰芯片(2022-12-23)
航空航天大学兼职博导赵超认为，短沟道效应是造成4nm、5nm等先进工艺出现功耗问题的主要原因之一，也成为了先进制程发展过程中最大的阻碍。
半导体制造领域，集成电路的尺寸随着摩尔定律的发展而持续缩小，沟道长度也相应地缩短，这就......
要求，共同构建了首个 MIMO OTA动态信道模型测试和终端用户设备性能验证系统。
是德科技携手泰尔终端实验室(CTTL) 完成首个CTIA MIMO OTA动态信道模型测试系统验证
终端设备在实际使用中由于各种传播信道效应......
是德科技携手泰尔终端实验室(CTTL) 完成首个CTIA MIMO OTA动态信道模型测试系统验证(2023-08-04 16:03)
要求，共同构建了首个 MIMO OTA动态信道模型测试和终端用户设备性能验证系统。
是德科技携手泰尔终端实验室(CTTL) 完成首个CTIA MIMO OTA动态信道模型测试系统验证
终端设备在实际使用中由于各种传播信道效应......
致融信产业联盟大家的一封信2022 – 大小与进化(2022-01-27)
是微观空间尺度和普朗克常数的极小。在宏观世界不可能（概率极小）的事，在量子微观尺度上由于大数事件（个数极大），就变得容易发生了，这就是量子世界中的隧道效应，半导体的隧道二极管和扫描隧道显微镜就是基于这一原理制成。另外一个例子是光电效应......
五大高校科研团队在集成电路上有最新突破！(2024-10-10)
需开发一种更通用的方法来从根本上克服范德华集成的局限性。
着手调节金属与半导体接触间的基本相互作用是克服高接触电阻的本质途径。这项研究通过第一性原理计算揭示了相比范德华力，氢键可显著增强电子的隧道效应......
是德科技与联发科技（MediaTek）合作验证基于3GPP Rel－17标准的NR NTN和IoT NTN的5G功能(2023-08-24 11:02)
PROPSIM FS16 信道仿真工具套件作为射频数字孪生，可仿真叠加了信道效应和损伤的卫星轨道联发科技无线通信系统发展本部总经理黄合淇博士表示：“与是德科技在 NTN 技术上的成功合作帮助我们推进了 NTN......
PROPSIM FS16 信道仿真工具套件作为射频数字孪生，可仿真叠加了信道效应和损伤的卫星轨道
联发科技无线通信系统发展本部总经理黄合淇博士表示：“与是德科技在 NTN 技术......
22nm大战一触即发，新的甜蜜节点？(2017-04-28)
22nm大战一触即发，新的甜蜜节点？;
来源： 本文由半导体行业观察翻译自semiengineering，作者MARK LAPEDUS ，谢谢。
28nm及以......
甘肃最大抽水蓄能电站下水库主体工程正式动工(2024-11-06 10:15)
甘肃最大抽水蓄能电站下水库主体工程正式动工;11月3日，甘肃黄龙抽水蓄能电站下水库工程泄洪放空洞下游支洞洞口开挖作业正式启动，标志着该工程的建设正式由临时设施建设阶段迈入主体隧......
这种新型存储，国内要爆发了？(2023-10-16)
结堆叠的磁阻式随机存取存储器（MRAM）制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器；
2023年5月，恩智浦半导体（宣布，与台积电合作，推出业界首款采用16nm鳍式场效电晶体（FinFET）技术......
用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块(2024-01-02)
指出，电动汽车应用的功率转换器，需要通过液体冷却进行有效的散热。液体冷却器和电源模块通常由汽车零部件和半导体制造商独立设计，可能导致热通道效率低下。紧凑型GaN智能功率模块（IPMs）的替代制造工艺，一体......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
的磁控溅射工艺，结合ALD生长的高质量HfLaO介质，成功将3.5纳米超薄沟道中的迁移率大幅提升至60 cm2/Vs左右。在国际上首次提出了通过量子限域效应将金属性氧化铟锡ITO转变为宽禁带半导体......
半导体涨声响起，台积电酝酿续涨、驱动IC也喊涨(2023-03-27)
半导体涨声响起，台积电酝酿续涨、驱动IC也喊涨;历经近1年需求大跌，全球半导体科技产业链苦陷砍单、杀价、毁约赔款，甚至由大赚到亏损困境后，混沌黑暗隧道将至尽头，复苏曙光终现。
据半导体......
是德科技携手泰尔终端实验室(CTTL) 完成首个CTIA MIMO OTA动态信(2023-08-04)
构建了首个 MIMO OTA测试和终端用户设备性能验证系统。
携手() 完成首个测试系统验证
终端设备在实际使用中由于各种传播信道效应而导致性能下降。这些......
SOI与finFET工艺对比，谁更优？(2017-02-06)
极具竞争力。对于FDSOI晶体管，硅薄膜自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结的耗尽区，从而可改善DIBL(Drain Induced Barrier Lowering，漏致势垒降低)等短沟道效应，改善......
半导体涨声响起，台积电酝酿续涨、驱动IC也喊涨(2023-03-27)
另一道曙光出现。
历经近1年需求大跌，全球半导体科技产业链苦陷砍单、杀价、毁约赔款，甚至由大赚到亏损困境后，混沌黑暗隧道将至尽头，复苏......
Littelfuse推出具有更高敏感度与能效的54100和54140微型TMR传感器(2023-12-19)
是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出备受期待的54100和54140微型隧道磁阻 (TMR) 效应传感器。 两款......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T(2022-12-22)
程师汇聚一堂，在旧金山一起讨论半导体行业的最新发展内容。
wikichip 从的那篇论文中发现，虽然逻辑电路仍在或多或少地沿着历史轨迹前行，但 SRAM
这方面的路线似乎已经完全崩溃。台积......
基建狂魔，正在贯穿天山！(2024-05-23 06:35:02)
上
绵延2500公里的天山之间
一条长达22公里的超级隧道
正在......
科技携手泰尔终端实验室(CTTL) 完成首个CTIA MIMO OTA动态信道模型测试系统验证
终端设备在实际使用中由于各种传播信道效应而导致性能下降。这些......
双频GNSS不能取代惯性导航(2022-12-21)
双频GNSS不能取代惯性导航;众所周知，解决方案在城市环境的使用频率最高，但存在的困难也最多。最好的情况下，深度城市峡谷、下穿通道、隧道、人造天篷和室内停车场只会短暂影响全球导航卫星系统()信号......
是德科技与联发科技（MediaTek）合作验证基于3GPP Rel-17标准的N(2023-08-23)
NR 和IoT技术的移动网络，从而为被测设备建立起 NTN 数据呼叫连接
● S8820A PROPSIM FS16 信道仿真工具套件作为射频数字孪生，可仿真叠加了信道效应和损伤的卫星轨道
联发......
互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出备受期待的54100和54140微型隧道磁阻 (TMR) 效应传感器。 两款传感器均具备无与伦比的敏感度和能效，为磁......
多维科技推出用于游戏手柄的新型TMR传感器芯片TMR2615和TMR2617(2024-11-11)
多维科技推出用于游戏手柄的新型TMR传感器芯片TMR2615和TMR2617;
【导读】专注于隧道磁阻（TMR）技术的磁传感器领先制造商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension......
威刚董座陈立白：存储器产业2024下半年或将出现短缺(2023-10-08)
威刚董座陈立白：存储器产业2024下半年或将出现短缺;
【导读】随着三星等存储大厂陆续减产，存储产业供过于求的情况正在改变。威刚董事长陈立白表示，存储器产业苦熬两年，已看到隧道口，即将......
TMR传感器在车辆中的应用(2023-01-13)
TMR传感器在车辆中的应用;TMR技术简介
TMR（Tunnel Magneto Resistance）是近几年在工业应用中采用磁阻效应传感器的新技术。它的隧道磁阻效应......
UXM 5G 测试应用程序用于模拟支持 5G NR 和IoT技术的移动网络，从而为被测设备建立起 NTN 数据呼叫连接
•S8820A PROPSIM FS16 信道仿真工具套件作为射频数字孪生，可仿真叠加了信道效应......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了;
来源：本文授权转载自知乎作者端点星，版权归作者所有。
在摩尔定律的指导下，集成电路的制造工艺一直在往前演进。得意与这几年智能手机的流行，大家......
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