资讯
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
现代计算机芯片最基础的结构。
但随着晶体管的尺寸不断缩小，特别是沟道的尺寸也随之缩小，人们面临的问题也随之增加，比如漏电就是其中之一。人们的解决方案是改变晶体管的结构——从二维平面变为三维立体，FinFET架构......
2022年国内十大科技新闻：清华大学集成电路学院研究成果入选(2023-02-14)
管器件工艺流程、示意图、表征图以及实物图
研究发现，由于单层二维二硫化钼薄膜相较于体硅材料具有更大的有效电子质量和更低的介电常数，在超窄亚1纳米物理栅长控制下，晶体管能有效的开启、关闭......
集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破 首次实现亚1纳米栅长晶体管(2022-03-11)
实物图如下所示：
图3 亚1纳米栅长晶体管器件工艺流程，示意图，表征图以及实物图
研究发现，由于单层二维二硫化钼薄膜相较于体硅材料具有更大的有效电子质量和更低的介电常数，在超窄亚1纳米物理栅长控制下，晶体......
数字万用表电阻电压档测量方法简介(2023-04-17)
芯片做数字万用表方案时的电阻档信号输入部分所连接的整体示意图，待测电阻为Rx，芯片内部的电阻网络可以为我们提供测量电阻的参考电阻Rr，在不同电阻档位的时候选择不同的电阻网络，即可......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
件设计提供新的自由度。研究团队于2021年利用石墨烯二维晶体作为缓冲层，借助纳米柱等底层微纳结构，实现了非晶衬底上的氮化物准单晶薄膜的异质异构外延。近期，研究团队在该领域取得进展，利用......
半导体所在激子-声子的量子干涉研究中获进展(2023-03-07)
.Fano共振示意图，暗激子跃迁示意图，亮激子暗激子的实验观测以及布里渊区QK与ΓM波矢匹配示意图。
图2.边界声学声子Fano共振的实验观测与振动示意图
封面图片来源：拍信网......
月壤「回家专车」：看嫦娥六号“四兄弟”如何分工协作(2024-06-12)
合称为着上组合体。轨道器负责地月往返、转运样本，返回器负责降落地面、送回样本，这二者又合称为轨返组合体。
嫦娥六号四器组合体示意图
嫦娥六号“四兄弟”在发射入轨、地月转移、近月制动等阶段都处于“并肩......
晶振为什么不能放置在PCB边缘？(2024-11-27 22:20:29)
时电场分布如下：
图3：PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图
图4：PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图......
芯片工程师，是时候了解GAA晶体管了(2023-04-14)
活动区域就会减少 1 纳米，这会导致整个Fin消失。
那一刻人们说，我们需要找到解决方案。
图1：平面晶体管与 finFET与gate-all-around
环栅 (GAA) 类似于 finFET......
增强光波的二维光子时间晶体创建(2023-04-07)
增强光波的二维光子时间晶体创建;
二维光子时间晶体增强光波的示意图。图片来源：芬兰阿尔托大学
芬兰阿尔托大学、德国卡尔斯鲁厄理工学院和美国斯坦福大学的研究团队开发出一种创造光子时间晶体的方法，并表......
单元素二维拓扑绝缘体锗烯面世(2023-05-18)
单元素二维拓扑绝缘体锗烯面世;荷兰科学家研制出了首个由单元素组成的二维（2D）拓扑绝缘体锗烯，其仅由锗原子组成，还具有在“开”和“关”状态之间切换的独特能力，这一点类似晶体管，有望......
6层PCB板设计！降低EMC的4个方案，哪个好？(2024-05-09)
射频回流路径平行靠近其相应的信号路径，则回流路径上的磁通与信号路径上的磁通是方向相反的，这时它们相互叠加，则得到了通量对消的效果。
磁通对消的本质就是信号回流路径的控制，具体示意图如下：
如何......
闪存颗粒到底是何物？浅析闪存及制程(2017-02-13)
的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式，是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。相对应的，3D NAND则是在二维平面基础上，在垂直方向也进行颗粒的排列，即将原本平面的堆叠方式，进行了创新。
利用新的技术(即3D......
不同的脉冲宽度测量技术优势(2023-03-23)
量倍频信号的强度转为测量倍频信号的光谱，建立二维的光谱分辨自相关数据。通过算法迭代，即可从中重建脉冲的幅度和相位，实现脉冲的完全表征。
图2 基于二倍频的频率分辨光开关(SHG-FROG)系统示意图
除了测量二倍频光谱，FROG技术......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍;纳米材料电学测试方案将在本文中阐述，包括《纳米线/碳纳米管测试方案》、《二维/石墨烯材料测试方案》。纳米材料电学测试SMU 应用场景、测试特点及选型原则的示意图......
基于零维材料的光电探测器原子结构(2023-04-07)
光电转换机理对应的能带图和典型光电特性
石墨烯是最早大范围应用于探测器的二维材料之一。由于电子在二维平面内不受纵向力的限制，可以自由移动，因此石墨烯具有良好的导电性。石墨烯是一种优良的探测器核心材料。与传统的半导体材料（如......
中国半导体性单壁碳纳米管获突破，产率大幅提高(2023-04-13)
管沟道材料最有力候选。
单壁碳纳米管已被广泛应用于许多电子器件，包括显示器、存储器、传感器、透明导电薄膜以及碳纳米管计算机等。
IBM的理论计算表明，若完全按照现有二维平面框架设计，相比硅基技术，碳管......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
在源极和漏极之间通过通道流动。
在晶体管设计的优化过程中，有三个关键变量：性能、功耗和面积（PPA）。晶体管制造商一直在不断追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面积。
随着晶体管尺寸的缩小，它们的结构也从平面晶体管发展到鳍式场效应晶体......
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品(2024-11-15)
-MOSFET晶圆（示意图）
（右）用于xEV的SiC-MOSFET裸片布局（出货样品示意图）
功率半导体，作为促进全球脱碳的关键器件，能够......
浅谈自动驾驶BEV感知方案(2024-06-04)
驾驶感知好比一个从高处统观全局的“上帝视角”，将三维环境信息投影到二维平面，以俯视视角展示环境中的物体和地形。在路径规划、障碍物检测、自动驾驶决策等方面，BEV感知都展现出了其独特的优势。
车路一体的BEV感知......
自动驾驶：自动泊车之AVM环视系统算法2(2023-02-06)
我们是可以获取到标定布上的角点的三维坐标。二维点：图像中提取(1.1 1.2中已经讲述了提取方法)三维点：标定
2.3 车轮视角
车轮视角算法坐标系示意图
车轮视角算法坐标系示意图2d图像......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
走到了尽头
有能力制造先进节点芯片的公司数量随着工艺几何结构的变化而不断减少，每增加一个新节点，成本也越来越高。台积电最先进的300毫米晶圆厂耗资达200亿美元。
在20nm节点，人们首次发现平面晶体......
简述FOC电机控制之SVPWM原理（上）(2023-09-06)
相位差120°，记为：
注意：这里的电压是标量，只是电压幅值按正弦变化。
在二维平面上，三相绕组ABC构成的坐标系，两两坐标轴相差120°，则三相基本电压用矢量表示为：
用欧拉公式
展开上式，并计......
简述FOC电机控制之SVPWM原理（下）(2023-09-06)
相位差120°，记为：
注意：这里的电压是标量，只是电压幅值按正弦变化。
在二维平面上，三相绕组ABC构成的坐标系，两两坐标轴相差120°，则三相基本电压用矢量表示为：
用欧拉公式
展开上式，并计......
什么是示波器？示波器的原理，应用范围？(2023-02-01)
器是一种能显示电压信号动态波形的测试计量仪器。将时变的电压信号在时域上转换成曲线，将原来看不见的电信号在二维平面上转换成直观的可见光信号，因此可以分析电信号的时域性质。更先进的示波器甚至可以分析输入时间信号的频谱，反映......
什么是示波器？示波器的原理，应用范围？(2023-02-06)
变的电压信号在时域上转换成曲线，将原来看不见的电信号在二维平面上转换成直观的可见光信号，因此可以分析电信号的时域性质。更先进的示波器甚至可以分析输入时间信号的频谱，反映输入信号的频域特征。
二、示波......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
电机基于在结构设计阶段进行的先进模拟，开发了一种独特的电场限制结构，将应用于栅绝缘薄膜的电场减小到常规平面型水平，使栅绝缘薄膜在高电压下获得更高的可靠性。
三菱电机的新型沟槽型SiC-MOSFET三维结构
示意图来源：三菱......
科普口罩机解决方案原理(2020-02-21)
升降等多工位配合，将耳带焊接在口罩上；两边折叠定型，水平轴将机型伸出结构将口罩成两半，折叠在一起；熔接工位及折叠定型工位，需要保持平台与原料同步焊接，伺服系统应用电子凸轮追剪功能实现往返操作。
图2 无纺布平面口罩机电气系统应用示意图......
什么是激光雷达3D SLAM技术？(2024-01-11)
SLAM和3D SLAM技术路线之分。他们采集的数据区别在于：
（1）2D SLAM用单线激光雷达探测二维平面环境信息，在一个平面数据上进行定位，二维成像没有高度信息。
（2）3D SLAM用多......
浅谈自动驾驶技术常用坐标系统关联和转换(2024-01-29)
机坐标系、像平面坐标系
3.1.1 图像坐标系（or 像素坐标系）
电脑上存储的照片或图像，一般以左上角为原点，向右为x正方向，向下为y正方向，单位以“像素”最为常用。图像坐标系为二维坐标系，标记为(Xv......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能;IT之家 12 月 11 日消息，众所周知，传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型形成互补结构，从而......
受美国新规影响，又一半导体设备大厂裁员(2022-12-12)
规使得泛林集团无法继续向中国大陆厂商出售可以被用于生产制造14/16nm以下节点非平面晶体管逻辑芯片、128层以上3DNAND、18nm制程以下DRAM所需的设备和技术，除非获得美国商务部的许可。
此前泛林集团首席执行官蒂莫西·阿彻......
NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？(2022-08-19)
NAND的线宽已接近物理极限，3D NAND应运而生。
2007年，东芝推出BiCS类型的3D NAND。2D NAND的含义其实是二维平面堆叠，而3D NAND，顾名思义就是立体堆叠。3D......
安森美宣布成为大众 SSP 电动汽车平台主驱逆变器主要供应商(2024-07-23)
。该平面晶体管芯片能显著降低能耗，且能够在更小的封装内处理更大功率。
安森美宣称其 EliteSiC M3e MOSFET 较前几代产品导通损耗减少 30%、关断损耗降低多达 50%，并具......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如7nm节点......
Achronix开始交付其22纳米Speedster22i系列FPGA(2013-02-21)
最先进的半导体工艺技术打造
Speedster22i器件使用英特尔已经量产的22纳米工艺打造。英特尔22纳米Tri-Gate晶体管比传统的平面晶体管性能更高，功耗更低。Speedster22i FPGA充分......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
任飞兆半导体总经理
1959年:“平面”制造工艺的发明
Jean Hoerni开发了平面工艺来解决台面晶体管的可靠性问题，从而......
22nm大战一触即发，新的甜蜜节点？(2017-04-28)
之下，英特尔在2011年迁移到了22nm的finFET。
图3：传统平面晶体管 （来源：英特尔）
图4：英特尔的22nm三栅晶体管 （来源：英特尔）
最近，英特......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
过抛光这样得到了我们生产器件需要的晶圆衬底。图一是一个长晶炉的示意图和实物照片。
图一长晶炉示意图和实物
这里面涉及到了两个关键的步骤，晶体生长，晶锭切割和抛光。图二......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
由Robert Keim提供
为了使LTspice可以访问这些模型，您所需要做的就是插入一个SPICE指令，其中包含.inc[filename]。图4中的示意图中的库名称用绿色圈出，这样......
革命性医疗成像 imec用非侵入超音波监测心脏(2023-09-25)
kPa以上，很适合用于高性能超音波成像。 图二 : 压电式微机械超音波换能器（PMUT）制程的截面示意图：（a）选配薄膜晶体管（TFT）和／或弹性层的背板；（b）包含金属—绝缘体—金属（MIM）堆栈......
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷(2024-01-23)
中出现的各种缺陷。（a）碳化硅缺陷的横截面示意图和（b）TEDs和TSDs、（c）BPDs、（d）微管、（e）SFs、（f）胡萝卜缺陷、（g）多型夹杂物、（h）划痕的图像
晶体缺陷
● 螺纹刃位错 (TED) 和螺......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世;是集成电路工艺发展到1nm节点最受关注的新路径。虽然国际工业界认为引入可以在平面工艺中有效解决晶体管尺寸缩放过程中的问题，但其......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世;二维半导体是集成电路工艺发展到1 nm节点最受关注的新路径。虽然国际工业界认为引入二维半导体可以在CMOS平面工艺中有效解决晶体......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体......
用于可穿戴自充电生物超级电容器的MXene双功能生物阳极设计(2024-05-30)
密度高达220.9 μW/cm²。在拉伸/弯曲条件下，成功保持了与皮肤的紧密保形粘附。反复拉伸设备后，脉冲输出功率没有明显衰减。
图文解析
图1 MXene/CNT/LOx 生物阳极详细合成程序的示意图......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
亚阈值摆幅达到73mV/Dec。
图2：5纳米栅长碳管晶体管。A：采用金属接触的碳管晶体管截面TEM图，以及采用石墨烯作为接触的碳管晶体管SEM图；B:石墨烯作为接触的碳管晶体管示意图；C......
相关企业
用于娱乐游戏、立体教学、军事模拟、建筑模型、家庭影院等领域中，将各种平面信号转换为立体信号，是视觉视频技术从二维平面到三维立体的重大革新。 该转换器是计算机外接式的视频转换设备，采用数字化高度集成芯片一，操作
;应达利电子有限公司;;应达利是业内能够提供最全面晶体及陶瓷压电组件的生产商之一。我们能够提供快捷的样品及灵活的订货数量，以确保顾客能得到其它公司所不能提供的优质服务。 我们提供低成本 - 高精确度的石英产品足以应付不同的产品应用
;泰兴市航海机械厂;;热井模块 组装式热井模块 船用主机填料函油处理单元 伸缩接头 填料式伸缩接头 滑动式伸缩接头 船用轴系接地装置 可移动弹性吊架安装示意 化学清洗柜单元 扫气箱泄放柜 FHX
;薛维平;;
溯源、移动电商等。 二维码是一个信息的载体，一个码可以涵盖商家要展示的所有信息。比如：音频、视频、大量的文字等等。可以实现商家页面展示、个人名片设计等等几十项功能。而且不像户外平面
;浙江乐清市维平电器有限公司;;
;华人在线;;中国移动二维码｜二维码｜深圳中国移动二维码｜中国移动二维码深圳华人在线｜中国移动二维码深圳注册中心｜中国移动二维码深圳营销服务部｜中国移动二维码深圳营销服务中心｜深圳二维码｜注册深圳中国移动二维
;乐清市维平电器有限公司;;浙江省“乐清市维平电器有限公司”座落于闻名遐迩的“中国电器之都”――温州柳市。本公司专业生产及销售的“维平”“WP-01”双金属热力式电流过载保护器，性能稳定，深受
. TRANSYS. Microsemi. SSDI. NTE. WESTCODE.威世.西门康.西门子.富士.东芝等厂家电子元器件芯片.熔断器.快速旋转二极管.螺丝型可控硅.平面晶闸管.晶闸管.可控
致力于为中小企业提供一站式的信息系统之规划、实施、以及后期管理、维护和更新的全方位服务；在视觉设计领域，主要从事二维、三维影视动漫广告、影视栏目包装、电视广告片、企业专题片、宣传片及企业平面视觉传达等项目。