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mini 占苹果平板出货比重的三分之二，证明比最新但价格较贵的 iPad Pro 产品线受欢迎。整体来说 iPad 出货量衰退 6.2%。 三星平板出货量大减 19.3%、成为 650 万台，市占......
三星时隔 10 年在韩国重启 OLED 电视销售，此前因盈利能力低而退出该市场;IT之家 3 月 10 日消息，电子于本周四在市场再次推出了 OLED 电视，这是该公司过去 10 年来......
研究机构TrendForce集邦咨询最新预测显示，随着促销力度的加大和消费者接受度的提升，今年OLED电视市场有望迎来积极变化，预计全年出货量将实现15.9%的增长，总量有望达到623万台。在这一增长态势中，LG电子与三星......
脉的 Cortex A53 和四核心 2.2G 时脉的 Cortex A53，与海思麒麟 650（4 核心 2.0GHz A53 + 4 核心 1.7GHz A53）、高通骁龙 616（4 核心 1.7GHz......
这款芯片的性能到底如何呢？ 　　首先看CPU，根据已有的消息，这款SoC的CPU部分为四核1.4G主频的Cortex A53和四核2.2G主频的Cortex A53，与海思麒麟650（4核2.0GHz A53+4核......
海力士 2025-01-03 台积电和三星的3nm量产已成为事实，还未......
终端消费者仍倾向购买平价电视，品牌商难以将成本转嫁给市场，因而缩减节庆促销规模，并转向发展大尺寸和中高端产品，以减少亏损。此举将使2024年电视平均尺寸增长1.4吋，达到55.5吋。 2024上半年前五大电视品牌依次为三星......
团已创造多个就业机会，协助越南转让技术，促进越南经济社会发展。特别是2022年，三星运营结果非常出色，其出口额达650亿美元。 　　据了解，三星位于越南的西湖西部研发中心的建设于2020年初开始，并于2022年完......
聚焦于发展大尺寸和中高端产品，以减少亏损。这一策略直接推动了2024年电视平均尺寸的增长，预计将达到55.5英寸，较去年增长1.4英寸。 在品牌竞争格局方面，2024年上半年，三星电子、海信、TCL......
韩国：打造世界最大半导体产业集群！; 业内消息，近日韩国产业通商资源部声明，韩国计划要在首尔附近建设世界上最大的产业集群，三星电子、SK海力士等民间企业决定到2047年将投资总计622万亿......
。 2022 年三星通过越南制造出口的产品价值就高达 650 亿美金，单日近两亿美金产值，停电一天除了产品不能生产，还有工人等其他成本，巨额亏损使得三星不得不商议应对方案。 本次......
世界先进0.35微米650 V氮化镓制程正式量产;世界先进今（22）日宣布，其领先的八英寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST）已于......
大写的服！这台机器电脑城卖4K 竟是i5-650;首先，标题你没有看错，确实是远古时期的i5-650，并非i5-6500。就这么一台机器，奸商坑了4000块钱。 日前，由网友在百度贴吧发帖称，其朋......
电流下，Eoff仅为1.0 mJ。 模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直......
科学技术大学马骋教授现开发出了一种用于全固态电池的新型硫化物固态电解质Li7P3S7.5O3.5（LPSO），相关研究成果已发表于《德国应用化学》上（DOI:10.1002/anie.202407892）。 “日本丰田、韩国三星等知名企业，都在......
的利润率不与苹果、三星相比，即便是和同为国产品牌的华为、OPPO、vivo(约10%左右)相比，小米的利润率也是低得可怜。这不仅让小米无法将重心从线上转移至线下，且在广告和营销方面也弱于同级对手，加大......
机市场。 　　与此同时，松果处理器的配置与跑分也得到曝光。 　　据悉，这款芯片为八核 A53 架构，频率达到 2.2 GHz，安兔兔跑分达到 6.3 万，比华为麒麟 650 芯片以及联发科曦力 P10......
电流下，Eoff仅为1.0 mJ。模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI......
态电池有望克服锂离子电池难以兼顾续航和安全性的瓶颈，从而突破目前电池技术的玻璃天花板。固态电解质是成功构筑全固态电池的关键，性能优异的硫化物则被普遍认为最有希望实现全固态电池的实际应用。 “日本丰田、韩国三星......
投资达650亿美元。不过，《纽约时报》最新消息显示，台积电宣布建厂以来四年时间过去，台积电亚利桑那州工厂尚未生产出一颗芯片。业界分析，文化差异，劳动力资源面临与英特尔的竞争，两大......
。 模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少......
榜首；三星则以9.3%的份额紧随其后，位列第二；中芯国际、联电、格芯等企业也在竞争格局中占据一席之地。 近期，晶圆代工行业的两大巨头——三星和台积电，均有新动态传出。 先看......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower......
老年痴呆患者被强制升级Windows 10：微软赔偿650美元;Windows 10近乎强制性的升级惹来了不少笑话乃至麻烦，更有一些怒不可遏的用户起诉了微软。一名老年痴呆症患者在成为Win10强制......
老年痴呆患者被强制升级Windows 10：微软赔偿650美元;Windows 10近乎强制性的升级惹来了不少笑话乃至麻烦，更有一些怒不可遏的用户起诉了微软。一名老年痴呆症患者在成为Win10强制......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;不断扩大的CFP功率二极管产品组合再添新产品2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度;【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】在技......
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管; 【导读】美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，隆重宣布首款 650 V......
系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装）和......
发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此，英飞凌科技股份公司推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特......
英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件; 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨，2023年4月20日：基础......
全新650 V CoolMOS™ CFD7A系列为汽车应用带来量身定制的MOSFET性能;2020年5月8日，德国慕尼黑讯，为满足电动汽车市场的需求，英飞......
电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富......
东芝推出具备650 V N沟道功率MOSFET，扩大功率MOSFET的产品线; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出了具备650 V N沟道功率MOSFET的......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;奈梅亨，2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件......
超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品......
Technologies）选择了GaN来提高其 Gen5+ GaN Air DC-DC转换器的电源效率。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolGaN™晶体管650 V能够......
CoolGaN™晶体管650 V能够在显著提升整体系统性能的同时，更大程度地降低系统成本并增加易用性。其帮助纬湃科技打造了新一代DC-DC转换器，并为电网、电源和OBC的功率密度(效率超过 96......
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其......
Cambridge GaN Devices 携其首组商用产品（可持续性驱动的 650 V ICeGaN™ H1 系列）首次亮相 APEC;无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN......
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2; 【导读】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能......
点箝位（T-NPC）是一种3级拓扑结构，使用1200 V整流器（以双向形式用开关代替），中性点路径上有650 V开关背对背。I-NPC是一个3级架构，可能完全用650 V开关实现。650 V SiC......
大化可靠性。T-中性点箝位（T-NPC）是一种3级拓扑结构，使用1200 V整流器（以双向形式用开关代替），中性点路径上有650 V开关背对背。I-NPC是一个3级架构，可能完全用650 V开关实现。650 V......
上进行应用原型设计的更广泛的工程师提供新平台。bE- STM32MP151C -650-R256-S128-I将作为低成本解决方案，而bE-STM32MP153C-650-R512-E8面向......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求; 【导读】Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特......
球半导体供应疲软、科技股投资大翻车、营收不济等各大因素的驱动下，软银集团盘算着再打出一手好牌，决定启动ARM上市计划。而此次Arm上市估值达650亿美元，约当于金额超320亿美元收购交易价的2倍......
全球再增2座芯片厂！;4月15日，美国政府宣布与韩国三星电子达成一项初步协议，依据《芯片法案》提供至多64亿美元的直接补贴。基于此，三星将在得克萨斯州投资超过400亿美元，建设......

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;瑞安市三星包装机械厂;;瑞安市三星包装机械厂是集科研、开发、制造、销售、服务于一体的企业。本厂生产的主导产品有：GBZ-300、GBZ-130系列型透明膜自动包装机＜简称“烟包机”＞；QF-650
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;悠悠;;大功率红光芯片，650-660nm,1瓦做到10-20流明，正规品，包客诉，长期稳定供货，用于植物照明，医疗器械等！！
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