世界先进0.35微米650 V氮化镓制程正式量产

发布时间:2022-11-23  

世界先进今(22)日宣布,其领先的八英寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程(GaN-on-QST)已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证,正式进入量产,为特殊集成电路制造服务领域首家量产此技术的公司。

世界先进指出,2018年以Qromis基板技术(简称QST TM)进行八英寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程开发,于今年第一季开发完成,于第四季成功量产,世界先进同时已和海内外整合元件制造(IDM)厂及IC设计公司展开合作。

据悉,世界先进0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件选择外,也提供内建静电保护元件(ESD),客户得以更便利的进行设计选择。此外,该制程除具备更优异的可靠性与信赖性,针对更高电压(超过1000 V)的扩充性,世界先进也已经与部分客户展开合作,以满足客户的产品需求。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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