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升级为全景声的全新效果。 在工艺制程上，马里亚纳MariSilicon Y率先应用了N6RF射频工艺制程。N6RF是迄今为止最先进的射频工艺制造技术，相比于目前主流射频芯片采用的16nm工艺，N6RF技术领先2代，帮助射频晶体管......
器件产品线并实现商业化。 Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示，公司计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管，并将......
缓冲。T1的输入阻抗可以忽略不计，因此只需将源与P1匹配即可。运算放大器由晶体管 T3 至 T8 组成，包括优质射频晶体管已用于差分放大器 T3-T4-T5。这些晶体管在更大带宽的AF类型......
调频广播电路(2023-07-20)
个 NPN 射频晶体管。最初它是开路的。只有当基极获得所需的截止电压时，它才开始导通。晶体管的基极通过一个 0.22uF 的电容器与可变电阻器的基极相连。发射极引脚接地。集电极连接至电容电路。晶体管......
需制作两个完全相同的电路。 你可以看到这个迷你音频放大器电路是如此简单和容易构建。该电路是完全使用晶体管而不是使用IC的系列电路之一。优点之一是采用晶体管，谐波失真相对低于带IC的放大电路。除了音频晶体管......
了全新的能效表现。N6RF是迄今为止最先进的射频工艺制造技术，相比于目前主流射频芯片采用的16nm工艺，N6RF技术领先2代，帮助射频晶体管能效提升66%，同时减小33%的射频晶体管尺寸。 通过......
芯片采用的16nm工艺，N6RF 技术领先2代，帮助射频晶体管能效提升66%，同时减小33%的射频晶体管尺寸。   通过行业领先工艺，马里亚纳®️ MariSilicon Y 在实......
大值由下式给出： 方程式11 另外，GA,max的方程式也是 GP,max和GT,max的方程式。 示例 1：绘制射频晶体管的 GA 圆 现在我们有了必要的方程，我们将通过一些例子来学习。首先，让我......
形短引脚，对称分布在长边的两侧，引脚中宽度偏大一点的是集电极，这类封装常见双栅场效应管及高频晶体管。 小功率管额定功率为100～300 mW，电流为10～700 mA......
参数小到可以忽略不计，通常用hie和hre两个参数模拟低频晶体管电路即可，这叫做简化后的h参数等效电路，如图7-1-3所示，图中的rbe、β即上述的hie、hfe.电流放大系数β（或hfe）可以......
的所有模拟模块，如低频晶体振荡器、开关稳压器、两个线性稳压器、过压保护模块以及组合式上电和断电复位。Orca Systems首席执行官John McDonough表示："我们很高兴能将Dolphin Design......
包括Dolphin Design提供的所有模拟模块，如低频晶体振荡器、开关稳压器、两个线性稳压器、过压保护模块以及组合式上电和断电复位。 Orca Systems首席执行官John McDonough表示......
器作为程序存储区内置16K字节RAM作为数据存储区2.0V~3.6V供电电压上电/断电复位(POR/PDR)，看门狗复位，片外专用引脚复位（EXTRST）内置4~32MHz高频晶体振荡驱动器内置32768Hz低频晶体......
收音机的电路原理图并解释其工作原理。 双极结型晶体管（BJT）是该电路中的主要元件。在此设置中，通常使用 NPN 晶体管。通过充当放大器，晶体管可以增强传入的微弱射频 (RF) 信号。天线接收射频，然后通过调谐 LC......
硬件工程师基础面试题(2024-10-06 11:59:22)
使用铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）等六种有害物质。 晶体管基本放大电路有共射、共集......
器和智能插头。 贸泽供应丰富的Qorvo产品系列，包括开发套件、射频晶体管、无线模块、分立半导体和电源管理解决方案。如需进一步了解Qorvo，请访问https://www.mouser.cn......
器和智能插头。贸泽供应丰富的Qorvo产品系列，包括开发套件、射频晶体管、无线模块、分立半导体和电源管理解决方案。如需进一步了解Qorvo，请访问https://www.mouser.cn......
调制。这些调制信号应用于天线。 电视发射器电路图： 电路组件： 电路由以下元件组成： BC547 晶体管。 信号二极管 (1N4148)。 电阻器 电容器 射频变压器 天线 可变电容 可变电阻器 电视......
项改变卫星物联网连接的技术。 射频SoC包含完全集成的功能，特别是电源管理单元（PMU）子系统，其中包括Dolphin Design提供的所有模拟模块，如低频晶体振荡器、开关稳压器、两个线性稳压器、过压......
77.76MHz输出频率。这一系列振荡器适合于具有较小抖动、相噪和稳定性能容限的系统。较小的封装为PCB空间较为苛刻的应用提供一种选择。 这一系列时钟振荡器基于晶体，使用基频晶体和PLL技术......
77.76MHz输出频率。这一系列振荡器适合于具有较小抖动、相噪和稳定性能容限的系统。较小的封装为PCB空间较为苛刻的应用提供一种选择。 这一系列时钟振荡器基于晶体，使用基频晶体和PLL技术......
围元器件，采用IPD的优化方案需要19各外围元件，不带SMPS的话只需15各外围元件。 三个方案中，高频晶振NX2016标称频率为32MHZ，用以产生高速外部时钟信号；低速的NX2012晶体......
我们常说的高端晶振之一， 目前国内厂商中的惠伦晶体、泰晶科技具有高基频晶振的量产能力。 中国大陆厂商以中低端晶振市场为主，高端晶振市场国产替代需求强烈。 日本......
式11   低于晶体管的最大规定值（PC，max=4W）。 总结一下 我希望你现在对推挽放大器有了基本的了解。在未来的文章中，当我们回到这种配置时，我们将研究一些影响实际射频和微波推挽放大器性能的挑战和限制。 ......
个市场的占比仍然很小，最多占比10%。GaN这项技术仍具有非常好的前景，将成为功率晶体管市场的关键器件之一。 GaN的应用主要在射频和功率器件两个方面，而ST采取......
功率 GaN 晶体管覆盖了 2,496 和 2,690 MHz 之间的频率范围，前面是A5G26S008N 27-dBm 射频功率 GaN 晶体管，用作驱动器。 Qorvo 为基础设施和移动应用提供广泛的射频......
下工作的技能和设计方法，而这正是Si和SiC晶体管工作的地方。我能够以射频工程师的身份来看待这个问题，并创建一个解决方案，使氮化镓晶体管能够在其高达20MHz的全部潜力下运行，并具有纳秒级的开关，提供......
下工作的技能和设计方法，而这正是Si和SiC晶体管工作的地方。我能够以射频工程师的身份来看待这个问题，并创建一个解决方案，使氮化镓晶体管能够在其高达20MHz的全部潜力下运行，并具有纳秒级的开关，提供......
证为广东省重点项目、珠海市产业立柱项目，以化合物半导体晶圆代工技术创新为主导，致力于打造具有国际领先水平的化合物半导体工艺平台，推出高品质、高良率的制程技术，全力协助国内企业实现射频芯片国产化制造，成为中国最大的射频晶......
 ，SSXO）成为了一种有效降低EMI的方法。 什么是展频振荡器？ 展频晶振是一种特殊类型的晶体振荡器，主要依托于扩展频谱技术。这项技术在抗干扰通信中有着广泛的应用，通过频率调制，将窄......
器等。 而这一次，上海微系统所主要是攻克了射频晶圆工艺上的一些技术难题，即依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应......
的栅极长度微缩到了30nm。该研究还报告了行业在2D TMD（过渡金属二硫化物）半导体领域的研究进展，此类材料未来有望在先进晶体管工艺中成为硅的替代品。 GaN是一种新兴的用于功率器件和射频......
天线提供1W射频功率的便携式设备。这需要提供20V的峰峰电压摆幅和200mA的峰值电流通过天线。正如你所看到的，即使在这种低功率应用中，晶体管也必须处理高压和电流水平，以在输出端提供所需数量的射频......
应用提供带宽、功率处理能力和线性度方面的最佳性能。控制芯片生成 MEMS 开关所需的高压信号，并允许用户通过简单灵活的互补金属氧化物半导体 (CMOS)-/低压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容......
Maxim推出高性能四路输出时钟发生器MAX3679A;Maxim推出用于以太网设备的高性能、四路输出时钟发生器MAX3679A。器件采用低噪声VCO和PLL架构，能够从低频晶体......
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。 ADRF5301 采用符合 RoHS 标准......
功放电路大全(2024-04-22)
放。 08 T类功放 该类功放的原理与D类功放的原理相同，但是信号部分采用DDP技术(核心是小信号的适应算法和预测算法)。 工作原理如下：音频信号进入扬声器的电流全部经过DDP进行运算处理后控制大功率高频晶体管......
能效核版本、Granite Ridge性能核版本，下半年陆续登场，但不会用于酷睿。 Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压......
时为 1.5 W/cmK），需要仔细设计布局和适当的开发出能够有效散热的封装技术。通过用 GaN 晶体管代替硅基器件，工程师可以设计出更小、更轻、能量损失更少且成本更低的电子系统。  受汽车、电信......
调频发射电路(2023-07-24)
前置放大器的设计： 在此，我们设计一个简单的单级共射极放大器作为前置放大器。 a) 选择 Vcc：我们选择了 NPN 双极结型晶体管 BC109。由于该晶体管的 VCEO 约为 40V，因此我们选择了更低的 Vcc......
一种完全的线性放大形式的放大器。在纯甲类功率放大器工作时，晶体管的正负通道不论有或没有信号都处于常开状态，这就意味着更多的功率消耗为热量。纯甲类功率放大器在汽车音响的应用中比较少见，像意大利的Sinfoni高品......
相比，MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成，用于产生无噪声放大信号。 前置放大器的第一级由使用 PNP 晶体管......
阻率。 近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
电路加工尺寸为10微米，现在最先进的加工技术已达到10纳米以下。10微米是1纳米的1万倍，这相当于普通自行车车轮直径和一根头发丝直径的比例。加工尺寸越小，同样面积的硅片上就能容纳更多晶体管，从而......
CryoCMOS联盟开发4K和77K晶体管模型，以实现CryoIP的开发;由sureCore公司牵头的英国技术战略委员会资助的CryoCMOS创新联盟报告说，它已经成功地创造了新的PDK质量级的晶体管......
率放大器特性 在B类放大器中，晶体管被偏置到刚好低于其导通点。当没有完全导通时，晶体管被输入信号的正半周期驱动导通。对于信号的另一半周期，当输入信号为负时，晶体管保持截止状态。如图1所示。 晶体管......
工艺在相同功耗下，速度最快将可增加 15%，在相同速度下，功耗最多可降低30%，同时晶体管密度增加逾 15%。 台积电的 3nm 制程工艺有 4 代：N3、N3E、N3P、N3X，目前的第一代是 N3......
式天线系统和一些微波链路：砷化镓MMIC在这些市场的优势是射频功率低，TriQuint 半导体T2G4005528-FS(图1)是GaN竞争的典型代表，这种碳化硅衬底的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)工作......
都经过认证，并针对FINFLEX架构进行了优化。 2纳米家族 在过去的15年中，台积电一直在研究纳米片(nanosheet)晶体管，并坚信N2是导入纳米片晶体管的合适工艺制程。 由于纳米片晶体管......

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