【导读】消费电子市场低迷环境下，半导体产业进入调整周期，不过，这不影响晶圆代工厂商的扩产步伐与全球布局。近期，又一座12英寸晶圆厂传出新动态。

晶圆代工瞄准12英寸

近期，日媒报道，世界先进即将决定赴新加坡兴建其首座12英寸晶圆厂，该工厂主要为满足车用芯片需求，投资金额至少达20亿美元。

资料显示，世界先进拥有5座8英寸晶圆厂，其中4座位于中国台湾，1座位于新加坡，今年产能估计达335万片8英寸晶圆/年。

此前，世界先进董事长方略表示，公司正在考虑在中国台湾或新加坡建造一座新的12英寸工厂，但没有具体说明该决定的时间表。今年8月，媒体报道显示，台积电同意投资世界先进计划在新加坡设立的一家12英寸晶圆厂。报道称，这家新加坡工厂将生产28纳米芯片，最早可能在2026年完工。

对此，业界认为一旦世界先进前往新加坡设立12英寸工厂，这意味着台积电、联电、力积电、世界先进等四大晶圆代工厂商都将具备12英寸厂产能，且在海外都有12英寸厂建厂计划。其中，台积电遍及美国、日本等地，联电与世界先进同为新加坡，力积电则规划在日本与合作伙伴于当地建厂。

12英寸SOI晶圆成功实现国产

据中国科学院上海微系统所官微消息，上海微系统所魏星研究员团队在300mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300mm 射频（RF）SOI晶圆。

很多人在问300mm的晶圆到底是多大？其实就是我们常说的12英寸，文中指的是一种专门做无线收发的半导体材料。

其实，SOI（全称为绝缘硅）晶圆，这种基材不光用于射频芯片，它还可以用于功率器件、汽车电子芯片、传感器等。

而这一次，上海微系统所主要是攻克了射频晶圆工艺上的一些技术难题，即依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题。

据了解，RF-SOI（射频绝缘体上硅）相较于传统的GaAs和SOS技术，不仅成本更低、集成度更高，还能发挥SOI材料结构优势，所生产的器件具有高品质、低损耗、低噪声等优势，主要用于制造智能手机和无线通信设备的前端射频模块。

众所周知，射频芯片虽然原理并不复杂，但制造难度却不低，甚至成为了我国通信领域卡脖子技术，其中就包括RF-SOI晶圆基础材料。

从市场格局来看，300mm的SOI硅片核心技术主要由法国Soitec半导体公司掌握，只有日本信越化学、SUMCO、中国台湾环球晶圆等少数企业具备生产能力。

而我们国内，沪硅产业子公司在获得Soitec公司技术授权后，也于2022年完成50亿定增，其中20亿用于SOI高端基材研发，建成后预计年产能将达到40万片/年。

这一次中国科学院上海微系统所从底层技术上进行攻关，成功实现了国内300mm SOI制造技术，标志着我国已经打破了从无到有的重大局面，今后咱们也可以用上自己的高标准RF-SOI晶圆了。

核心部件100%国产化！

国内一家半导体公司制造出了第一台核心部件 100% 国产化的高端晶圆激光切割设备。

晶圆切割就是将硅晶圆切割成单个芯片的过程，因为晶圆上刻好的电路非常精密，所以在切割的过程中需要极高的精度，也就是说晶圆切割工艺对设备的要求极高。

我们可以简单地从芯片制造的过程来体会晶圆切割的在其中的角色。

上游材料厂从最开始的晶体硅锭加工到晶圆片，然后通过抛光等步骤将晶圆厂需要的晶圆材料准备好。

收到晶圆片后代工厂还需经过湿洗等步骤完成光刻准备工作，先通过光刻机在晶圆上打印特定的电路图，然后通过离子注入改变其导电特性，接下来就是蚀刻电镀等步骤完成加工，最后将晶圆表面清理干净并对其做电气测试和性能分类。

上述一切就绪后就到晶圆切割了，分离出单个芯片，然后就将分离出来的单个芯片进行封装。

晶圆切割有机械锯切、激光切割、晶圆划片以及等离子切割等，本次国内的这台 100% 核心部件国产化的晶圆切割设备就是激光切割。

据悉，该设备是由华工科技激光半导体产品黄伟团队制造出来的，并在半导体激光设备领域攻克多项中国第一。

来源：贤集网

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