特性
- 反射式设计
- 低插入损耗：1.4 dB（典型值）
- 高隔离：30 dB（典型值）
- 高输入线性度：
- P0.1dB：36 dBm
- 输入 IP3：52 dBm
- 高 RF 功率处理能力
- 平均值为 28 dBm
- 峰值为 36 dBm
- 单电源供电：3.3V
- 内部 NVG
- RF 建立时间（0.1 dB 最终 RF 输出）：50 ns
- 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装
ADRF5301 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SPDT) 开关。
ADRF5301 专为 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 应用而开发。该器件具有 1.4 dB 的低插入损耗、30 dB 的高隔离以及 28 dBm 平均值和 36 dBm 峰值射频 (RF) 输入功率处理能力。
ADRF5301 包含一个负电压发生器 (NVG)，由施加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。
ADRF5301 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
- 工业扫描仪
- 测试仪器仪表
- 蜂窝基础设施毫米波 5G
- 军用无线电、雷达和电子对抗 (ECM)
-
微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
数据手册 1
用户手册 1
解决方案设计及宣传手册 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5301BCCZN |
20-lead LGA (3mm × 3mm w/ EP)
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| ADRF5301BCCZN-R7 |
20-lead LGA (3mm × 3mm w/ EP)
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| ADRF5301BCCZN-RL |
20-lead LGA (3mm × 3mm w/ EP)
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评估套件 1
EVAL-ADRF5301
评估 ADRF5301，硅、SPDT 交换芯片、反射型、37 GHz 至 49 GHz
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S-参数
