资讯
尺寸最小+功耗最低，三星即将宣布MRAM重要突破(2022-10-28)
尺寸最小+功耗最低，三星即将宣布MRAM重要突破;据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。
会议接收的资料显示，三星研究......
Intel携手Micron推出3D XPOINT技术(2015-07-30)
突破性的内存技术
继十多年的研究和开发，3D XPOINT技术是从地上爬起来，以解决需要非易失性，高性能，高耐用性和高容量存储和内存价格低廉的建造。它迎来了一类新的非易失性存储器，其显著减少等待时间，允许更多的数据要被存储接近处理器和速度先前不可能的非易失性存储......
赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列(2012-12-27)
赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列;赛普拉斯半导体在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器（F-RAM......
Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器(2012-02-06)
Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器;世界领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International......
工作电流。
英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器......
我国存储技术突破！(2024-08-14)
性磁振子自旋力矩器件的工作原理
据悉，内存计算利用能够在同一设备内同时执行信息存储和逻辑运算的非易失性存储器，有望在显著降低能耗的同时增强人工智能传输，而该过程不可避免地会产生焦耳热。
近期该研究发现，磁振......
佰维首秀2021全球CEO峰会，荣获全球电子成就奖桂冠(2021-11-09)
技术的创新主要包括应用技术和介质技术两个方面。应用技术的创新，主要表现在存储技术和应用场景的耦合，如存储与计算（存内计算、近存计算）、存储与通信（以太网SSD），以及协议的不断演进和突破；介质技术的创新，主要表现在易失性存储与非易失性存储......
最大工作电流。英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器......
最大工作电流。英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器......
英飞凌推出业界首款抗辐射1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM F-RAM(2024-07-16)
2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
AI计算时代,25年工龄的RRAM渐入佳境(2023-02-14)
多了一大批坚定的拥护者：
2022年11月，英飞凌和台积电宣布，两家公司正准备将台积电的电阻式RAM（RRAM）非易失性存储器（NVM）技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器（MCU）。
国内......
全球存储市场上半年规模同比增长97.7%(2024-09-09)
全球存储市场上半年规模同比增长97.7%;
【导读】专业存储市场调研机构CFM闪存市场近日发布的数据显示，2024年二季度全球NANDFlash（非易失性存储器）市场规模环比增长18.6......
科学家：UltraRAM技术可整合内存与闪存，耐用性极高(2022-01-13)
有助于提高移动设备的续航时间。
根据报道，兰卡斯特大学的研究人员表示，他们需要进一步改进存储单元的制造工艺，提高存储密度。这项技术具有很大的潜力，可消除在处理器、内存和设备的非易失性存储之间来回传输数据的过程。
封面......
英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM(2021-04-01)
的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。”
英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下，nvSRAM的作......
英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM(2021-04-01)
的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。”
英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下，nvSRAM的作......
意法半导体非易失性存储器取得突破，率先在业界推出串行页EEPROM(2022-07-01)
意法半导体非易失性存储器取得突破，率先在业界推出串行页EEPROM;依托在串行EEPROM技术领域的积累和沉淀，意法半导体率先业界推出了串行页EEPROM （Serial Page EEPROM......
意法半导体非易失性存储器取得突破，率先在业界推出串行页EEPROM(2022-07-01)
意法半导体非易失性存储器取得突破，率先在业界推出串行页EEPROM;依托在串行EEPROM技术领域的积累和沉淀，意法半导体率先业界推出了串行页EEPROM （Serial Page EEPROM......
国产铁电存储器PB85RS2MC助力车载电子控制系统优化升级(2024-05-06)
国产铁电存储器PB85RS2MC助力车载电子控制系统优化升级;新能源汽车的核心技术是大家熟知的动力电池、电池管理系统和整车控制单元。车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高性能非易失性存储......
台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存：功耗仅为类似技术百分之一(2024-01-18)
全球微电子元件领域顶尖会议国际电子元件会议（IEDM）上共同发表论文。
IT之家注：STT-MRAM 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器 MRAM 的二代产品。STT-MRAM 存储......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23)
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货;近日，英飞凌科技股份公司宣布该公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23 09:52)
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货;近日，英飞凌科技股份公司宣布该公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F......
Synopsys全新DesignWare中等容量非易失性存储器（NVM）IP使芯片成本降低多达25%;Synopsys日前宣布：其全新DesignWare®中等容量非易失性存储器（NVM）IP产品......
佰维首秀2021全球CEO峰会，荣获全球电子成就奖桂冠(2021-11-10)
技术和应用场景的耦合，如存储与计算（存内计算、近存计算）、存储与通信（以太网SSD），以及协议的不断演进和突破；介质技术的创新，主要表现在易失性存储与非易失性存储的融合，新一代的存储介质，如......
九种计算机内存类型(2024-01-25)
的设计速度令人难以置信，因此它的价格也很昂贵，并且存储容量较小，而单个辅助存储设备的大小可以达到 TB，而且价格仍然合理。
易失性内存和非易失性内存之间的差异
易失性存储器需要电力来维持存储的信息。当计......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23)
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货;
【导读】近日，英飞凌科技股份公司宣布该公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit......
四种可以增强未来航天器电子设备辐射的技术了解一下(2024-10-24 10:28:04)
商业太空公司都对光子学非常感兴趣。”
空间中的非易失性存储器
空间抗辐射研究的另一个有前景的领域是新型非易失性存储器。计算机通常使用静态随机存取存储器（SRAM）或动态随机存取存储器......
赛普拉斯半导体推出一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器(2015-08-04)
Quad SPI nvSRAM具有在掉电时保护数据安全的能力，其数据吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”
赛普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存储器......
国产铁电存储器PB52RS2MC在车载电子控制系统中的应用(2024-03-22)
PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
由于......
科创板上市最新进展，普冉半导体提交注册(2021-03-22)
注册”。
资料显示，普冉半导体成立于2016年，主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售，主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片，这两大类芯片可广泛应用于手机、计算机、网络......
这种新型存储，国内要爆发了？(2023-10-16)
界并不存在什么六边形战士，所以都是看应用需要什么，选择什么技术。四类新型非易失性存储器与NAND Flash指标综合对比图，图源丨科技中国 MRAM是一种非易失性存储技术，它被称为“全能手”，顾名思义，是因为MRAM什么......
华虹半导体科创板IPO获批，2022年其功率器件及嵌入式非易失性存储器业务占比超62%(2023-05-18)
华虹半导体科创板IPO获批，2022年其功率器件及嵌入式非易失性存储器业务占比超62%; 2023年5月17日，上交所官网发布信息显示，华虹半导体有限公司(以下简称华虹半导体或华虹)科创板IPO......
瑞萨推出集成STT－MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能(2024-02-26)
电子在谈及他们在内存技术方面的工作时指出：“高性能MCU的CPU时钟频率已达到数百兆赫兹。为了进一步提升性能，我们需要提高嵌入式非易失性存储器的读取速度，以尽量缩小它们与CPU时钟频率之间的差距。”STT......
瑞萨推出集成STT-MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能(2024-02-23)
电子在谈及他们在内存技术方面的工作时指出：“高性能MCU的CPU时钟频率已达到数百兆赫兹。为了进一步提升性能，我们需要提高嵌入式非易失性存储器的读取速度，以尽量缩小它们与CPU时钟频率之间的差距。”
STT......
富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品(2016-11-08)
品为富士通半导体与松下电器半导体（注2）合作开发的首款ReRAM存储器产品。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时......
汽车电子系统中非易失性存储器的选择及要求(2023-06-09)
汽车电子系统中非易失性存储器的选择及要求;汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器......
北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得重要进展(2023-02-23)
北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得重要进展;近日，北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得了重要进展，研究成果“Electrical......
带你认识存储器前沿技术的ReRAM(2016-11-25)
来头？
MB85AS4MT是富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM存储器产品。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，它可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备 更低......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-02)
Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐渐受到市场重视。
近日，英飞凌官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求FeRAM发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
潜力巨大。
图1：全球存储器市场规模及增速（资料来源：YOLE）
业界将相变存储器、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM发力智能物联时代增量市(2023-01-13)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09 10:36)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
来源：YOLE)
业界将相变存储器、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器(non-volatile RAM)，普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其......
华虹半导体95纳米SONOS eNVM工艺性能提升(2020-07-20)
（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工艺平台通过不断的创新升级，技术......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-04)
Random Access Memory，ReRAM或）逐渐受到市场重视。本文引用地址：近日，官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（），而不......
Microchip与韩国智能硬件公司IHWK合作开发模拟计算平台，加速边缘AI/ML推理(2023-09-14)
决方案基于Microchip经行业验证的非易失性存储器（NVM）SuperFlash技术并加以优化，可通过模拟内存计算方法为神经网络执行矢量矩阵乘法（VMM）。
memBrain技术评估工具包旨在让IHWK展示......
普冉半导体科创板IPO成功过会(2021-01-27)
条件和信息披露要求，普冉半导体即将登陆科创板。
资料显示，普冉半导体成立于2016年，主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售，主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片，属于......
当前全球DRAM厂商数量不到10家，三星电子(韩)、SK海力士(韩)、美光(美)三足鼎立(2022-11-26)
当前全球DRAM厂商数量不到10家，三星电子(韩)、SK海力士(韩)、美光(美)三足鼎立;
数据存储可分为光存储、磁存储与半导体存储。若按照信息保存的角度来分类，可以分为易失性存储芯片和非易失性存储......
相关企业
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等诸多类型高能效电源解决方案供应。 国半（NSC）美国国家半导体公司的电源管理，放大器，接口及LVDS LED照明，音频，时钟及定时，温度传感器等系列产品。 爱特梅尔产品涵盖了先进的逻辑器件、非易失性存储器
;深圳市飞思瑞克科技有限公司销售部;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片
;深圳市飞思瑞克科技有限公司成都分公司;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片
ramtron;铁电;;Ramtron公司总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是全球领先的非易失性铁电半导体的供应商。Ramtron产品包括串行和并行铁电随机存储器（F-RAM