Synopsys全新DesignWare中等容量非易失性存储器(NVM)IP使芯片成本降低多达25%

发布时间:2015-02-10  

Synopsys日前宣布:其全新DesignWare®中等容量非易失性存储器(NVM)IP产品开始供货。Medium Density NVM IP填补了小容量NVM和大容量闪存之间的空白,且无需额外的光罩或工艺步骤,从而使芯片成本降低多达25%。在把微控制器集成到面向智能传感器电源管理和触摸屏控制器应用的模拟IC设计中时,中等容量NVM IP提供最高64 Kbyte的嵌入式存储,消除了对外部EEPROM或闪存的需求。

 “今天,那些试图把微控制器嵌入到其IC中的开发者们被迫支付昂贵的晶圆费用以支持嵌入式闪存,或者使用分立的外部存储器,而这两种方式都是代价高昂的方案,”Semico Research Corp.高级市场分析师Richard Wawrzyniak说道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP填补了小容量非易失性存储器和大容量嵌入式闪存之间的空白,对于那些寻求在不增加额外成本而增加数千byte非易失性存储器的开发者而言,Synopsys的DesignWare中等容量 NVM IP是一个理想的选择。”

DesignWare中等容量NVM IP产品为5V CMOS和BCD工艺技术带来了闪存功能。误码校正(ECC)功能提供了额外的系统可靠性,同时减少了集成工作量。与小容量NVM方案相比,这款NVM IP密度提升5 倍;同时还提供了40纳秒的读取时间,可提供快速的读取时间和实时计算。通过在Synopsys实验室内完成的验证,包括严格的性能测试、认证和可靠性测试,该NVM IP可支持-40℃~125℃的温度范围,数据可保存10年。

 “随着把微控制器集成到模拟IC之中而需要数量越来越多的存储器,设计业者需要成本更低的存储器解决方案,同时不牺牲功能,”Synopsys IP和系统原型市场副总裁John Koeter说道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP为设计业者提供比闪存成本更低的方案,同时提供了所有必需的功能,来帮助他们以更小风险把NVM集成到系统级芯片(SoC)之中。”

供货

使用台积电(TSMC)180纳米5V CMOS和BCD工艺技术的DesignWare中等容量NVM IP现已对早期采用者供货。
文章来源于:ECCN    原文链接
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