1月12日，据外媒TECHSPOT报道，本月早些时候，英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文，详细介绍了UltraRAM近期取得的重要进展。

TECHSPOT报道显示，UltraRAM是一种存储器技术，它是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起，兼顾能效，具有极高的耐用性。

据了解，此前英特尔Optane 傲腾已尝试弥合DRAM和闪存存储之间的差距，并量产了傲腾内存产品，但仍不足以完全替代 RAM。而三星具备Z-NAND技术，铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。

报道称，用于UltraRAM的制造工艺与光电器件（如LED，激光器，光电二极管和光电晶体管）中使用的半导体元件相似。从结构上看，这种存储技术采用硅衬底，相比砷化镓成本大幅降低。这意味着UltraRAM有可能成为一种经济高效的存储器解决方案。科学家表示，他们测试过的原型设备可以提供1000年的数据保留和超过1000万次编程/擦除循环的"无退化耐久性"。

报道指出，UltraRAM采用“共振隧穿”量子力学效应，在施加电压时，将势垒从不透明切换到透明。相比于RAM和NAND存储中使用的写入技术，UltraRAM 的写入过程更加节能，因此有助于提高移动设备的续航时间。

根据报道，兰卡斯特大学的研究人员表示，他们需要进一步改进存储单元的制造工艺，提高存储密度。这项技术具有很大的潜力，可消除在处理器、内存和设备的非易失性存储之间来回传输数据的过程。

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