众所周知,铁电存储器(FRAM)是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上,不仅不需要备用电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
由于车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加,因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高,因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时,只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。而铁电存储器属于非失去性内存,不仅能进行高速随机存取,且拥有高耐写度的特性,因此能以最佳的性能满足这类应用的需求。
PB85RS2MC性能优势和应用特征:
1、PB85RS2MC配置为262,144×8位,是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,该芯片不需要电池就可以保持数据。
2、PB85RS2MC具有读写速度快(最高100万次)、写入寿命长、写入耗能小等优点。
3、PB85RS2MC最低功耗9微安(待机),工作电压2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。
4、PB85RS2MC容量2M bit,提供SPI接口,工作频率25兆赫兹,并支持40MHz高速读命令。
5、PB85RS2MC工作环境温度范围-40℃至85℃,封装为8引脚SOP封装,符合RoHS;性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(赛普拉斯)。