众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。

由于车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。而铁电存储器属于非失去性内存，不仅能进行高速随机存取，且拥有高耐写度的特性，因此能以最佳的性能满足这类应用的需求。

PB85RS2MC性能优势和应用特征：

1、PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，该芯片不需要电池就可以保持数据。

2、PB85RS2MC具有读写速度快（最高100万次）、写入寿命长、写入耗能小等优点。

3、PB85RS2MC最低功耗9微安（待机），工作电压2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作频率25兆赫兹，并支持40MHz高速读命令。

5、PB85RS2MC工作环境温度范围-40℃至85℃，封装为8引脚SOP封装，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯）。