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研发客服富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，“富士通推出了业界最高密度4Mbit ReRAM量产产品MB85AS4MT，提供业界最低读取电流的内存，适用于穿戴式装置与助听器”。
业界最高密度！
业界最低读取电流内存！
Word天，这是要承包整个“业界之最”的节奏！
MB85AS4MT 有啥来头？
MB85AS4MT是富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM存储器产品。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，它可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备 更低的功耗 及 更快的读写速度 。作为存储器前沿技术，ReRAM未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有 成本更低 , 性能更突出 的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20，数据擦写上限是后者的10倍。
MB85AS4MT适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备，在助听器这类需要高密度且低功耗的电子设备上有绝佳的表现。
MB85AS4MT 凭什么承包“业界之最”？
截至目前为止，富士通通过提供具有 耐读写 及 低功耗 特性的FRAM（铁电随机存储器），以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非易失性存储器的效能需求。如果将新款4Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线，富士通可进一步扩充产品系列，以满足客户多样化的需求。
MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作，还能通过SPI接口支持最高5 MHz的工作频率，并在读取时仅需极低的工作电流。此外，它还拥有 业界非易失性内存最低的读取功耗 。
（又一个“业界之最”！）
未来， MB85AS4MT 还有更多惊喜！
此全新产品采用209mil 8-pin的SOP（small outline package），引脚与EEPROM等非易失性内存产品兼容。富士通在微型8-pinSOP封装中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的最高密度。
富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备，以及量表与传感器等物联网设备。
在未来，富士通会持续提供各种产品与解决方案，以协助客户提升其应用的价值与便利性。
一出场就承包了这么多“业界之最”， MB85AS4MT 怎么也该获得个杰出表现奖吧。
图片来源百度百科
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