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管是现代电子技术的基本组成部分，用于放大和切换电信号，广泛应用于从智能手机到宇宙飞船等各种设备和器件上。但传统晶体管制造方法已到达极限。随着晶体管越来越小，其效率越来越低，且容易受到误差的影响。由于存在量子隧穿效应......
原理融入晶体管的架构设计之中。在量子隧穿效应的作用下，电子能够轻松穿越能量势垒，而非像以往那样需要翻越，从而极大地提升了晶体管开关的灵敏度。为了进一步优化晶体管的尺寸，科研......
铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。 铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应......
年，整个业界就将开始向10nm制程发展。 不过放眼未来，摩尔定律开始有些失灵了，因为从芯片的制造来看，7nm就是物理极限。一旦晶体管大小低于这一数字，它们在物理形态上就会非常集中，以至于产生量子隧穿效应......
业界就将开始向10nm制程发展。 不过放眼未来，摩尔定律开始有些失灵了，因为从芯片的制造来看，7nm就是物理极限。一旦晶体管大小低于这一数字，它们在物理形态上就会非常集中，以至于产生量子隧穿效应，为芯......
封装是一个吸引全球芯片公司关注的领域。在我们所处的“后摩尔时代”（Post-Moore Era），芯片先进制程突破面临极大难度（如量子隧穿效应以及开发成本指数级增长），加之逐渐迈入AI时代以及万物互联趋势愈发明显，多种......
3所示的MRAM三明治结构。上下两层磁体夹着中间的绝缘膜，其厚度大约几纳米，如此薄的绝缘膜使得量子隧道效应能很自如的展现出来。 除了绝缘层外，MRAM中可变磁方向的层（利用自旋注入磁化反转效应......
和栅极间的沟道也在不断缩短，当沟道缩短到一定程度的时候，量子隧穿效应就会变得极为容易，换言之，就算是没有加电压，源极和漏极都可以认为是互通的，那么晶体管就失去了本身开关的作用，因此也没法实现逻辑电路。从现在来看，10......
治结构。上下两层磁体夹着中间的绝缘膜，其厚度大约几纳米，如此薄的绝缘膜使得量子隧道效应能很自如的展现出来。 除了绝缘层外，MRAM中可变磁方向的层（利用自旋注入磁化反转效应）被称为“自由......
还强制加入更多的晶体管，到时芯片的性能就会出现各种问题。 第二、隧穿效应。 所谓隧穿效应，简单来说就是微观粒子可以穿越障碍物的一种现象。 具体到芯片上面，当芯片的工艺足够小的时候，原本......
尽区电场强度＞300kV/cm时，电子空穴对在电场力的作用下挣脱原子核束缚，自由的穿过耗尽区，形成电流。顾名思义：叫做隧穿效应，该过程微观过程如图[10]所示。当PN结两端反向电压进一步增加时，流过PN......
质层已不再是理想的绝缘体，栅极与衬底之间将会出现明显的量子隧穿效应，衬底的电子以量子的形式穿过栅介质层进入栅，形成栅极漏电流Ig。为了改善栅极漏电的问题，半导体业界利用新型高K介电常数（High-k – HK......
建原始的二维异质结，这为电子隧穿进入样品提供了大量相干干涉路径。由于在针尖和样品之间增加了一个连续扫描的扭转角，这种显微镜可沿着动量空间的一条线探测电子，类似......
光能就再次取得技术突破。此次新成果除了采用了天合首创的210×182mm2大面积矩形工业级磷掺杂的直拉法n型硅片衬底和优秀的量子隧穿钝化接触技术外，重点对发射极钝化技术、器件光学陷阱设计以及超细线印刷技术进行提升，实现......
的飞速发展。因为在往同面积电路中集成更多晶体管的时候，提高芯片时钟频率成为了一个“免费的午餐”。 事情发展到2005年前后。在摩尔定律的指导下当晶体管的大小越做越小时，量子隧穿效应（指像电子等微观粒子能够穿入或穿越位势垒的量子......
晶体管，但人们正在寻找下一代材料，以驱动要求越来越高、体积越来越小的设备，并使用更少的功率。这就是隧道式场效应晶体管（或TFET）的作用。TFET依赖于量子隧道，这是一种电子能够通过通常因量子力学效应而无法逾越的障碍的效应......
晶体管，但人们正在寻找下一代材料，以驱动要求越来越高、体积越来越小的设备，并使用更少的功率。这就是隧道式场效应晶体管（或TFET）的作用。TFET依赖于量子隧道，这是一种电子能够通过通常因量子力学效应而无法逾越的障碍的效应......
晶体管的大小低于这一数字，晶体管之间就会产生所谓“量子隧穿”效应，使数据的交换紊乱，为芯片制造带来巨大挑战。也体了现在台积电深厚的技术底蕴。今年年底量产的10nm工艺上台积电就使用了EUV极紫外光刻技术，再往后的7nm、5nm......
-Around，中文名为全环绕栅极晶体管，其本质上是一种新型的晶体管设计，可以在更小的制程下提供更好的性能。 在GAA晶体管中，栅极材料包围了晶体管的源和漏，从而提供了更好的电流控制。 这可以帮助减少量子隧道效应......
做法在闸长大于 7nm 的时候一定程度上能有效解决漏电问题。不过，在采用现有芯片材料的基础上，电晶体闸长一旦低于 7nm，电晶体中的电子就很容易产生隧穿效应，为芯片的制造带来巨大的挑战。针对这一问题，寻找......
增加绝缘层的表面积来增加电容值，降低漏电流以达到防止发生电子跃迁的目的…… 上述做法在栅长大于7nm的时候一定程度上能有效解决漏电问题。不过，在采用现有芯片材料的基础上，晶体管栅长一旦低于7nm，晶体管中的电子就很容易产生隧穿效应......
做法在闸长大于 7nm 的时候一定程度上能有效解决漏电问题。不过，在采用现有芯片材料的基础上，电晶体闸长一旦低于 7nm，电晶体中的电子就很容易产生隧穿效应，为芯片的制造带来巨大的挑战。针对这一问题，寻找......
材料包围了晶体管的源和漏，从而提供了更好的电流控制。 这可以帮助减少量子隧道效应，从而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成为可能。 台积电方面透露，目前GAA的试产良率已经达到了目标的90%，这意......
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件;当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅（SS......
了天合光能首创的210×182mm2大面积矩形工业级磷掺杂的直拉法n型硅片衬底，融合了优秀的量子隧穿钝化接触技术、低复合电流密度的发射极技术、正背面光学陷阱设计以及先进金属化等创新技术，实现......
了天合光能首创的210×182mm2大面积矩形工业级磷掺杂的直拉法n型硅片衬底，融合了优秀的量子隧穿钝化接触技术、低复合电流密度的发射极技术、正背面光学陷阱设计以及先进金属化等创新技术，实现......
，但无论技术如何进步，它的性能都停留在16nm到12nm之间。也就是说，不管是1纳米、0.5纳米、0.2纳米，晶体管的密度都不会有太大的改变。其实，先前就有科学家说过，到了1nm以后，量子隧道效应......
对比。 课题组进一步探索5nm栅长（对应3纳米技术节点）的碳管晶体管。采用常规结构制备的栅长为5纳米的碳管晶体管容易遭受短沟道效应和源漏直接隧穿电流影响，即使采用超薄的高k栅介质（等效......
产生的光生电子隧穿复合。与此同时，n-GaN中的光生空穴流经外电路，表现出负的光电流信号。而当纳米线暴露在365nm光下时，因p-AlGaN不吸收365nm光照，仅有n-GaN吸收365nm光照......
、3nm乃至于1nm，电子芯片也逐渐变得力不从心乃至于濒临终结。 随着制程的不断进步，电子的隧穿效应也将愈发明显，当硅基芯片突破1nm之后，电子将进入不可控状态，这也是目前电子芯片的极限。为了......
团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。 据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。 据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
指出，UltraRAM采用“共振隧穿”量子力学效应，在施加电压时，将势垒从不透明切换到透明。相比于RAM和NAND存储中使用的写入技术，UltraRAM 的写入过程更加节能，因此......
超导量子比特首次通过贝尔测试，有望促进量子计算和量子加密技术发展;贝尔测试可确认两个系统是否真的发生了纠缠。瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）科学家在最新一期《自然》杂志上刊发论文称，他们......
管沟道长度将进一步缩短，晶体管中电荷的量子遂穿效应将更容易实现。这些不受控制的隧穿电荷，将导致晶体管产生较大的漏电流，进而使得芯片的功耗问题变得更加严重。 当然，这些也不是无法攻克的难题。在未......
光电二极管等传统单光子探测器以及基于新型二维材料的雪崩光电二极管、超导纳米线单光子探测器等新型单光子光电探测器的优势与不足，并对其发展前景进行了展望。此外还介绍了单光子探测器在量子通信、激光测距和成像等领域的应用。 单光......
和调控自旋轨道耦合场的方向显得尤为重要。 图1. 硅基锗纳米线空穴双量子点中g因子张量及自旋轨道耦合场方向。 李海欧、郭国平等人在制备的高质量的硅基锗空穴载流子双量子点中观察到了自旋阻塞效应......
新型纳米腔重新定义光子极限，为量子光学新应用打开大门;一个由欧洲和以色列物理学家组成的团队在量子纳米光子学领域取得重大突破。他们引入了一种新型的极化子腔，并重新定义了光子限制的极限。6日发表在《自然......
G.Bawendi）、美国哥伦比亚大学教授路易斯·E·布鲁斯（Louis E. Brus） 和美国纳米晶体科技公司科学家阿列克谢·伊基莫夫（Alexei Ekimov），以表彰他们在发现和合成量子......
一图看懂什么是纳米制程; 来源：内容来自科技新报 ，谢谢。 常听到财经新闻在讨论台积电或三星的半导体技术正进展到几纳米，各位读者是否真的知道这代表什么意思呢？所谓的纳米......
和测量，通过片上量子调控单元实现了对多光子纠缠态的高精度全局相干调控，为可重构的、多体纠缠的量子态片上制备与量子调控技术的应用提供了重要基础。 低尺寸铁电薄膜 北京科技大学张林兴教授、田建军教授研究团队成功解决了如何克服铁电的尺寸效应......
，周鹏认为，随着芯片制程发展至5nm节点以下，晶体管沟道长度将进一步缩短，晶体管中电荷的量子遂穿效应将更容易实现。这些不受控制的隧穿电荷，将导致晶体管产生较大的漏电流，进而......
或线宽更长时是优点，但在 5 纳米线宽以下，却会出现量子力学里所谓的量子穿隧效应，部分电子可能穿透闸极产生漏电流，甚至让电晶体整个无法关闭造成失控。但透过二硫化钼较矽来得重的特性，在较小线宽之下，还能......
2D纳米薄片可在一分钟内制成; 新方法可快速制造出高质量2D薄膜。图片来源：物理学家组织网 日本科学家开发出一种新技术，可以在大约一分钟内制造出仅几纳米厚的二维薄膜材料。借助这一最新技术，非专业人士也能快速制造出高质量的大块纳米......
科学家创造出新型一维超导体，为解决凝聚态物理长期难题提供新路径;英国曼彻斯特大学研究人员创造出一种新型一维系统，成功实现了高磁场中的稳健超导。这是超导领域的一项重大进展，为在量子......
或线宽更长时是优点，但在 5 纳米线宽以下，却会出现量子力学里所谓的量子穿隧效应，部分电子可能穿透闸极产生漏电流，甚至让电晶体整个无法关闭造成失控。但透过二硫化钼较矽来得重的特性，在较小线宽之下，还能......
的硅基半导体器件已经逼近了其极限尺寸。 与此同时，随着实验制备工艺和合成技术的发展，越来越多的纳米材料和纳米结构不断涌现。得益于微小的结构和敏感的量子效应，微纳电子器件在信息感知、物质探测等方面具有先天的优势。相比......
材料全部特性，在电子，光电子和纳电子机械器械中，纳米线起到很重要的作用。它同时还可以作为合成物中的添加物、量子器械中的连线、场发射器和生物分子纳米感应器等。 I-V 测试是纳米线/碳纳米......
5纳米，因为很多原因一直在采用的鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺开始失去动力，包括通过细金属丝传输信号、绝缘各种元件的较薄电介质，以及通过长形栅极控制电流泄漏的能力都在下降；甚至......
芯片可能包含数十亿个晶体管，芯片性能的提升基于晶体管的不断小型化。近年来硅晶体管的小型化速度已放缓，因为到达一定微小尺度后，晶体管功能会受到量子力学某些效应的干扰，从而影响正常运行。 这项研究发表在美国《先进功能材料》杂志......

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