资讯
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量(2024-07-08 15:02)
流功能的实现。然而离子注入后，碳化硅材料的晶格损伤必须通过退火工艺进行修复。
在SiC材料晶体生长过程中，退火工艺可以使硅原子获得足够的能量进行扩散和迁移，使结晶内部重新排列，促进杂质的合理分布，有利......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
之间的电流路径，当施加正栅压后，会在栅槽侧壁形成电子积累的导电通道，实现对电流的调控。
氧化镓在氧气氛围退火能够在表面形成补偿型缺陷，从而形成高阻层。氧气氛围退火工艺是氧化镓较为独特的一种技术手段，这种方式的灵感来源于硅工艺......
两家国产企业半导体设备有新进展(2023-11-29)
两家国产企业半导体设备有新进展;瑶光半导体激光退火设备顺利验收
据瑶光半导体官微消息，近日，瑶光半导体激光退火设备顺利通过验收。
source:瑶光半导体
该设......
8英寸SiC领域现强强联合！(2023-12-20)
领域发展，centrotherm下一步计划进一步增强宽禁带半导体工艺模块的扩散和退火工艺专业性，并将专业知识拓展至SiC/GaN及其他创新性宽禁带半导体材料领域。
作为......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
型半导体NiO由于禁带宽度大及可控掺杂的特点，是目前较好的选择。
该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础，设计了结终端扩展结构（JTE），并优化退火工艺，成功......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
团队提出了衬底诱导的双层成核以及“齐头并进”的全新生长机制。论文共同通讯作者、南京大学教授王欣然表示，团队在国际上首次实现大面积均匀的双层二硫化钼薄膜外延生长。
王欣然表示，研究团队利用高温退火工艺，在蓝......
如何用电流互感器对高频脉冲电流进行有效测量(2023-01-13)
其他复杂电流波形的测试。
高频脉冲电流互感器通常采用特种材料的铁芯，以及特殊的退火工艺和精密的绕线加工，实现不同应用领域的各种暂态电流的测试与量。
一、关于脉冲电流互感器
脉冲电流互感器是根据电磁感应原理......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓(2024-11-22 17:57)
能量损失谱技术，结合高角环形暗场成像及EELS谱与第一性原理计算，精确识别了氮化镓中层错缺陷的原子结构，并观测到相关的三种声子振动模式：局域缺陷模式、受限体模式和完全扩展模式。相关研究实现了氮化物半导体......
碳化硅设备企业拉普拉斯正式上市！(2024-10-30)
等作用；
碳化硅基半导体器件用超高温退火炉用于碳化硅的高温退火活化工艺，可以消除晶格缺陷，有效提高器件的可靠性和成品率。
业绩方面，招股书显示，报告期内（2021年、2022年、2023年和2024......
安泰线束测试仪系统构成及应用原理(2022-12-07)
安泰线束测试仪系统构成及应用原理;1.应用背景
电火工品以电能为初始激发能量引发火工品内部药剂燃烧或爆炸，广泛应用于航工航天、国防军工、通用弹药及民爆器材中。导弹类飞行器使用的火工品主要为电火工......
激光退火仪在国内首条量子芯片生产线上投入使用(2023-01-04)
国产首个工程化超导量子计算机，一直致力于超导与硅基半导体两条产线工艺的量子计算芯片的研发，目前已建设全国第一条量子芯片生产线，发布国内首个量子芯片设计工业软件“Q—EDA”本源坤元，进一......
超全！各类设备原理，海量动图一文就够！(2024-01-24 22:33:33)
▲ 湿法脱硫工艺原理
▲ 钢球磨煤机内煤的破碎原理......
国内首个用于量子芯片生产的激光退火仪研制成功(2023-01-05)
省量子计算工程研究中心副主任贾志龙表示，这台激光退火仪拥有正向和负向两种激光退火方式，可以在生产过程中灵活调节多比特超导量子芯片中量子比特的关键参数。同时，该设备还可用于半导体集成电路芯片、材料表面局域改性处理等领域，目前......
中国科研团队研制成功“量子芯片激光手术刀”(2023-01-04 10:16)
两台机器相互配合，才能够生产出更高质量的量子芯片。 本源量子团队技术起源于中科院量子信息重点实验室，该团队一直致力于超导与硅基半导体两条产线工艺的量子计算芯片的研发，先后......
IAIC 2023启动仪式精彩汇总：中国“芯”的市场创新应用(2023-04-10)
XCC.COM(企业SaaS)和APP两种产品形态，拥有产业链上下游资源、大数据、AI计算等能力，可根据行业半导体数据来做统计和分析，可为客户提供预警，助力其优化策略。
沈奕鹏博士介绍说，中电港萤火工......
考究：三星到底有没有偷台积电技术？(2017-04-19)
FinFET，因为该代制程的线宽与前一代传统半导体2D 平面工艺20 纳米的线宽差不多。
但三星抢先命名为「14纳米」，为了不在宣传上吃亏，台积电改称为「16纳米」。事实上，三星......
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术(2024-08-15)
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术;摘要：使用SEMulator3D®可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低
封面图：
正文：
作者：泛林集团 Semiverse......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
比例相关的挑战和相关问题，例如来自注入的寿命致命缺陷和来自高温退火的晶格畸变，这就是我们至今仍未见到商业上可用的双极型功率半导体器件（例如SiC中的IGBTs）的重要原因。
UJ4C075018K4S装置的APT
实现......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
揭示器件规格书远远不能提供的器件特性。
分析半导体掺杂的技术多种多样，例如：
· 扫描式电容显微镜(SCM )，我们经常将它包含在我们的功耗报告中，这为我们提供了大面积的相对掺杂物分析。
· 扫描式电阻测定(SRP......
国产碳化硅芯片项目面临的几个实际问题(2022-08-12)
芯片研发经验，2年以上车用碳化硅的开发经验；负责过完整的产品开发，超过两款大功率碳化硅的设计、性能与工艺开发以及产品的测试评价；熟悉硅半导体开发流程所需的工具和资源链，掌握碳化硅功率半导体性能涉及与工艺......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
1400℃退火时电激活率小于10%，需要1600℃退火才能接近100%激活。
与p-type掺杂比例相关的挑战和相关问题，例如来自注入的寿命致命缺陷和来自高温退火的晶格畸变，这就是我们至今仍未见到商业上可用的双极型功率半导体......
湖北再添一存储器项目；两大国际半导体厂商会谈(2023-01-09)
目进入产品投产流通与产能建设上量并行阶段。
华润微电子先进功率封测基地项目，是华润微电子布局的中高端功率封装项目，致力于打造聚焦于汽车电子和工控市场、国内工艺全面、技术先进、规模领先的功率半导体专用封测工厂，包括模块级、晶圆......
瑶光半导体宣布自研的SiC激光退火设备交付(2023-10-02)
瑶光半导体宣布自研的SiC激光退火设备交付;9月26日，瑶光半导体公司（下文简称“瑶光半导体”）公众号发文称，公司自研的首批SiC激光退火设备ES500-2量产下线，并举行了交付仪式。
SiC......
浅谈因电迁移引发的半导体失效(2024-02-28)
移满足失效分布函数曲线，产品失效模式与产品工艺、工作温度关系密切。
2、 相关理论
电迁移现象主要发生在半导体在通电状态下，由于电场作用，原子在与电子流的带动下，由于摩擦，产生移位现象，这一......
突发！日本一家半导体工厂突发大火停产...(2020-10-22)
突发！日本一家半导体工厂突发大火停产...;综合日本共同社、时事通讯社报道，20日下午4点45分左右，旭化成旗下集团公司从事半导体制造的旭化成微电子株式会社延冈制造所的一处工厂发生了火灾。
报道......
总投资10亿元 思普尔科技项目落户扬州高新区(2021-03-24)
晶圆芯片实验线项目正式签约落户扬州高新区。
图片来源：扬州高新区
项目分三期实施，一期新建半导体设备研发中心、设备制造中心、设备工艺性能测试中心和一条6英寸晶圆芯片试验线，主要从事半导体高温氧化设备、全自动清洗干燥设备、涂胶......
FD-SOI卷工艺：三星/ST力推18nm，GlobalFoundries直奔12nm！(2024-10-23)
FD-SOI卷工艺：三星/ST力推18nm，GlobalFoundries直奔12nm！;在2024年，FD-SOI几个大的技术里程碑包括：
3月19日，意法半导体......
用于量子芯片的光刻机、刻蚀机，EDA，我们都研发成功了(2023-01-09)
引用地址：而从3nm到1nm之间，也就只有2nm这么一代工艺了，之后就再难前进了。
那么在硅基芯片之后，业内认为下一个发展重点就是，与普通的硅基芯片相比，的性能、计算容量强大太多了。
举个最简单的例子，在......
半导体设备厂商屹唐半导体拟闯关科创板(2021-05-19)
于1988 年，总部位于美国加州费力蒙特，是世界著名半导体制造设备供应商之一。
据介绍，屹唐半导体主要为全球半导体芯片制造厂商提供干法去胶、干法刻蚀、快速热处理、毫秒级快速退火......
碳化硅市场快速崛起，IDM和代工厂加快布局，产业链打响“最后的战役”(2023-01-24)
元。
目前，碳化硅已逐渐成为未来汽车功率半导体重要的发展方向之一，TrendForce集邦咨询表示，未来随着碳化硅材料技术不断取得突破，以及芯片结构及模块封装工艺......
6家半导体企业IPO新进展(2023-12-29)
成功过会。
公开资料显示，拉普拉斯是一家领先的高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。公司热制程设备主要包括硼扩散、磷扩散、氧化及退火......
仪表故障的规律和处理方法(2023-03-27)
指示值未高于设定值，安全阀即起跳。应对照相关仪表，如各点温度正常，则为安全阀未调好，如各点温度升高，则为压力示值低于真实压力。
压力波动
压力波动虽大，但缓慢，一般应为工艺原因，负荷、加料、回流、温度......
SEMICON2024收官，第三代半导体赛道竞争激烈！(2024-03-25)
飞秒激光器等。碳化硅领域，大族半导体主要带来SiC 晶锭激光切片设备、SiC激光退火设备等产品。据悉，大族半导体主研应用于硅、SiC、砷化镓、GaN等材料的加工工艺，并一......
SEMICON2024收官，第三代半导体赛道竞争激烈！(2024-03-26)
领先
中环领先携4-12英寸化腐片、抛光片、退火片、外延片、SOI片等全产品系列亮相展会，其中展示了6/8英寸SiC、GaN外延片。据悉，中环领先专注于半导体材料及其延伸产业领域的研发和制造，目前其第三代半导体......
电机制造工艺中造成损耗偏大原因是什么(2024-03-11)
导致该区域内部的铁损相应增加。所以，此时可以将应力区域内的材料当成是沿着冲击边缘落在普通叠片之上的高损耗材料，这样的话，就可确定下来边缘材料的实际常数，利用铁损模型对冲击边缘的实际损耗开展进一步确定。
1
退火工艺......
电机的铁损怎么降低(2024-01-11)
可以将应力区域内的材料当成是沿着冲击边缘落在普通叠片之上的高损耗材料，这样的话，就可确定下来边缘材料的实际常数，利用铁损模型对冲击边缘的实际损耗开展进一步确定。
1 退火工艺对铁损影响
铁损......
经过三年的努力，韩国实现了光刻胶本地化生产(2022-12-15)
其大规模生产线。2019 年 7
月，日本方面宣布限制向韩国出口包括含氟聚酰亚胺、光刻胶以及高纯度氟化氢在内的三项重要半导体及 OLED
面板原材料，经过三年的努力，韩国实现了光刻胶本地化生产。
三星电子被发现在他们的一条半导体工艺......
工业富联辟谣！880亿卢比印度建厂不实(2023-07-19)
平台传闻纯属不实报道。目前公司不存在应披露而未披露的重大信息。
实际上，就在前几日，富士康宣布退出与印度矿业集团韦丹塔（Vedanta）成立的价值195亿美元的半导体合资企业。按照原计划，这本应是印度第一家半导体......
消息称台积电2nm制程工艺已在7月份开始风险试产 早于预期(2024-09-20)
定的良品率。
此外，外媒在报道中还提到，台积电在去年12月份，就已向包括苹果、英伟达在内的部分大客户，展示了他们2nm制程工艺原型的测试结果。
作为台积电连续多年的大客户，苹果是他们先进制程工艺......
首条8英寸GaN中试线启动，香港三代半产业“跑步”前进(2024-07-31)
首条8英寸GaN中试线启动，香港三代半产业“跑步”前进;为共同推动香港微电子产业发展，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司于7月30日举行了香港首条超高真空“第三代半导体......
上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展(2022-03-21)
上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展;立体化学是从三维空间揭示分子的结构、性质、反应行为及功能，手性分子和同分异构体是立体化学的重要研究内容。有机半导体......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。
另外，该研究团队在MBE异质外延β-Ga2O3生长机制的基础上，结合半导体光电响应原理......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
应用领域的高压耐受性能。
本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体P型氧化镓的制造，并在其上重新生长N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二极体，结果展示出优异的电性表现，这一......
氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发项目获得立项(2024-01-12)
支撑氮化镓材料衬底上研发出高性能、低成本的微波-直流转换芯片。通过探索新型半导体工艺、先进封测技术来提高芯片稳定性、可靠性，团队有信心整体性能达到国际前沿水平。
目前，江南大学建有宽带隙/超宽禁带半导体......
2nm 争夺战打响，消息称三星用低价策略挑战台积电地位(2023-12-12)
Times 报道，高通公司计划将下一代高端手机芯片的部分订单，从台积电转移到三星的 2nm 工艺。
报道称台积电已经向苹果、英伟达等主要客户展示了 2nm 工艺原型测试结果；而三星也跟进推出了 2nm......
35亿元，斯达半导拟投建SiC芯片/功率半导体模块等项目(2021-03-03)
/功率半导体模块等项目。
公告显示，斯达半导本次非公开发行股票募集资金总额不超过35亿元（含本数），募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体......
投资超24亿，泓亚半导体器件封装等11个项目在福建武平签约、开竣工(2021-11-25)
目位于武平工业园区，由深圳市泓亚智慧电子有限公司投资建设，计划总投资4亿元，建设3条月产半导体器件封装用内引线8000万米生产线（金线，银线，铜线）。该项目建设采用先进的生产工艺、生产设备。入驻的主要设备有：熔炼炉、拉丝......
硅电容差压传感器叠层静电封接工艺研究(2023-01-30)
硅电容差压传感器叠层静电封接工艺研究;本文引用地址：0 引言
静电是一种能将电介质（玻璃、陶瓷等绝缘材料）与半导体或导体实现硬性、清洁、坚固连接在一起的工艺。静电的根本出发点是在玻璃与半导体......
IPO最新规定出炉！半导体四家企业迎最新进展(2024-04-19)
器件用超高温氧化炉用于SiC的高温氧化工艺，高温下使硅片表面发生化学反应形成氧化膜，从而起到钝化、缓冲隔离、保护等作用；SiC基半导体器件用超高温退火炉用于SiC的高温退火活化工艺，可以消除晶格缺陷，有效......
中国IGBT和国外有多大差距？看完这篇你就清楚了(2017-01-25)
将引来爆发点
我国发展IGBT面对的具体问题
虽然用量和可控要求我们发展IGBT，我们也做了很多努力，但当中还是有些问题需要重点考虑的：
（1）IGBT技术与工艺
我国的功率半导体......
相关企业
;徐州隆汇机械厂;;在线电热短路退火工艺――“自动流水线镀锌” 经拉丝机拉出的铁丝直接进入电热短路退火设备，在一根铁丝上带三种不同电压，退火、镀锌一次完成，无酸洗，无氢电镀，无环境污染。本工艺退火
技术力量雄厚，生产经验丰富，检测设备齐全，生产工艺先进。银铜复合材料采用国际上先进的高频脉冲焊接法；复合触点处理，采用真空烧结退火工艺。本厂宗旨：质量第一、用户至上、价格优惠、交货及时。
;成都鑫南光机械设备有限公司;;成都鑫南光机械设备有限公司专业提供在微电子工艺生产方面使用的多种型号的光刻机；在真空器件生产方面使用的排气设备（真空排气台）；在真空钎焊、陶瓷金属化、烧氢退火工艺
根据用户的特殊要求进行专业设计、生产。 本厂技术力量雄厚，生产经验丰富，检测设备齐全，生产工艺先进。银铜复合材料采用国际上先进的高频脉冲焊接法；复合触点处理，采用真空烧结退火工艺。 本厂宗旨：质量第一、用户至上、价格
售各种品牌除静电离子风机。特有的除静电功能被广泛用于半导体生产线、半导体装配生产线、芯片、微处理器硬盘、驱动器、复合材料、LED显示、线路板生产线、精密仪器、光学产品、航空工业、PCB产品、医疗设备、航空
;鹏飞铁心厂;;我厂是多年生产低压 高压 互感器， 环形铁芯，，磁环的专业工厂。环形铁芯，系列选用武钢．美国．日本冷轧取向（厚度0.27-0.3mm）硅钢片卷制，采用先进的消除应力退火工艺处理，并获
;匹克半导体有限公司;;匹克半导体有限公司成立于2007年，本公司宗旨就是致力于发展中的中国半导体行业。本公司的主要任务是从西方引进半导体工艺设备和技术，并提供优质的售后服务。 匹克半导体有限公司采用了西方的客
;惠州市惠阳区镇隆东安五金塑胶加工厂;;在许多先进的半导体元件制造中，化学机械抛光（CMP）是非常很需要的制造技术。化学机械抛光在特定的制造步骤间，让硅晶圆表面达到全面的平面化，使更
;青岛赛尔微电子有限公司;;青岛赛尔微电子有限公司是集科研、开发、制作和服务为一体的高新技术企业，公司与多所高校和研究机构有着密切的合作，并与一些半导体厂达成技术合作关系，主要从事半导体
;惠州星火工业自动化设备有限公司（惠州星火工业自动化设备有限公司）;;