3月2日，嘉兴斯达半导体股份有限公司（以下简称“斯达半导”）发布2021年度非公开发行A股股票预案，公司拟定增不超35亿元，投建SiC芯片/功率半导体模块等项目。

公告显示，斯达半导本次非公开发行股票募集资金总额不超过35亿元（含本数），募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目、以及补充流动资金。

政策助力，中国功率半导体迎发展良机

第三代半导体具备高频、高效、高功率、耐高温高压等特点，契合节能减排、智能制造等国家重大战略需求，已成为全球半导体技术和产业新的竞争焦点。

近年来，国家政策的大力支持给第三代半导体和功率半导体行业的发展带来了良好的机遇。

• 为推动支持SiC等第三代半导体材料的制造及应用技术突破，国家引发了多项鼓励性和支持性政策，将SiC、GaN和AlN等第三代半导体材料纳入重点新材料目录。
• 国家2030计划和“十四五”国家研发计划也已明确第三代半导体是重要发展方向
• 国家科技部、工信部、北京市科委牵头成立了第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA），推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展。
• 科技部在国家科技支撑计划重点项目《电力电子关键器件及重大装备研制》中，重点支持IGBT芯片和模块的研发。

此外，工信部也在电子发展基金中也对IGBT器件及模块进行了资助。

目前，中国是全球最大的功率半导体市场，在新基建的产业环境下，5G、新能源汽车、数据中心、工业控制等诸多产业对功率半导体产生了巨大的需求，随着功率半导体市场的持续发展与国产替代进程的加速，功率半导体具有广阔的市场前景。

斯达半导加码碳化硅功率芯片

高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目由斯达半导全资子公司嘉兴斯达微电子有限公司负责实施，总投资金额20亿元。

项目拟通过新建厂房及仓库等配套设施，购置光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设备，实现高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化。项目达产后，预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。

斯达半导体表示，本项目的实施，有助于加快我国第三代半导体功率器件的技术突破，实现新能源汽车核心器件的国产化，改善智能电网、轨道交通等基础设施关键零部件严重依赖进口的局面，推动高压特色工艺功率芯片和SiC芯片国产化进程。

功率半导体模块生产线自动化改造项目由嘉兴斯达半导体股份有限公司负责实施，总投资金额为7亿元。

该项目拟利用现有厂房实施生产线自动化改造项目，购置全自动划片机、在线式全自动印刷机、在线式全自动贴片机、在线式全自动真空回流炉、在线式全自动清洗机等设备，实施功率半导体模块生产线自动化改造项目。项目达产后，预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。

斯达半导表示，实施以IGBT、SiC模块为主的功率半导体模块生产线自动化改造项目，将进一步扩大公司产能，有助于提高市场占有率。

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