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：硅原子结构；中：掺杂砷，多出自由电子；右：掺杂硼，形成电子空穴 11、绝缘层处理 此时晶体管雏形已经基本完成，利用气相沉积法，在硅晶圆表面全面地沉积一层氧化硅膜，形成绝缘层。同样......
}在晶锭直径超过约70 mm后逐步消失。 图五 奥趋光电自主开发的UTI-PVT-D075H型全自动AlN单晶气相沉积炉 奥趋光电对化学机械抛光（CMP）后的2-3英寸AlN衬底进行了高分辨X衍射......
其一致性更好，化学气相沉积(CVD)法制备多孔硅碳复合材料膨胀率更低，对应的循环性能也得到了显著提升。“宁德时代从中长期提升能量密度的角度，鼓励材料厂商发展硅碳负极，尤其是化学气相沉积法。”该机构称。 　　 当然......
于直接探测中子的半导体材料应富含Li/B等强中子吸收元素、较大的带隙、高电子/空穴迁移率与寿命，以及可制备出大块高质量单晶等要求，目前已知的能同时较好地满足上述条件的材料体系不多。2020年美国研究人员在《自然》期刊上报道了关于利用化学气相传输法制备......
种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。 4.2单晶衬底 单晶......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展;具有精确控制取向的有机半导体单晶阵列图案在高性能光电器件的制备与集成中具有重要意义。有机半导体单晶具有固有的长程有序、无晶......
兴带领团队经过长期科研攻关，独立自主开发了系列具有自主知识产权的单晶金刚石微波等离子体化学气相沉积设备，掌握了有关技术，并已全面完成了原理性创新、实验室试验研究和中试实验，可批量化提供1-2英寸的大面积高质量单晶......
似与集成电路产业链有关联的技术主要有：化学气相沉积法（CVD）制备碳化硅（SiC）纤维技术（材料）、多种人工晶体生长与加工技术（材料）、非晶、微晶金属冶金技术（材料）、宽带小型化隔离器制造技术（器件......
新材落户动力谷自主创新园。随后，德智新材自主设计的国内最大化学气相沉积设备完成调试投入使用。这个设备能在高温、高真空环境下合成镜面纳米碳化硅涂层。目前，“德智新材”成为国内最大单晶太阳能生产企业——隆基......
外延）、氨热法（Ammonothermal）、 助熔剂法/钠流法（Na Flux Method）三种，还有一些厂商采用PVD（物理气相传输法）、MOCVD（金属有机物化学气相沉积）、MBE......
电子器件、光电探测器等高端领域需要大面积高质量的石墨烯单晶，与普通多晶态石墨烯薄膜相比，单晶石墨烯薄膜制备异常困难，目前只能做到毫米级大小，与可实用化的晶圆级大小仍有相当距离，短期内较难突破，化学气相沉积法是最具开发潜力的制备......
年每年生产2万片4英寸晶圆。Flosfia公司采用喷雾化学气相沉积法已成功制备具有全球最小导通电阻的肖特基二极管，已在日本电装上试用。 美国......
半导体CVD设备国产化进行到哪步了？;近日，微导纳米发布官方消息，公司的首台半导体CVD薄膜沉积设备顺利发货。 CVD设备需求提升 薄膜沉积分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积......
个制作过程中，薄膜材料被沉积在晶片上以生成电子元件。这可以通过多种技术来实现，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）。这些工艺可用于沉积金属、氧化......
瑞典Ionautics lonMeter：精准监测电离分数与沉积通量，助力PVD/IPVD工艺与涂层质量双重提升;在物理气相沉积（PVD）和电离物理气相沉积（IPVD）领域，精确监测沉积......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
纳米均持股27.7624%，盛美上海持股16.6574%。 资料显示，拓荆科技主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积......
方法，分别名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”，哈佛大学称“这种薄膜对于计算机和手机等众多产品的关键部件至关重要”。 哈佛大学认为三星电子在代工高通骁龙 8 Gen 1 处理......
户拓展、新市场开发取得显著成效、新产品得到客户认可，订单量持续增长，公司营收保持高增长。 盛美上海主要从事单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相沉积......
状态丧失流动性后的状态 MOCVD：有机金属气相沉积法，使用有机金属和气体作为原料的晶体生长方法 占板面积：占有面积，这里指设置装置时使用的面积 压电体：指通过施加应力产生极化（电压）的介电体 热释......
步完善了公司两大板块工业系统和半导体系统设备。 注：色块为PVA可提供设备的板块 至今，PVA TePla掌握了几乎所有与工业领域应用的晶体生长技术，包括区熔法、直拉法、垂直梯度法，还有化学气相沉积法及PVT法。尤其......
北方华创国产12英寸HDPCVD设备进入客户生产线;近日，由北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备Orion Proxima正式进入客户端验证。 北方......
基地位于湖南益阳，致力于半导体领域高纯碳化硅涂层及陶瓷零部件的研发、生产、销售、应用服务与开发支持。 其湖南制造基地（湖南铠欣新材料有限公司）建立了化学气相沉积（CVD）碳化硅涂层生产线、精密......
。未来，通过使用狭缝挤压涂布法等工业化兼容的薄膜沉积法，制备具有更大面积的逐层沉积的紫外光掺杂氧化锌薄膜或将助推有机光伏市场化进程。......
；立式炉管系列设备已批量进入多家客户生产线；涂胶显影Track设备已进入客户端正在验证中；等离子体增强化学气相沉积PECVD设备正在研发中，预计2024年该设备的工艺覆盖率大概达到50%左右......
安装硼扩散、等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）、物理气相沉积设备（PVD）、板式原子层沉积设备（ALD）、烧结炉、光注入、碱抛机、碱制绒机、热水机、烘干炉、镀舟机、插片机、分选机、测试机、冷水......
年底入驻运营；二期为生产基地项目，2023年底启动建设，投资14.4亿元，占地约40亩。 据介绍，深圳市拉普拉斯能源技术有限公司是一家高科技高端装备研发制造企业，主要产品涵盖低压水平扩散系统、低压化学气相沉积......
成立于2020年，是一家法德合资的碳化硅源粉厂商，不同于国内主流的自蔓延碳化硅粉料合成方法，Zadient公司是通过化学气相沉积（CVD）工艺生产高纯度碳化硅源材料。 河北......
家法德合资的碳化硅源粉厂商，不同于国内主流的自蔓延碳化硅粉料合成方法，Zadient公司是通过化学气相沉积（CVD）工艺生产高纯度碳化硅源材料。 河北同光股份 同光股份在现场展示了6/8英寸......
GaN开启了“无限复制”时代！;2月21日，光州科学技术院（GIST，校长Kichul Lim）宣布，学校电气工程与计算机科学学院的Dong-Seon Lee教授的研究团队已经开发出了仅采用金属有机化学气相沉积......
至14.95亿元，同比增长47.88%至55.27%。资料显示，拓荆科技专注于研发和生产高端半导体专用设备，产品线包括离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积......
烯的制造方法主要有“自上而下”和“自下而上”两种方法。“自上而下”方法可规模化，并且成本较低，包括微机械剥离、溶液剥离、碳纳米管的解压缩等方法。“自下而上”方法是通过原子组装的形式来制备石墨烯，包括化学气相沉积......
一种受控的表面反应来调节应力和氟含量，并有效降低电阻。与传统化学气相沉积 (CVD)的钨填充相比，ALTUS Max E 系列产品工艺可使检测到的氟减少 100 倍、内应力降低10倍、薄膜电阻率降低 30......
北京知识产权法院提起行政诉讼，该案于2018年被受理，定于2020年9月10日下午14时开庭审理。 据了解，“化学气相沉积装置”专利涉及的MOCVD装置为生产半导体器件如发光二极管（LED）芯片的核心设备，占据......
盾源聚芯半导体科技有限公司将导入高纯硅部件项目。而浙江富乐德半导体材料科技有限公司将导入高纯氧化铝及化学气相沉积碳化硅产品生产线，氧化铝产品具备优异的耐高温、抗氧化、耐腐蚀、耐磨耗、高导热、高绝......
金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。 封面图片来源：拍信网......
件项目竣工投产仪式于银川市西夏区经济开发区举行。 图片来源：宁夏富乐德石英材料有限公司官微 宁夏富乐德石英材料有限公司官微消息称，宁夏盾源聚芯是一家专业从事半导体石英坩埚、半导体硅部件材料、半导体刻蚀用硅部件以及气相沉积......
露，埃延半导体由拥有20-30年高温气相沉积开发经验的团队组建，主要成员来自美国应用材料公司，该公司创始人及其技术团队研发的第一代设备“单腔体多片式8英寸硅片外延设备”在境外已经获得国际主流芯片厂商I公司......
烯作为一种2D平面材料，有较严重量子效应，边缘态和晶态均很大程度影响电子结构和电性质； 需要深入研究石墨烯的导电性，使石墨烯集成电路有更优异的性能。  以上问题体现在产业中，就是制备起来贵：利用化学沉积法制备......
衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错（TSD）”密度和低基平面位错（BPD）密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备，其中螺位错密度为0.55 cm-2，基平......
北方华创高介电常数原子层沉积设备获批量订单;3月21日，北方华创宣布，近期公司12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单。这标志着北方华创 CVD （化学气相沉积......
中微公司扩充业务产品线，推出12英寸薄膜沉积设备Preforma Uniflex™ CW; 【导读】近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，）推出自主研发的12英寸低压化学气相沉积......
注入设备、气相沉积设备、量测检测设备、先进封装设备等核心产品研发，在关键制程实现产业化突破；加强核心零部件本土保障能力，推进光学、过滤、真空、运动、电控、密封、陶瓷等零部件攻关。 二是新型显示装备，推进......
机共同构成芯片制造三大主设备，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已......
半个多世纪的发展，ASM已在原子层沉积 (ALD)、外延（Epitaxy）、化学气相沉积 (CVD)、Si和SiC外延等领域取得卓越成就。截至目前，ASM已在全球16个国家和地区建立分部。ASM的普......
司在12吋大硅片外延用SiC涂层石墨盘、实体SiC刻蚀环产品实现技术突破，成为国内极少具备量产能力的企业。 据了解，利用CVD气相沉积技术生成的碳化硅材料，相比于烧结成型的碳化硅材料纯度更高，因此......
现面向应用的高性能氧化镓晶体管提供了新思路。该成果发表于第36届国际功率半导体器件和集成电路会议，并获得了大会唯一最佳海报奖。   （七）2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化 西安交大研究团队采用微波等离子体化学气相沉积......
先进存储器工艺，开发抛光垫、光刻胶、电子化学品和键合材料，布局化学气相沉积材料、溅射靶材、掩膜版、大硅片等材料项目；在封测环节，引进和培育国内外封装测试领军企业，突破先进存储器封装工艺，推进......
广告 半导体制造行业一直以来使用的填隙方法包括传统的化学气相沉积 (CVD)、扩散/熔炉和旋涂工艺。然而，由于这些技术需要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍，因此已无法满足当前3D NAND......

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设备的系统研制，设备性能指标达到或接近国外先进水平，弥补了国内高端设备制造的不足。开发了化学气相沉积（ＣＶＤ）、物理气相沉积（ＰＶＤ）、磁控溅射、射频溅射、离子束表面处理等多项技术，技术
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北京宇丰凯电子有限公司
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;普光科技（番禺）有限公司;;普光科技（番禺）有限公司成立于1999年，由香港普基集团投资设立的高新技术企业。公司吸引了国内外擅长光电材料成长和研发等方面的人才，并采用先进的金属有机物化学气相沉积
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