资讯
奥迪威MEMS超声波传感器——AW101(2023-09-25)
航天等多个重要领域。
MEMS 压电薄膜超声换能器技术近年来开拓出较为广阔的市场化应用，但由于其技术壁垒较高、研究难度较大，仍然存在增加发展速度与提高发展水平的需要。2021年国家“十四五”规划......
晶旭半导体高频滤波器芯片生产项目主体封顶(2024-08-07)
在年底之前具备设备模拟的条件。
根据报道，二期项目为基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，于2023年12月开建，总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区，将建......
16.8亿元！福建晶旭半导体项目二期已完成主体厂房建设(2024-12-10)
进行内外墙的装修，预计年后进入机电暖通、安装工程及精装修工程。
2023年12月，晶旭半导体二期，即基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，开工建设。该项目总投资16.8亿元，建设136亩工......
“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目启动(2024-05-15)
“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目启动;据赛微电子消息，近日，2023年度国家重点研发计划“智能传感器”重点专项“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目......
人工耳蜗新进展，科研人员利用打印技术制备高性能无铅柔性压电声敏传感器(2022-12-30)
形成的准同型相边界，显著提高应力对压电材料性能影响，实现压电响应增强；另一方面在压电薄膜表面引入微锥阵列，增加与声波的接触面积，增强对声波的吸收，从而制备高性能柔性压电声学（FPAS）。
IT之家获悉，该显......
泛林集团如何助力触觉技术的实现(2023-11-17)
拟崎岖道路或者恶劣天气。
触觉像素
压电材料是前景最广阔的触觉技术之一，它在受到外界压力时会产生内部电场。反之，当受到外部电场作用时，就会膨胀或者收缩。
将压电薄膜......
泛林集团助力触觉技术的实现在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为大批量生产关键(2023-11-17)
材料是前景最广阔的触觉技术之一，它在受到外界压力时会产生内部电场。反之，当受到外部电场作用时，就会膨胀或者收缩。
将压电薄膜悬浮在空腔上方并固定其边缘，它就会在电信号的作用下上下弯曲。这种压电制动器可以做得非常小，有些......
xMEMS宣布全球独家全硅固态保真MEMS扬声器上市(2023-05-04)
保真能够提供更准确的源音再现和卓越的聆听体验。”
MEMS扬声器利用压电薄膜技术作为执行器，取代了线圈和磁铁。当压电薄膜与硅结合作为扬声器膜片，实现了世界上第一个固态扬声器。与电子产品中使用的传统音圈扬声器不同，xMEMS微型......
释放20%股权，云传智联如何通过AIoT VOC控制器切入健康家居市场？(2021-07-30)
Lab（全球唯一压电薄膜实验室）的工作经历，核心成员有压电薄膜材料专家张志成、压电陶瓷材料专家杨文伍、传感器制造专家龚立平。
云传智联涉及的传感技术有压电、超声、液位、加速度、压力、位移、气体等，以压电薄膜......
晶旭半导体氧化镓外延生产基地预即将投产(2024-12-11)
核心装备自主研发，外延芯片自主设计制造，器件封测一体化的全产业链布局。建成后不仅填补了国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白，同时，对上杭县新材料产业发展具有重要推动作用。
据睿悦投资消息，截至......
SABIC即将亮相2023上海国际电子元器件展览会(2023-08-10)
其ELCRES™ HTV150A 耐高温介电薄膜在潜在的耐高温电容器应用中能显著降低内部介电损耗。在高达 150°C 的温度和100kHz 的频率条件下，ELCRES HTV150A 薄膜......
基础知识之薄膜压电MEMS(2024-04-02)
元素符号（PbZrxTi1-xO3）（0<x<1）的首字母，压电性能非常强，称得上是压电元件的主角。
薄膜压电和块体压电
大致将厚度约为几μm的叫作薄膜压电（压电薄膜），几十μm以上的叫作块体压电......
东华大学在透明导电薄膜材料方面取得进展(2022-10-24 10:36)
东华大学在透明导电薄膜材料方面取得进展;近日，东华大学先进低维材料中心特聘研究员唐正课题组在《自然·通讯》上发表了一项研究成果，即一种全新的逐层沉积工艺制备的透明导电薄膜材料，并明确了薄膜......
Meta Materials和Panasonic Industry合作开发下一代透明导电材料(2023-10-07)
功能透明导电材料领域的领先解决方案提供商。而 Panasonic Industry Co., Ltd.（Panasonic Industry）则是松下集团内负责设备业务的运营公司，拥有专有的可扩展工艺技术，可提供细线低电阻和高透明度导电薄膜......
Meta Materials和Panasonic Industry合作开发下一代透明导电材料(2023-10-07 15:17)
Panasonic Industry Co., Ltd.（Panasonic Industry）则是松下集团内负责设备业务的运营公司，拥有专有的可扩展工艺技术，可提供细线低电阻和高透明度导电薄膜。两家......
微机械超声换能器（MUT）简介(2024-03-07)
）
2018~2030年超声传感技术路线图（来源：Yole）
得益于压电薄膜制备及集成技术的发展，PMUT呈现“百花齐放”的局面，在飞行时间（ToF）测距、超声成像、指纹识别、人机交互、芯片......
xMEMS宣布其全球独家全硅固态保真MEMS扬声器全面上市(2023-05-09)
保真能够提供更准确的源音再现和卓越的聆听体验。”
MEMS扬声器利用压电薄膜技术作为执行器，取代了线圈和磁铁。当压电薄膜与硅结合（而不是塑料或纸）作为扬声器膜片，实现了世界上第一个固态扬声器。与电......
xMEMS宣布其全球独家全硅固态保真MEMS扬声器全面上市(2023-05-09)
风的轨迹发展。消费者对高分辨率、空间音频、无损流媒体音频的需求，代表了音频内容的代际转变，这需要在声音再现方面进行类似的演变。固态保真能够提供更准确的源音再现和卓越的聆听体验。”MEMS扬声器利用压电薄膜......
射频芯片（RFIC）——5G 通信的核心(2023-03-30)
光电国家研究中心孙军强课题组（华中科技大学）在非压电的绝缘体上硅平台上沉积一层压电性能优异的铝钪氮（AlScN）压电薄膜，通过在压电薄膜上设计叉指换能器实现表面声波的激励，进而实现了在硅波导中的声光调制，可应......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求(2024-02-27)
12H
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC
NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项......
消息称三星和 AMD 签署价值 4 万亿韩元的 HBM3E 12H 供货协议(2024-04-24)
容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。
HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得 12 层和 8 层堆......
【成电协·会员行】芯仕成---突破技术封锁，争创新一代射频滤波器国产代表品牌(2022-11-29)
芯仕成主要竞争产品有FBAR滤波器、介质滤波器、LTCC滤波器和MEMS滤波器等。核心技术是高品质压电薄膜材料，新型声表面波（SAW）和体声波（BAW）滤波器器件结构、制备工艺和封装方法等。
公司......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求(2024-02-28 09:36)
技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求(2024-02-28 09:36)
技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆......
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战(2023-08-04)
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战;提升集成电路中的介电层性能可以在现在和未来的存储器和逻辑电路发展中产生巨大的战略影响。本文引用地址：
想象一下，在一个挤满人的大房间里，每个......
质子介导法为下一代内存设备和神经形态计算芯片提供动力(2023-07-21)
结构由嵌套在底部铂层和顶部多孔二氧化硅之间的氧化铝绝缘片组成。铂层充当外加电压的电极，而多孔二氧化硅则充当电解质，为铁电薄膜提供质子。
研究人员通过改变外加电压，逐渐从铁电薄膜中注入或移除质子。这就......
居家养老视角下老人过久离床监测系统设计(2023-08-25)
步显示；通过串口和 报警模块连接，实现用户手机端短信或手机拨号信号的提醒。
1.1.2 睡眠状态监测模块
睡眠状态监测模块采用基于压电薄膜技术的睡眠传感带[6]。压电薄膜受到压力的额作用时，其厚......
村田中国将在AWE 2024展示聚焦于智能生活的创新产品组合(2024-03-07)
智能生活终端绿色发展：此次展出的Picoleaf压电薄膜传感器利用压电原理，作为传感器工作。该款产品采用以薄膜为基础的材料构成，透光率可达到90%以上，超薄且具有韧性，可弯曲使用，具备高灵敏度、高灵......
村田为新型透明可弯曲导电膜寻找合作伙伴(2022-12-30)
Conductive Film）
图1：村田开发的透明可弯曲导电膜及其优点
该薄膜结合了导电性，同时即使在弯曲时也是透明的。
用于触摸屏电极、配线等的氧化铟锡（ITO）系材料的薄膜和使用石墨烯复合材料油墨的导电薄膜......
村田中国将在AWE 2024展示聚焦于智能生活的创新产品组合(2024-03-07)
效提高产品的整体寿命。
特有技术+创新工艺，赋能智能生活终端绿色发展：此次展出的Picoleaf压电薄膜传感器利用压电原理，作为传感器工作。该款产品采用以薄膜为基础的材料构成，透光率可达到90%以上，超薄......
村田中国将在AWE 2024展示聚焦于智能生活的创新产品组合(2024-03-08 09:20)
效提高产品的整体寿命。• 特有技术+创新工艺，赋能智能生活终端绿色发展：此次展出的Picoleaf压电薄膜传感器利用压电原理，作为传感器工作。该款产品采用以薄膜为基础的材料构成，透光率可达到90%以上，超薄......
村田中国将在AWE 2024展示聚焦于智能生活的创新产品组合(2024-03-18)
效提高产品的整体寿命。
- 特有技术+创新工艺，赋能智能生活终端绿色发展：此次展出的Picoleaf压电薄膜传感器利用压电原理，作为传感器工作。该款产品采用以薄膜为基础的材料构成，透光率可达到90%以上，超薄......
RM3545电阻计的性能特点及应用(2023-04-21)
子零部件方面，多用于导电薄膜/导电橡胶等高电阻材料。RM3545可最大测量到1200MΩ。更值得一提的是，因为具备了高精度0.006%，即使检查最高端的电流检测电阻也能使用
产品特点：
●基本精度0.006......
最新进展！中国芯片研发乘风破浪(2024-05-15)
现构建新型容错量子计算机这一长期梦想的起点。
哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得新进展
4月下旬，哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得重要进展，为实现超快铁电存储提供依据。
二氧化铪铁电相是亚稳结构，作为......
我国科学家研发出可穿戴人工喉(2023-03-20)
尚无充分的证据表明喉部肌肉的运动模式和反映在体表的发声器官振动中隐含着可识别的语音特征，且尚无实验证明其作为语音识别技术的完备性。
为解决这一问题，任天令团队成员开发了一款基于石墨烯的智能可穿戴人工喉，同商业麦克风和压电薄膜......
传ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备(2024-06-28)
露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。
此外，目前美光最大的HBM生产......
中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展(2024-03-18)
中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展;近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜......
偲百创发布基于完全自主知识产权的GSAW技术高性能WiFi 7滤波器(2023-06-16)
Acoustic Waves，归导式声表器件）技术推出了首款量产产品——符合WiFi 7标准的2.4GHz高性能滤波器SPT2442。与传统的SAW或TCSAW（温度补偿SAW）器件不同，GSAW技术是利用转移并结合在载体衬底上的单晶压电薄膜来限制和归导声波在单晶薄膜......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM(2024-02-28)
推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。据悉，HBM3E 12H产品......
基于应变模态振型的可配置PMUT电极设计(2024-07-03)
）结构层顶部的压电薄膜组成。有源压电层夹在接地的底部电极和顶部电极配置之间，顶部电极配置通常可以描述为连接到N个端口的多个图案化对称电极。顶部电极可以是连续的或分段的，其中......
AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺(2024-03-13)
回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。
三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用......
AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺(2024-03-13 14:26)
AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺;三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜......
SK海力士的信心：“我们的HBM比竞争对手更强”(2024-06-11)
底部填充（MR-MUF）技术制造的HBM比采用热压-非导电薄膜（TC-NCF）制造的产品坚固60%。
SK hynix用锋利的工具刺穿安装了 HBM 的 DRAM 顶部以产生划痕的方法进行了测试，结果......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
体场效应晶体管结构，铁电薄膜用来替代MOS管中的栅极氧化硅层，铁电薄膜保持着两个稳定的极化状态，分别表示“1”和“0”。
图三 FRAM结构剖面图
（2）磁性存储器（MRAM......
中国专利奖最新出炉，中微、新声等5家半导体企业斩获银奖(2024-12-30 10:59)
波谐振器”（ZL202210796817.9）摘得银奖。这项发明显著区别于国内外现有技术，通过实现平坦的电极和压电薄膜结构，极大提升了谐振器的品质因数。新声的该项技术已成功应用于手机、平板电脑、物联......
科普薄膜电容在不同电路中的作用(2023-08-31)
～24000赫的电热设备系统中，以提高功率因数，提高回路的电压或频率等特性。
（4）耦合薄膜电容器，主要用于高压电力线路的高频通信、测量、控制和保护。
（5）断路器薄膜电容器，原来的名字叫作均压电容器，并联......
全国多条芯片生产线项目上马！(2024-12-12)
半导体二期，即基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，开工建设。该项目总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区，将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。项目建成后，可以填补国内在氧化镓压电薄膜......
三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片，12层堆叠(2024-02-27)
服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。
技术方面，三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜......
中国半导体性单壁碳纳米管获突破，产率大幅提高(2023-04-13)
耗场效应晶体管沟道材料最有力候选。
单壁碳纳米管已被广泛应用于许多电子器件，包括显示器、存储器、传感器、透明导电薄膜以及碳纳米管计算机等。
IBM的理论计算表明，若完全按照现有二维平面框架设计，相比硅基技术，碳管......
三星HBM3E签30亿美元大单？(2024-04-26)
%。HBM3E 12H采用先进热压非导电薄膜（TCNCF）技术，使12层与8层芯片高度相同，满足HBM封装要求。且芯片不同尺寸凸块改善HBM热性能，芯片键合时较小凸块于讯号传输区域，较大......
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