近期，国内南京、北京、扬州、广州、海口、龙岩等多地区芯片生产线相关项目如雨后春笋般加速推进，涵盖了碳化硅、IGBT、滤波器芯片等多个领域。

南京：8英寸碳化硅单晶衬底即将量产

南京在芯片产业的布局中，碳化硅衬底技术取得了明显进展。据“南京江北新区”消息，近日，江苏超芯星半导体有限公司（以下简称“超芯星”）完成了新厂房的整体搬迁，接下来，超芯星将在江北新区集成电路产业化基地，全面开启8英寸碳化硅单晶衬底的批量化生产。

资料显示，超芯星成立于2019年4月，总部位于江苏南京，致力于6-8英寸碳化硅衬底技术的开发与产业化。去年7月，超芯星6英寸碳化硅衬底进入美国一流器件厂商，由此打入美国市场；同年，超芯星成功研制出8英寸碳化硅衬底；今年7月，超芯星宣布，公司已与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议。为满足国内外市场需求，超芯星计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片。

此外，12月3日，超芯星公开一项“一种碳化硅晶体的生长方法及生长装置”专利，申请公布号为CN119061469A，申请日期为2024年8月29日。该专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅晶体的生长方法及生长装置，属于碳化硅晶体生长领域。

碳化硅衬底作为芯片制造的关键基础材料，其尺寸越大，可产出的芯片数量越多，成本也随之降低。当前，业内碳化硅衬底技术已从4英寸、6英寸向8英寸过渡。据业界人士透露，一张8英寸碳化硅衬底售价约1万元人民币，且预计从2026年至2027年开始，现有6英寸碳化硅产品将逐步被8英寸产品替代。在这场市场变革中，中国厂商表现出强劲的追赶势头，除超芯星外，天岳先进、天科合达、天域半导体等厂商已在国际市场崭露头角。

据不完全统计，国内已有十多家企业涉足8英寸碳化硅材料细分赛道：天科合达已经实现了8英寸碳化硅衬底的小批量量产，并且在下游客户端验证方面取得了积极进展；天岳先进已在2023年实现8英寸碳化硅衬底的小批量销售；湖南三安在2024年已完成8英寸衬底外延工艺调试并向重点海外客户送样验证；科友半导体在今年9月成功实现8英寸高品质碳化硅衬底的批量制备；此外南砂晶圆、世纪金芯、合盛硅业、粤海金等厂商都在推进8英寸碳化硅衬底量产...未来，随着更多中国厂商在8英寸碳化硅衬底市场释放产能，碳化硅芯片成本有望进一步降低，产品质量提升，从而加速其在市场中的广泛应用。

扬州：又一条6英寸生产线设备进厂！

12月6日，扬州晶新微电子有限公司（以下简称“晶新微电子”）第二条6英寸生产线的设备正式进厂，该生产线于2024年5月正式建设，将于2025年2月出样，5月份开始量产。

资料显示，晶新微电子成立于1998年，注册资本2963万美元，专业从事半导体分立器件芯片的开发、设计、制造和销售，并承接双极型集成电路芯片的设计和代工业务。公司拥有4英寸、5英寸、6英寸芯片生产线、晶闸管生产线等。

目前，晶新微电子正在筹建另一个6英寸芯片工厂和一个8英寸芯片工厂，这两个芯片工厂将专业生产高、低压MOS和IGBT产品。同时公司聘请了日本、韩国的技术专家团队，主要是致力于筹建一个8英寸SiC功率器件芯片工厂和一个12英寸IGBT芯片工厂。

随着汽车智能化、电气化、网联化的快速发展，汽车电子对半导体分立器件的需求与日俱增，且对其性能要求也越发严苛。未来，半导体分立器件将朝着高性能化、小型化与集成化、智能化与多功能化方向发展，晶新微电子的布局无疑契合了这一产业发展趋势，有望在市场竞争中抢占先机。

北京：将建设6英寸车规级功率半导体晶圆生产基地

近日，瑞能微恩半导体（北京）有限公司（以下简称“瑞能微恩”）厂房项目已完成全部施工内容，扩建工程已通过竣工验收。

瑞能微恩是瑞能半导体科技股份有限公司的全资子公司，是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装设计的一体化经营功率半导体企业，致力于开发并生产领先的功率半导体器件组合。

2021年12月15日，瑞能微恩落地集团所属顺义科创智造园，租用科创芯园壹号（第三代半导体产业标准化厂房（一期））建设“6英寸车规级功率半导体晶圆生产基地建设项目”。

该项目于2022年9月7日开工建设，总投资9.26亿元，租赁园区3号楼、7号楼，租赁面积3.08万平方米，将建设6英寸车规级功率半导体晶圆生产基地。

据悉，项目将进入全面机电安装阶段，预计2025年1月完成设备入场，3月完成设备调试，6月正式投产，将生产车规级功率半导体晶圆，年产能12万片。

此外，科创芯园壹号是由北京顺义科技创新集团有限公司打造的7.4万平方米第三代半导体专业特色园区，重点围绕第三代半导体光电子、电力电子、微波射频等三大应用领域，聚合发展研发设计、衬底、封装、测试、功率器件、材料等全产业链，为入驻企业提供产业招商、产业孵化、品牌推广、企业增值服务等。

龙岩：将建超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线

据龙岩发布12月消息，目前，位于上杭工业园区金铜产业园的福建晶旭半导体科技有限公司（以下简称“晶旭半导体”）二期项目已完成主体厂房建设，正在进行内外墙的装修，预计年后进入机电暖通、安装工程及精装修工程。

2023年12月，晶旭半导体二期，即基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，开工建设。该项目总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区，将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。项目建成后，可以填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。

公开资料显示，晶旭半导体是一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片（BAW）全链条核心技术、以IDM模式运行的高新技术企业。核心技术是基于单晶氧化镓为压电材料的体声波滤波器芯片，拥有独立自主知识产权。

晶旭半导体在材料、设计、制造、装备等方面，取得多项原创性突破，获授权国内外发明专利100余件，关键性能比国外同类产品提升超过20%，已通过多家知名品牌客户的验证，有效解决我国在5G射频滤波芯片领域卡脖子问题。

海口：拟建SiC芯片先进封装工艺产线

据投资海口消息，近日，2024海口产业投资大会在海南国际会展中心举行。会上，海口综合保税区与深圳市华芯邦科技有限公司、优合集团有限公司等8个项目合作签约，签约金额超170亿元，涉及半导体、高值食品加工、大宗商品贸易等产业。

其中，华芯邦半导体加工智能制造项目，由深圳市华芯邦科技有限公司投建，将依托园区智能化加工制造中心建设SiC芯片先进封装工艺产线和AMOLED屏幕模组组装生产线，通过打造独特的工艺制程、封装制程及产业链生态，助力海南省芯片半导体补链强链，形成产业集聚。

公开信息显示，华芯邦成立于2008年，是一家专注于数模混合芯片设计、先进封测的集成电路/半导体企业，集团总资产超10亿元，是国内为数不多的以Fab-Lite模式运作的芯片公司，碳化硅方面，目前已发布SiCSBD、SiCMOSFET等产品，可用于车载充电器、逆变器等领域

广州：预计新增滤波相关芯片年产能30亿颗

11月28日，被列入广东省、广州市重点工程的艾佛光通总部基地项目主体结构全面封顶。据相关负责人表示，全面封顶后正式进入装饰及机电安装阶段，预计明年6月项目整体完工。

据介绍，艾佛光通SABAR 5G体声波滤波芯片研发生产总部基地位于广州市黄埔区中新知识城，项目总建筑面积约十五万平方米，将建设集厂房、研发车间、仓库等一体的生产研发基地，应用互联网思维及工业4.0，营造研发创新、交流共享、绿色可持续发展现代产业园。

建成投产后，艾佛光通独有的SABAR 5G体声波滤波芯片及其模组将实现规模化量产，预计新增SABAR 5G体声波滤波芯片年产能30亿颗，将极大推动我国自有知识产权5G体声波滤波芯片及其模组的市场占有率与影响力。

资料显示，艾佛光通科技有限公司专注于第三代半导体核心技术研发，公司在第三代半导体的材料生长、芯片设计、制造工艺和关键装备等方面上取得多项原创性技术突破，并开创了完全独立自主的全链条Si基GaN、AlN等第三代半导体材料与芯片技术。公司所研发生产的多种芯片已在多个领域得到应用。据悉，其5G滤波芯片建设内容获国家重点研发计划等多项省部级以上重点重大科研项目立项支持。

艾佛光通现已推出B1(66)+B3.Wi-Fi6E/7、B1、B2、B3、B7、B40、n41F、n78/79等近100款不同型号SABAR体声波滤波芯片及双工器、四工器产品，覆盖全球移动终端、微基站、卫星通信等场景所需低频到高频(1-10GHz)的全频段，产品获多家国内外知名移动终端和基站厂商及头部手机代工厂等规模化采购使用。

嘉兴：这条12英寸功率产线环评文件获批

据浙江省嘉兴市南湖区政府官网显示，近日，嘉兴斯达微电子有限公司（以下简称“嘉兴斯达微电子”）年产18万片12英寸高性能车规级快恢复二极管芯片生产线建设项目环评文件获批并公示。

文件显示，该项目由嘉兴斯达微电子投资建设，拟投资15亿元，利用现有厂房，实施无尘车间装修并购置光刻机、涂胶显影机、刻蚀机、离子注入机、化学镀产线、退火炉、电子显微镜、厚度测量仪、应力测试仪的工艺及研发检测等设备开展车规级高性能快恢复二极管芯片中试线项目，达产后形成年产18万片高性能车规级快恢复二极管芯片生产能力。

根据公开资料，嘉兴斯达微电子有限公司成立于2021年2月，是斯达半导体股份有限公司全资子公司，后者成立于2005年4月，专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务，在上海、重庆、浙江和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲德国及瑞士设有研发中心。

据悉，斯达半导体的产品分功率芯片和功率模块两大类，主要包括IGBT、FRD、SiC芯片和模块，是国内新能源汽车市场主电机控制器用大功率车规级IGBT/SiC模块的主要供应商。

值得一提的是，嘉兴斯达微电子在嘉兴南湖区的还布局了另一个项目，及高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目，预计今年年内投产。该项目总投资20亿元，总用地面积279亩，新增建筑面积20.6万平方米，新建生产厂房、动力楼、危化仓库等建构筑物，购置包括光刻机、涂胶显影机等工艺设备，建设工期为2022-2024年，项目于2022年1月3日开工，计划2024年3月投入使用。项目投产后可实现年产36万片功率芯片生产能力。

综上而言，各地芯片生产线项目覆盖了半导体行业多个核心细分领域，反映出我国在芯片基础材料研发、芯片制造工艺提升、特色芯片品类创新以及封装测试等产业链环节的协同发展。随着这些项目的陆续投产与技术的持续创新，我国芯片产业有望在全球市场竞争中再上一层楼。

封面图片来源：拍信网