4 月 24 日消息,根据韩媒 Bridge Economy 报道,三星和 AMD 公司签署了价值 4 万亿韩元(当前约 210.8 亿元人民币)的 HBM3E 供货合同。
报道称三星和 AMD 签署的这份合同中,AMD 采购三星的 HBM,而作为交换三星会采购 AMD 的 AI 加速卡,但具体换购数量目前尚不清楚。
三星日前表示将于今年上半年量产 HBM3E 12H 内存,而 AMD 预估将会在今年下半年开始量产相关的 AI 加速卡。
三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s,产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H,HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。
HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得 12 层和 8 层堆叠产品的高度保持一致,以满足当前 HBM 封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题,这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。
三星一直在努力降低其非导电薄膜(NCF)材料的厚度,并实现芯片之间的间隙最小化至 7 微米(µm),同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其 HBM3E 12H 产品的垂直密度比其 HBM3 8H 产品提高了 20% 以上。
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