2024年2月27日,三星电子宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。目前,三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品,预计于今年下半年开始大规模量产。
据介绍,三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3 8H,HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。相比HBM3 8H,HBM3E 12H搭载于人工智能应用后,预计人工智能训练平均速度可提升34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致,以满足当前HBM封装的要求。据悉,HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。
三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示,当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM,而新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的,这一新的存储解决方案是公司研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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