资讯
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷(2024-01-23)
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷;众所周知，提高 质量对制造商来说非常重要，因为它直接决定了 器件的性能，从而决定了生产成本。然而，具有低缺陷密度的 的生长仍然非常具有挑战性。本文......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
由于这种方法不涉及铱的氧化，因此在生长过程中对气体没有限制，熔体可以在生长气氛中保持任意氧浓度，这有望显著控制生长过程中晶体的氧缺陷。
氧化镓晶体因其优异的电学和光学特性，在电力电子器件、高功......
八卦树对天量快检索(2022-12-05)
的各卦位置看成一个个结点时，伏羲八卦就是一个二叉树。
在数据结构研究中，人们为了快速检索数据，设定了二叉树、B+树、基数树等许多种二叉或多叉树，统称为检索树。检索树的生长过程是：在根结点下有1个以......
第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆(2022-05-09)
出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
此外，该团队计划在2年内......
这家碳化硅（SiC）材料厂商将被收购(2024-06-06)
的高温下升华，并在稍冷的籽晶区域结晶。在PVT生长过程中正确选择SiC粉末源是实现最终SiC晶锭拥有高晶体质量的先决条件。
Fiven表示，通过比较，其生产的SIKA e-SiC粉末......
芯片上“长”出原子级薄晶体管(2023-05-05)
℃以上时可能会损坏。新开发的低温生长过程则不会损坏芯片。
过去，研究人员在其他地方培育2D材料后，再将它们转移到芯片或晶片上。这往往会导致缺陷，影响最终器件和电路的性能。此外，在晶......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
界和低缺陷密度等特点，广泛应用于光电器件构建。由于有机单晶中载流子的输运具有各向异性，可控取向有利于实现最佳的电荷输运性能，同时取向一致的单晶阵列有利于减少器件集成串扰与性能差异。然而，有机半导体晶体的成核和生长过程......
从“种子”到“番茄”：英特尔携手合作伙伴共塑可持续农业的未来(2024-06-21)
无法直接表达它们的需求。因此，帮助其生长的关键在于观察和解读植物生长过程中的细微线索，以了解它们在任何特定时刻所需的条件。
Bradley强调，农业生产中一大挑战是应对气候变化的不确定性。那么，Nature......
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度(2023-05-04)
晶体管和电路在加热到400℃以上时可能会损坏。新开发的低温生长过程则不会损坏芯片。
过去，研究人员在其他地方培育2D材料后，再将它们转移到芯片或晶片上。这往往会导致缺陷，影响最终器件和电路的性能。此外，在晶......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长......
从“种子”到“番茄”：英特尔携手合作伙伴共塑可持续农业的未来(2024-06-20)
需要在特定的时间，以特定的方式获得营养，以实现最佳生长。” 但是，与人类不同，植物无法直接表达它们的需求。因此，帮助其生长的关键在于观察和解读植物生长过程中的细微线索，以了......
从“种子”到“番茄”：英特尔携手合作伙伴共塑可持续农业的未来(2024-06-21 15:13)
。” 但是，与人类不同，植物无法直接表达它们的需求。因此，帮助其生长的关键在于观察和解读植物生长过程中的细微线索，以了解它们在任何特定时刻所需的条件。Bradley强调，农业......
攻关核心技术，湖北大学团队存储器成果荣获湖北省自然科学奖(2022-06-28)
及阻变存储器研究，取得系列突破：一是解决了高K介质薄膜生长过程中，介电性能和界面难以调控的问题；二是原位观测阻变存储器中氧空位的动态演变过程并揭示其阻变机理；三是发展了系列阻变存储材料及性能优化技术，实现......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
和优良的晶体质量，有力地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长......
8英寸碳化硅时代钟声渐近，国内第三代半导体领域再添喜讯(2022-08-17)
研发上取得的重大突破。
这不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。
8英寸......
马里兰大学王春生团队：全固态锂金属电池负极界面设计思路(2024-01-29)
原因是锂负极会与固态电解质发生化学和电化学反应，从而改变固态电解质的力学性能。除了固体电解质的力学和化学/电化学性能外，在锂剥离过程中，锂金属与固态电解质的界面处也会形成空隙，这增加了电池的过电位，促进了电解质的还原和锂枝晶的生长......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
兼容。实现大规模二维半导体集成电路的先决条件是原材料的高质量和均匀性的大规模生产。硅晶片是通过切割大块单晶锭获得的，而大面积的二维半导体通常是通过自下而上的沉积方法获得的。生长过程......
打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展(2024-03-22 15:23)
真空泵选项和测量设备等其他部件，进一步提升系统功能。·高生产效能：晶体生长过程需要具备在超过2,000°C的高温条件下长时间运行，因此优异的能源效率可以实现更佳的成本效益。“SiCN”采用......
业界首款300mm碳化硅衬底问世(2024-11-14)
电阻法碳化硅单晶炉，解决了碳化硅“盲盒生长”的瓶颈，实现了晶体生长过程的可视化和可监测。晶升股份的8英寸碳化硅长晶设备已完成验证，并开启了批量交付进程。该公司正在积极布局碳化硅外延和切割设备的开发工作，以进......
德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”(2024-03-29)
设计紧凑，自动化程度高，可最大化节约整体运营空间，同时方便维护，可实现可靠的大规模生产。客户还可整合如加料小车、多种真空泵选项和测量设备等其他部件，进一步提升系统功能。
高生产效能：晶体生长过程......
设备业繁荣期冲进世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？(2023-01-07)
再通入另一种前驱体B，与表面的一层A反应，同样需要惰性气体将B吹走，这些过程构成一个生长循环，从而形成一层均匀的薄膜，而每个循环生长的薄膜厚度一致，可以通过对生长循环数的控制，来实......
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量(2024-07-08 15:02)
流功能的实现。然而离子注入后，碳化硅材料的晶格损伤必须通过退火工艺进行修复。
在SiC材料晶体生长过程中，退火工艺可以使硅原子获得足够的能量进行扩散和迁移，使结晶内部重新排列，促进杂质的合理分布，有利于提高晶体生长......
ReRAM即将跨入3D时代(2017-07-04)
现氧空缺的介电层中，观察其能隙中的电子状态
Egorov说：「为了研究在氧化钽薄膜生长过程中形成的氧空缺，我们使用了一种整合生长PEALD[电浆辅助原子层沉积]和分析XPS(X射线光电子能谱仪)腔室(以真......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。
在β......
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体(2022-08-16)
研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。
资料......
热泵型电动汽车空调系统室外换热器结霜研究设计(2023-05-11)
软件(版本1．52a)对实验中所拍摄的室外换热器结霜过程图片进行处理。ImageJ 是一款科学图像分析工具，除可计算选定区域内分析对象的几何特征外，还可进行图片的区域和像素统计，实现......
31. SMT BGA设计与组装工艺：BGA焊点由哪几部分组成，热膨胀不匹配会导致哪些问题？(2024-10-05 07:45:51)
循环负载作用期间应变能量的输入而得到
加强。因此在某种程度上讲，这种晶粒的增长过程可视作累积疲劳损伤的标志。对于遭受老化的焊点比工作使用的焊点迹象更为明显（循环试验时不那么明显）。污染物诸如锡氧化物和
助焊剂残留，有时......
两家碳化硅材料公司获新一轮融资(2023-11-03)
SiC涂层技术在半导体产业中应用广泛，特别是LED外延生长过程中的载盘及Si单晶外延中用到的载盘，都需要用到SiC涂层技术。由于LED在照明及显示产业中的发展，以及半导体行业的持续发展，对SiC涂层......
19岁少女患怪病：身高2.13米仍疯长 结果吓人(2016-09-30)
生表示身高还在疯长当中，当然这绝非自然发育的结果，经过检查后得知，她患上的是韦弗综合征。
据悉，韦弗综合征是因基因突变导致的一种罕见病症，临床特征为巨体、骨骼成熟过速、屈曲指、面孔特殊等，同时鱿鱼生长过快之外，也会......
探索三防漆的三防特性，功能远不止三防(2024-11-25)
不仅会腐蚀线路板表面，还会分解线路板的材料，降低其性能。此外，霉菌在生长过程中产生的代谢产物可能会对电子元件造成损害，严重时甚至会使电子设备完全失去功能。
三防漆形成的保护膜能够创造一个不利于霉菌生长......
哪些传感器嵌入式功能适用于我的应用？(2023-04-10)
感器中读取处理后的数据。
2. 有限状态机 (FSM)
有限状态机是一种行为模型，由有限数量的状态组成，且状态之间会发生特定迁移，类似于流程图，能够处理内部和外部数据（通过传感器集线器配置）。多个......
大疆农业 “云上疆果”计划：我们决定开着飞机管理一片果园(2023-03-07)
化作业的可行性。此外，大疆农业将无人机果树作业流分享至“云上疆果”线上小程序，通过认养计划，用户可随时随地在线监测无人机带大的脐橙的生长状况。大疆农业“云上疆果”计划，旨在探索更加开放透明、与用......
一文解读无人驾驶全局路径规划 - RRT算法原理(2023-05-18)
点不在障碍物范围内则计算随机树中所有节点到的欧式距离，并找到距离最近的节点，若在障碍物范围内则重新生成并重复该过程直至找到; stpe3：生成新节点。在和连线方向，由指向固定生长距离生成一个新的节点，并判......
离子电子学的突破：用于改进电池和先进计算的单晶薄膜设备诞生(2023-08-14)
马克斯-普朗克微结构物理研究所、剑桥大学和宾夕法尼亚大学的研究人员在 7 月 27 日发表在《自然-材料》（Nature Materials）杂志上的一篇论文中，成功地展示了高质量 T-Nb2O5 单晶薄膜的生长过程......
厂商纷纷加码SiC衬底，又一项目量产(2023-12-11)
晶盛机电未来大概率将要直面的场景。
面对竞争，晶盛机电也有自身的优势。据悉，晶盛机电成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。面对......
8英寸碳化硅时代呼啸而来！(2024-09-09)
热场旋转及热场工艺稳定性设计，确保晶体生长过程中的温度均匀性和稳定性，目标为新能源汽车、5G通讯等新兴产业的进一步发展提供材料基础。
天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售
近日，天岳先进披露了今年上半年财报，公司......
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！(2023-03-08)
备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料，是发展电动车、6G通讯、国防、航天、绿能的关键要素。
碳化硅表现优异，但制造的难度系数较高。生长温度、压力等多种因素都会影响碳化硅的晶型稳定性，因此想要获得高质量、晶型均一的单晶材料，在制备过程中必须精确控制如生长......
半导体领域突破性成果！我国科学家首创(2024-07-08)
菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构可控性。
“利用新方法，制备出的二维晶体单层厚度仅为0.7纳米，可以用作极限尺度的电子集成电路。”北京......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；
二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
经检测，科创......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
解理面，就生长工艺而言，主面为（100）晶相氧化镓晶体更易于生长，主面为（001）晶体的生长工艺却要求极高的工艺过程控制，就加工工艺而言，相同加工条件下（001）面表面质量和成品率更优，（100）面极......
【IoT毕业设计】STM32开发板+机智云IoT+智能家居养老机器人(2024-06-03)
内CO浓度超过50ppm时表示老人可能会中毒，此时机器人会利用GSM无线通信模块将报警短信发送到老人及其指定监护人的手机上[4]，给予老人舒适、安全的生活环境。
2.2.2自主定位导航模块
自主......
从136X工程的网络架构设计 探讨自主知识产权的新网络的构建(2022-12-30)
六十四叉整数树,整数树的结点是可以无限多，需要一个结点就会自生长出，即在IP地址六十四叉整数树上标识出对应的结点的位址码。EM258.com的网络架构4.0网络是将IP地址......
碳化硅智造升级 浪潮信息存储筑基广东天域MES核心数据底座(2024-05-06)
质量也不易控制。在生长的过程中即便只出现一丝肉眼无法察觉的管洞，也可能影响晶体的生长质量。如何在严苛的生长条件下稳定生长环境，恰恰是晶体生长最核心的技术。
近年来，随着科技的飞速发展，"中国制造"向"中国......
碳化硅智造升级 浪潮信息存储筑基广东天域MES核心数据底座(2024-05-07 08:40)
质量也不易控制。在生长的过程中即便只出现一丝肉眼无法察觉的管洞，也可能影响晶体的生长质量。如何在严苛的生长条件下稳定生长环境，恰恰是晶体生长最核心的技术。近年来，随着科技的飞速发展，"中国制造"向"中国智造"转型......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。据悉，β-Ga2O3材料......
千亿市场的智慧农业,如何攻克“成本高，效果差”难题?(2022-12-13)
环境。茶树生长季节，月平均气温应在18度以上为宜，最适气温20—27度，土壤PH值在4.5~6.5之间（4.5—5.5最适宜）为最佳，同时茶树的生长具有喜酸怕碱、喜光怕晒、喜暖怕寒、喜湿怕涝等特征。可以......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
过抛光这样得到了我们生产器件需要的晶圆衬底。图一是一个长晶炉的示意图和实物照片。
图一长晶炉示意图和实物
这里面涉及到了两个关键的步骤，晶体生长，晶锭切割和抛光。图二则是我们从碳化硅粉到衬底的生......
活体组织中首次生长出电极，为未来神经系统疾病治疗奠定基础(2023-02-24)
分子”的凝胶，研究人员能够在斑马鱼和药用水蛭的组织中让电极生长。
在微制造电路上测试的可注射凝胶。图片来源：托尔·巴克希德
研究人员称，与身体物质的接触会改变凝胶的结构并使其具有导电性，而其......
超越车规！国产SiC衬底致命缺陷降80%(2023-11-22)
/cm2，但是整体的芯片良率（10mm×10mm）也只有74%。
SiC衬底和外延BPD缺陷对晶圆良率的影响 来源：昭和电工
而且，尽管在SiC外延生长过程中，可以将衬底中的BPD缺陷......
培养藻类制造生物燃料未来可期(2023-07-10)
费斯托有限公司也推出了“仿生细胞工厂”，这是一种在鲜少接触外界空气的透明管内培养藻类的装置。通过“光仿生细胞”项目，费斯托在2022年汉诺威工业博览会上展示了其首款用于藻类自动化培养的生物反应器。
费斯托公司展示的仿生细胞工厂图片......
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，精通过精选雪松种苗，以及种苗在生长过程的科学管理。我中心培育的出的雪松、红叶石楠、广玉兰等苗木具有适应地域能力强、生长速度快、成活率高等特点。
环境需求，借鉴国内数家知名农业学院在芽豆培育及豆芽生长过程中的各项技术成果，经过多次改进与提升在原有的单组控温、淋水豆芽菜脱壳、清洗机的基础上于2006年率
识别 生物识别 可视电话 保安监控 汽车 PDA 电脑摄像头产品开发的方案有：车载后视摄像头、可视门铃摄像头、串口数字摄像头、工具微型摄像头、远程图片采集存储监视系统、远程视频采集存储监视系统，车载监控、电力
致力于为用户提供国际国内最 优秀的电力产品, 以满足国民经济日益增长过程中对供电系统愈来愈高的要 求.
;江阴诚信调度自动化厂;;我厂（江阴诚信调度自动化厂）专业生产马赛克调度模拟屏、马赛克控制屏、热控屏。粮食工艺流程图、化工及其它工艺流程图，各种调度成套设备。并生产相关各类数显仪表、电流变送器、电压
;海之元注射用重组人生长激素;;生长发育迟缓，身材矮小，海之元注射用重组人生长激素,高纯度,高生物活性,高性价比,安全有效,专业就医,用药指导,客户贴心服务。
;福州文祥办公设备有限公司;;从复印机的工作原理来划分的话，主要可以分为模拟复印机和数码复印机。我们从目前市场上销售的复印机型上进一步划分可分为：家用复印机、办公复印机、便携复印机、工程图
。公司拥有大量先进、专业的生产设备和检测仪器，产品零部件采用先进数控机床加工先进的生产工艺及过程控制保证了产品的质量稳定可靠，公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原
。公司拥有大量先进、专业的生产设备和检测仪器，产品零部件采用先进数控机床加工先进的生产工艺及过程控制保证了产品的质量稳定可靠，公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原
;扬州长祥电子有限公司;;扬州长祥电子有限公司成立于1995年，经过十几年的成长过程，公司在业内已有一定的知名度。现提供的产品有10、5A、2A热保护器、电池保护器、温度开关、微型热保护器、易熔