资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。
▉ MOS管工作原理（以N沟道增强型为例）
N沟道增强型MOS管在P型半......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
区别在于沉底和载流子不同，下面以N沟道增强型MOS管为例简单介绍下，其结构如下所示:
增强型NMOS管的结构
增强型NMOS管是以P型掺杂硅片为衬底，然后制作两个N型掺杂的区域，再制作一层电介质绝缘层，在两个N型掺......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
于小电流电路。
04
N沟道增强型......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
都可以正常工作。
缺点：
存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。
4、N沟道增强型......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
构示意图：
解释1：沟道
上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
出，P沟道的MOS管时,S极进入D极流出，应用在这个电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件，MOS管只要在G和S之间建立一个合适的电压就会完全导通，导通之后D和S之间......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
注入的少数载流子很容易通过反偏的PN结——集电结，到达集电极，形成集电极电流Ic。
三极管放大导通条件是《发射结正偏，集电结反偏》就非常容易理解了，上一......
采样保持电路工作原理+电路案例(2024-11-20 12:53:06)
保持电路功能及工作原理
采样保持电路的工作原理可以通过其组件的工作原理来简单理解。构建采样保持电路的主要部件包括一个 N 沟道增强型 MOSFET、一个电容和一个高精度运算放大器。
作为开关元件，使用......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
二极管
构成的简单电路。通过控制占空比或者MOS管导通的时间百分比，通过闭合反馈环路来控制输出。
传递......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
级踩在较高的电压上（24V），所以MOS管G极电压应该比源极高12V时才能够导通（Vgs=36V）,这里利用电容两端电压不能突变的特性，半桥驱动芯片内部电路将MOS管栅极抬升至36V，此时MOS栅源电压满足导通条件......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
N(P)沟道器件，栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
MOSFET的主要特性
通常，Power MOSFET器件参数分为静态、动态、开关特性，其中......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
器件dVds/dt能力，寄生BJT导通条件约为dVds/dt > VBE(BJT)/(Rp+ * Cdb)，硬开关场景需要考虑该因素；
2.寄生体二极管 : 限制MOSEFT器件dI/dt反向......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
MOSFET 作为电池反向保护
1、P 沟道 MOSFET 反向电池保护基本连接
增强型 MOSFET 有两种变体。它可以是 N 通道或 P 通道。它们......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
是以松下和英飞凌为代表的电流控制型。所谓电流控制，指的是门级驱动使用电流，而不是电压来控制。另外一类则是和硅MOS管以及碳化硅MOS管一样，使用门级电压驱动。
表 1 主流增强型P-GaN工艺......
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET可降低便携式电子设备功耗(2020-02-17)
沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
更改电路，如下图：
脉宽调制H桥
P沟道MOS管仍然由X1和X2处的信号直接开关，而
N沟道MOS管分别由X1和脉......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
MOSFET产品CoolSiC，该结构以牺牲一半沟道宽度的条件下，通过深注入P+区域更好的保护栅氧，使其不受到高电 场的影响提高了器件的可靠性；
2018年，瀚薪公司将肖特基二极管集成到MOSFET......
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET(2022-06-30)
在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。
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双N沟道增强型MOSFET，WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻，RSS......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
损耗低，使用方便。优点是零件少，缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
电压，|Vth|）时，漏极-源极电阻减小，使得MOSFET导通。这种漏极-源极电阻称为导通电阻。n沟道和p沟道MOSFET的栅极和源极之间施加的电压方向不同。图3显示了MOSFET导通的条件。
图3......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。
6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。
好，可以开始了。
拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂......
栅极型推挽电路为什么不用上P下N(2024-12-21 16:16:49)
。
从以上电路中可以知道，
当P管导通时，其信号会流经N管，这时就会导致P、N管的串通问题。所以......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
（th）时，栅极G和衬底p间电场增强，可吸引更多的电子，使得衬底P区反型，沟道形成，漏极和源极之间电阻大大降低。此时，如果漏源之间施加一偏置电压，MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
引脚上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。
当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。
P......
单片机中常见GPIO的八种工作模式详解(2024-06-19)
上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
;当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P......
STM32 GPIO的基本结构(2024-07-18)
按位寻址
推挽模式：P-MOS和N-MOS都有效，数据寄存器为1时，上管导通，下管断开，输出直接接到VDD，也就是输出高电平；
数据寄存器为0时，上管断开，下管导通，输出直接接到VSS，也就是输出低电平；这种......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽......
12V转220V逆变器电路，不过就几个元件？(2024-10-28 10:39:17)
灯。
假设此时刚刚通上电源，在通电源的一瞬间，对三极管Q1来说，集电极也就是原理图中的A点是和电源正极相连，同样对于B点也就是基极是隔着一个大功率电阻和电源正极相连，所以他满足三极管导通条件......
物尽其用，【拆解+改造+测试】升级LED红外线人体感应灯(2024-08-01)
出驱动电流只能提供10mA。所以方案一失败。随即想到了用锂电池保护板上的MOS管来驱动LED，反正废旧锂电池保护板很多。拆到一颗N沟道增强型MOSFET 8205A(20V，6A)。
实物使用图
灯光......
ADG201S数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:07)
ADG201S数据手册和产品信息;ADG201A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。 同时还具有高开关速度和低导通......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
极电位均被拉低到0V。
Q2的体二极管率先导通，Q2的S极电平为VCC-0.7V，因为G极电平为0，所以满足开通条件，Q2完全导通......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。关于MOS管识图、管脚......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
结构中输入高电平时，经过反向后，上方的P-MOS 导通，下方的N-MOS 关闭，对外输出高电平；而在该结构中输入低电平时，经过反向后，N-MOS 管导通，P-MOS 关闭，对外输出低电平。当引......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
有一个P沟道的MOS管，它是作为一种功率开关，控制输出的电压VOUT。也就是说，NCP380芯片，本质上可以把它看成一个MOS管。当MOS管导通，5V电压就可以输出；当MOS管关闭，5V电压......
相关企业
驱动。 TSF4N65T/F（SVD4N60D）是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用信安电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
;深圳市伟仕特微电子有限公司;;我公司与美国MaxPower公司共同合作开发功率MOS，采用当今最先进的技术沟道工艺，在德国慕尼黑流片生产。
;泰兴市新宇通讯器材厂;;主要产品有:RSBA型通信电缆加强型热缩套管、RSBJ系列普通增强型热缩管、RSB系列普通型热缩套管、RSY系列圆管式热缩套管、光缆接头盒、光缆终端盒交接箱、分线盒、扣式
国外先进工艺技术、并与国内著名高校、科研机构建立广泛的合作关系，不断推出有特色的专业系列产品，以满足不同行业客户的需求。 产品系列： AC60-G/P 增强型变频器（单相220V 0.75-2.2kw