资讯

些事情尚未广为人知……. 1. 戈登·摩尔完善过摩尔定律的定义 在1965年的文章中,戈登·摩尔提出,在未来十年内,芯片上的晶体管数量将每年翻一番。1965-1975年半......
1965年,英特尔的联合创始人戈登·摩尔预测,单个芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番,而成本只会有极小的增加。该预测被称为摩尔定律,如图1所示。单个设备上的晶体管或组件越多,在单......
导体发展的早期,戈登·摩尔便准确预测了,芯片的算力将大幅增长,而相对成本将呈指数级下降。在这篇文章中,他提出,在未来十年内,芯片上的晶体管数量将每年翻一番。1965-1975年半......
,每隔两年单芯片集成的晶体管数目翻一番;二是实现更高的性能,每隔两年性能提高一倍;三是实现更低的价格,单个晶体管的价格每隔两年下降一倍。 Intel的执行副总Bill Holt在ISSCC 2016的主......
摩尔定律的支持与争论:摩尔定律仍然还存在吗?; 是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18......
辑的基本构成元素是逻辑0和逻辑1。 而晶体管恰好具备这种功能--通过电信号来控制自身开合,以开关的断开和闭合来代表0和1。 晶体管数量/密度一直是衡量半导体技术进步的重要指标,目前......
毫米,大约33.7亿个晶体管。 霄龙的则达到了24.8×15.6=386.88平方毫米,长度多出一倍,宽度多出三分之二,整体大了几乎2.3倍,晶体管数量则有大约110亿个,也是多了将近2.3......
态系合作,摩尔定律10年内仍有效。 摩尔定律是由英特尔联合创办人Gordon Moore 1960年代提出,芯片晶体管数量每隔一年就会翻倍成长,增强运算能力。想增加晶体管数,必须做得更小,就要......
栅极宽度,以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。 不过这种做法也会使电子移动的距离缩短,容易导致晶体管内部电子自发通过晶体管通道的硅底板进行的从负极流向正极的运动,也就是漏电。而且随着芯片中晶体管数量......
每12个月增加一倍左右。此外,每个价格最低的芯片的晶体管数量每12个月翻一番。在1965年,这意味着50个晶体管的芯片成本最低;而摩尔当时预测,到1970年,将上升到每个芯片1000个元件,每个晶体管......
说:“摩尔定律实现的主要方式是让晶体管变小。较小的晶体管速度更快,能效更高,(直到最近)也更便宜,因此这是一种全方位的胜利。人们会把摩尔定律与计算机性能随时间推移而增强的定律相混淆,但实际上摩尔定律讲的只是芯片上的晶体管数量......
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望;摩尔定律失效,芯片性能提升遇瓶颈在探讨Chiplet(小芯片)之前,摩尔定律是绕不开的话题。戈登·摩尔先生在1965 年提出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量......
讨Chiplet(小芯片)之前,摩尔定律是绕不开的话题。戈登•摩尔先生在1965 年提出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量会增加一倍,性能也会提升一倍。这意味着,在相同价格的基础上,能获得的晶体管数量翻倍。不过......
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望摩尔定律失效,芯片性能提升遇瓶颈;在探讨Chiplet(小芯片)之前,摩尔定律是绕不开的话题。戈登·摩尔先生在1965 年提出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量......
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望;摩尔定律失效,芯片性能提升遇瓶颈 在探讨Chiplet(小芯片)之前,摩尔定律是绕不开的话题。戈登·摩尔先生在1965 年提出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量......
出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量会增加一倍,性能也会提升一倍。这意味着,在相同价格的基础上,能获得的晶体管数量翻倍。不过,摩尔先生在十年后的1975年,把定律的周期修正为24个月。至此,摩尔......
Intel Tick-Tock(2023-03-28)
上更新微处理器架构,提升性能。一般Tick-Tock周期为两年,Tick和Tock各占一年。 制程工艺决定了芯片内部可以使用的晶体管的数目,晶体管数目越多,则芯片能完成的任务也就越多。 处理器微架构决定了怎么合理的利用这些晶体管......
Silicon进入5nm制程世代,在制程微缩的影响下,相同芯片尺寸能整合的晶体管数量将大幅增加,效能与省电表现将有机会与Intel主流处理器竞争。......
以垂直方式堆栈,并让电流也垂直流通,使晶体管数量密度再次提高,更大幅提高电源使用效率,并突破1纳米制程的瓶颈。 相较传统将晶体管以水平放置,垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量......
年量产。与第一代N2工艺相较,N2P相同主频和晶体管数量的情况下,功耗可降低5%-10%,在相同功耗和晶体管数量的情况下,性能可提高5%-10%。表明晶体管架构已从平面FET演进至鳍片FET......
英特尔再谈摩尔定律:周期放缓但并未死亡;摩尔定律由英特尔联合创办人兼执行长高登. 摩尔(Gordon Moore)于1970年首次提出,称随着新制程密度不断提高,芯片的晶体管数量将每两年翻一倍,但由......
子的大小。 芯片的制造工艺就是将晶体管注入到硅基材料当中,晶体管越多性能越强,想要提升芯片的工艺,那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。 但是随着芯片工艺的不断提升,单位硅基芯片能够承载的晶体管......
相当于一个开关,代表数字逻辑体系的“1”或“0”状态。英特尔在这次大会上公布的一项可能是最重要的研究成果,正好展示了一种相互堆叠晶体管的新技术。 英特尔技术团队表示,通过晶体管堆叠技术,可以使得在单位尺寸内整合的晶体管数量......
翻一倍以上。 摩尔认为,由于技术的进步,自集成电路被发明以来,微芯片上的晶体管数量每年大约翻一番。他对这一趋势将持续下去的预测被称为“摩尔定律”,后来修正为“每两年”。 在个人电脑革命20年前......
翻一倍以上。 摩尔认为,由于技术的进步,自集成电路被发明以来,微芯片上的晶体管数量每年大约翻一番。他对这一趋势将持续下去的预测被称为“摩尔定律”,后来修正为“每两年”。在个人电脑革命20年前,在苹......
后者的 7nm 工艺就可以被应用在芯片上。   在衡量处理器芯片的时候,工艺制程是没有争议的重要指标,毕竟这意味着同等面积下芯片可以容纳的晶体管数量。iPhone 7 所搭载的 A10......
格近日在麻省理工学院的演讲中表示,以现在的发展速度,晶体管数量接近每三年翻一番,实际上已经落后于摩尔定律的速度了。 若按照原本的摩尔定律,集成电路上可容纳的晶体管数量每隔 18 个月-2 年就会翻一番,即是“处理......
体制造也正面临越来越严峻的挑战,目前晶体管数量翻倍速度已经延缓至30个月左右。于是,很多人就会禁不住怀疑,摩尔定律是否还能延续,甚至还有更激进的想法则是,摩尔定律已死。 不管......
的升级版,只有性能提升较多,工艺、CPU、GPU、内存上则是略有提升。本文引用地址: M4的制造工艺从第一代3nm N3B升级为第二代3nm N3E,相信良品率更高,成本也更容易控制,而且晶体管数量......
多层芯片实现新突破;近日,美国麻省理工学院团队在最新一期《自然》杂志上介绍了一种创新的电子堆叠技术。该技术能显著增加芯片上的晶体管数量,从而推动人工智能(AI)硬件发展更加高效。通过这种新方法,团队......
思路就是通过PMOS晶体管上叠加NMOS晶体管,在单位面积上增加晶体管数量。堆叠晶体管为互连创造了一个非常有趣的拓扑结构,需要同时为顶部和底部的晶体管提供电力和信号,无法选择只向其中一个进行供电。此时,便可......
堆叠的互连需求带来改变。 之前,大多数互连都是针对单层晶体管需求而生,但当开始堆叠晶体管,关键思路就是通过PMOS晶体管上叠加NMOS晶体管,在单位面积上增加晶体管数量。堆叠晶体管......
AI芯片晶体管数量突破4万亿个;据财联社3月14日报道,美国加州半导体公司Cerebras Systems发布了一项重大消息,其第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale......
1000 亿的晶体管,已经达到了光刻机处理的极限。若想继续增加晶体管数量,就需要采用多芯片,并通过 2.5D、3D 技术进行集成,来完成计算任务。 目前,已有的 CoWoS 或 SoIC 等先......
AI算力对于GPU的性能需求日益增长,芯片上的晶体管数量也呈现倍数级增长。 在AMD于6月14日凌晨发布的Instinct MI 300X芯片上,晶体管数量......
% 至 10%,或在相同频率和晶体管数量下,功耗降低 15% 至 20%。 ......
测工程师将以多快的速度提高计算机芯片的容量:当价格不变时,集成电路上的晶体管数目每隔不到两年就会翻一倍,罪之而来的性能也将提升一倍,或者说每一美元所能买到的电脑性能,将每隔 18-24 个月翻一倍以上。摩尔......
能再大太多了。 晶体管数量继续增加达到惊人的4万亿个,AI核心数量进一步增加到90万个,缓存容量达到44GB,外部搭配内存容量可选1.5TB、12TB、1200TB。 乍一看,核心数量、缓存容量增加的不多,但性......
信英特尔差异化的端到端代工技术具有令人难以置信的能力,我很高兴公司没有分拆出这种能力。IFS有四部分——晶圆、封装、软件和开放的小芯片生态系统。基辛格强调了新颖的封装如何为设计人员提供工具来增加每个设备的晶体管数量......
-on-SiC晶体管的唯一供应商。电压更高的晶体管具有多种关键优势,其中包括更大的输出功率,更小的电流损耗,更高的可靠性;系统设计中要求的此类晶体管数量也更少。另外,宽带匹配可以提高能效,从而......
大约两年的时间,芯片内部的晶体管数量就会增加一倍,相当于性能翻倍增长。之前的28nm、14nm以及7nm芯片,都验证了摩尔定律,可以说这个规律是计算机和芯片领域的核心指导思想,时至......
满足更高算力需求,英特尔率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板;宣布在业内率先推出用于下一代的,计划在2020年代后半段面向市场提供。这一突破性进展将使单个封装内的晶体管数量不断增加,继续......
注入到硅基材料当中,晶体管越多性能越强,想要提升芯片的工艺,那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。 但是随着芯片工艺的不断提升,单位硅基芯片能够承载的晶体管已经越来越饱和,毕竟......
,摩尔本人在接受IEEE期刊Spectrum专访中透露,当年他在发表摩尔定律的文章时,只是想分享趋势观察,没想到该理论后来变成发展的定律。 在最初的40年里,晶体管数量......
的光刻机 若 是从工艺角度来讲,就相当于英特尔第一款芯片“4004”的尺寸——10微米。 当然了,毕竟是靠自己一个人,在晶体管数量......
尔宣布在业内率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板,计划在2020年代后半段面向市场提供。这一突破性进展将使单个封装内的晶体管数量不断增加,继续推动摩尔定律,满足以数据为中心的应用的算力需求。 英特......
通常会同时进行几个这样的超大型芯片设计,因为我们拥有 130 多名工程师,可以利用内部的技术资源组建设计每个阶段所需的团队。我们正在利用所有这些技能,在 3 纳米工艺下进行更复杂的设计,其中晶体管数量将超过 1,000 亿个......
通常会同时进行几个这样的超大型芯片设计,因为我们拥有 130 多名工程师,可以利用内部的技术资源组建设计每个阶段所需的团队。我们正在利用所有这些技能,在 3 纳米工艺下进行更复杂的设计,其中晶体管数量将超过 1,000 亿个。 有关......
因为集成电路芯片在发展初期,是一种需要尽快普及和应用的商业化产品,成本是其大规模应用和推广时要面对的主要问题。每隔一段时间,单位面积的晶体管数量倍增,带来的直接效应就是成本显著降低。这推......
将结合GAAFET与背面供电,以提升逻辑密度和能效。与N2P相比,A16工艺芯片预计在相同电压和复杂度下性能提升8%-10%,在相同频率和晶体管数量下功耗降低15%-20%,且密度将提升1.1倍。 在之前的2nm......

相关企业

;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:1.NPN硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件:小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管,整流管,稳压管,双晶体管,数字晶体管,镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想,急客户之所急的经营思路,快速,高效,灵活
类电子元器件,主要产品包括:高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
;深圳市杰科达实业有限公司;;本公司是一家股份制公司,拥有强大的经济实力。本着贸易互惠,信誉第一,诚心为本,以质取胜的原则,专营电子配件IC ,晶体二极管,计算机配件,半导体,晶体管等!我们
;瀚博(香港)集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,TVS管,整流
;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管
;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司,毗邻美丽的世界风筝都-潍坊,是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率晶体管,高频小功率晶体管,高反压大功率晶体管、三极管、达琳顿晶体管