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研究人员正在开发下一代半导体，为未来的人工智能系统提供动力。二维半导体正在原子水平上进行研究，以改进硅基半导体技术。然而，与传统的硅基半导体器件相比，使用二维半导体时更难控制电财产。研究人员开发了一种掺氯二硒锡材料，可以使用二维电极控制半导体电子器件的电气财产。开发的二维电极材料非常薄，具有高透光率和柔韧性，适合下一代柔性和透明半导体器件。三星电子自1993年以来一直处于全球存储器半导体市场的前沿。他们通过开发先进的材料、工艺和设备，以无与伦比的竞争力促进了全球IT技术的发展。在诸如移动、云服务、虚拟现实（VR）、增强现实（AR）和汽车等各个领域，对提高半导体器件性能的需求很高。随着人工智能的快速应用，对新型高速低功耗半导体器件的需求也越来越大。三星电子将通过开发先进的材料、工艺和设备，继续引领半导体市场的战略领域，如下一代DRAM、VNAND、5G调制解调器、AP和图像传感器。这项技术将导致更薄、更小的微器件，它们更适合于一个芯片，以提高半导体性能。由3D材料制成的硅有一个关键缺陷，即短沟道效应和电荷分散，这会降低其性能和寿命。当晶体管变小时，它会因电流泄漏和发热而损坏自身。提高决定半导体性能的微器件集成密度的挑战仍在继续。第三代半导体使用氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）制成，高频抗辐射应用，如电动汽车数据中心可再生能源生产等。第三代半导体的物理财产远优于第一代或第二代材料，如硅（Si）锗镓砷化物（GaAs）或磷化铟（InP）。第一代材料在光电子高频和高功率器件中的应用受到限制，而第二代研究人员正在开发下一代半导体，为未来的人工智能系统提供动力。二维半导体正在原子水平上进行研究，以改进硅基半导体技术。然而，与传统的硅基半导体器件相比，使用二维半导体时更难控制电财产。研究人员开发了一种掺氯二硒锡材料，可以使用二维电极控制半导体电子器件的电气财产。开发的二维电极材料非常薄，具有高透光率和柔韧性，适合下一代柔性和透明半导体器件。三星电子自1993年以来一直处于全球存储器半导体市场的前沿。他们通过开发先进的材料、工艺和设备，以无与伦比的竞争力促进了全球IT技术的发展。在诸如移动、云服务、虚拟现实（VR）、增强现实（AR）和汽车等各个领域，对提高半导体器件性能的需求很高。随着人工智能的迅速采用，对新型高速和低功耗半导体器件的需求也越来越大。三星电子将通过开发先进的材料、工艺和设备，继续引领半导体市场的战略领域，如下一代DRAM、VNAND、5G调制解调器、AP和图像传感器。这项技术将导致更薄、更小的微器件，它们更适合于一个芯片，以提高半导体性能。由3D材料制成的硅有一个关键缺陷，即短沟道效应和电荷分散，这会降低其性能和寿命。当晶体管变小时，它会因电流泄漏和发热而损坏自身。提高决定半导体性能的微器件集成密度的挑战仍在继续。第三代半导体使用氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）制成，高频抗辐射应用，如电动汽车数据中心可再生能源生产等。第三代半导体的物理财产远优于第一代或第二代材料，如硅（Si）锗镓砷化物（GaAs）或磷化铟（InP）。第一代材料在光电子高频和高功率器件中的应用受到限制，而第二代材料

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