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领域的发展，合成的环型碳有望发展成为新型，并在分子电子器件中有着广阔的应用前景。 11月30日零点，国际顶级学术期刊《自然》在线发表了该项科研成果。 ......
®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出一款电机控制参考设计，该设计将 智能电机控制器与 Qorvo 的新型碳化硅 (SiC) FET 集成到概念验证片上系统 (SoC) 中，以驱动高达 3000W......
Soitec 在法国贝宁增设创新型碳化硅晶圆生产线，以提升 SOI 综合供应能力;2022 年 3 月 16 日，北京——设计和生产创新性半导体材料的法国 Soitec 半导体公司宣布，将在......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破;据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片......
工程杂志》。 半导体性单壁碳管多循环生长示意图 杨磊供图 文章通讯作者赵廷凯告诉《中国科学报》，半导体性单壁碳纳米管由于特殊的管壁结构使其具有独特的电学、光学等性质，对于开发新型......
露笑科技：将有62台新长晶炉投入使用，持续加码碳化硅领域;露笑科技于2022年1月6日接受多家机构调研。在本次机构调研活动中，露笑科技介绍了包括公司6英寸导电型碳......
中国实现芯片制造关键技术首次突破：一年内投入应用; 9月3日消息，据南京发布公告，经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心(南京)，成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET制造......
天岳先进官宣：液相法P型碳化硅衬底成功交付;11月6日，据天岳先进官微消息，天岳先进近日向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底。天岳先进表示，高质量低阻P型碳化硅衬底将加速高性能SiC-IGBT的发......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术; 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨......
采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。 AMP 公司硬件工程副总裁 Jiaqi Liang 表示：“在 AMP，我们......
的神秘大单。 天岳先进拿下近14亿元大单 7月21日，天岳先进发布公告称，近日与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025年，公司及公司全资子公司上海天岳半导体材料有限公司向合同对方销售6英寸导电型碳......
公司、山东天岳先进近日也在国产碳化硅晶体上更进一步。 烁科晶体8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产 烁科晶体官方宣布已于2022年1月实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳......
。   资料显示，晶格领域是集碳化硅（SiC）衬底研发、生产及销售于一体的创新型高技术企业，具有自主知识产权的液相法碳化硅单晶生长技术，能有效提高晶体质量，降低生产成本，并能制备出高质量4H-p型碳化硅和3C......
潜力将被充分挖掘。 白皮书中指出，新型功率半导体应用需求大幅提升，对能源输送和控制的安全、高效、智能等方面提出更高的要求。这些都需要通过电力电子化设备进行运行、补偿、控制。 目前......
建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。 天科合达指出，该扩......
于航空航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源汽车、太阳能逆变器及工业驱动等领域。 根据此前的资料显示，该项目全部达产后，可实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片，5000片4英寸高纯度半绝缘型碳......
从事碳化硅衬底的研 发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域，公司已成为全球为数不多的掌握半绝缘型和导电型碳化硅衬底、产品尺寸较全的碳化硅衬底生产商。目前，该公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳......
包括生产厂房、动力厂房、氢气站、特气站、化学品库以及110kv变电站等建（构）筑物。项目建成后主要用于生产6英寸导电型碳化硅半导体材料，产品应用于新能源汽车、轨道......
建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。 随着......
半导体的产品包括4-6英寸N型导电型碳化硅衬底、4-6英寸N型导电型碳化硅晶体、6/8英寸感应式长晶炉、6/8英寸电阻长晶炉等，可应用于半导体照明、移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、雷达、消费......
半导体材料研究新途径？“下一代奇迹材料”石墨炔首创成功;据最新一期《自然·合成》报道，美国科罗拉多大学研究人员开展的一项研究，已成功合成出科学家们数十年来孜孜以求的一种新型碳——石墨炔。该成......
博士表示：“为实现环保出行，铁路技术需要引入专门针对这些应用而设计的创新性半导体解决方案。凭借低开关损耗和更高的开关频率，英飞凌的新型碳化硅产品有助于打造更环保、更安静的列车。这些......
时只对单一电炉供电，以便根据电负荷特性调节电压来基本上保持恒功率。 碳化硅按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件： （1）导电型碳化硅功率器件 功率器件又被称为电力电子器件，是构......
上亮相。英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士表示：“为实现环保出行，铁路技术需要引入专门针对这些应用而设计的创新性半导体解决方案。凭借低开关损耗和更高的开关频率，英飞凌的新型碳......
建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。 晶升股份成功研发了8英寸......
三届亚太碳化硅及相关材料国际会议暨首届第三代半导体徐州金龙湖峰会上，天科合达8英寸导电型碳化硅衬底正式发布，公司还同时宣布将于2023年实现8英寸导电型碳化硅衬底小规模量产。 除此之外，在当天活动上，北京......
碳化硅衬底的产能，其中包括N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。 8英寸进展方面，烁科晶体于2021年8月研制出8英寸碳化硅晶体，随后在2022年1月，烁科晶体实现8英寸N......
已成功研制出8英寸碳化硅晶体，随后又于2022年1月进一步宣布实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产； 晶盛机电在2022年8月中旬宣布公司首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉； 天科合达于2022......
立长晶和加工研发实验线，于2022年成功研发出8英寸N型碳化硅晶体。2023年11月，公司正式启动进入了碳化硅衬底项目的量产阶段。 在碳化硅产业链中，衬底材料成本占据整体成本大概40%，成为降本关键环节，而大......
新厂；法国Soitec半导体公司发布首款8英寸SmartSiC晶圆。 国内方面，烁科晶体实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步；中科......
逆变器、车载OBC/PCU和高压快速充电桩，将是未来5到10年碳化硅市场主要增量来源。 在企业布局方面，露笑科技表示，目前6英寸导电型碳化硅衬底产能主要被国外CREE，罗姆等公司掌控，且英......
凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士表示：“为实现环保出行，铁路技术需要引入专门针对这些应用而设计的创新性半导体解决方案。凭借低开关损耗和更高的开关频率，英飞凌的新型碳......
年上半年碳化硅衬底项目进展 其中，天岳先进是国内“碳化硅第一股”，其山东济南、济宁的碳化硅衬底生产基地主要生产半绝缘型衬底；上海临港项目则定位为6英寸导电型碳化硅衬底生产基地，满足......
楼、门卫等。拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片......
产年，形成年产导电型碳化硅晶锭2.6万块，对应衬底产品30万片的生产能力。 宽禁带半导体衬底材料在5G通信、新能源、国防军工等市场具有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。 资料......
21日，天岳先进与某客户签订了时长三年的6英寸导电型碳化硅衬底产品销售合同。 按照合同约定年度基准单价测算（美元兑人民币汇率以6.7折算），预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。天岳......
进度超预期。根据2022年募投计划，公司将于上海临港建设碳化硅衬底生产基地，扩大公司在导电型碳化硅单晶衬底的生产能力，原计划于2022年试生产、2026年达产，实现年产能30万片导电型碳......
%以上。  据悉，山西省拥有国内最大的碳化硅材料供应基地——中国电科（山西）碳化硅材料产业基地。一期项目于2020年正式量产，一期项目达产后，将形成年产18万片N型碳化硅单晶晶片、5万片高纯半绝缘型碳......
示了天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目（以下简称：二期项目）环评审批。二期项目用于扩大天科合达碳化硅晶体与晶片产能，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。 8月底，重庆......
资金将继续用于增加碳化硅外延产线的扩产以及持续加大碳化硅大尺寸外延生长研发投入。 此外，在碳化硅技术突破上，国内企业迎来新进展。 2022年1月，烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产；同年8月，晶盛机电成功出炉公司首颗8英寸N型碳化硅晶体，并于2023年2月表......
建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。 目前，天科......
家国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。目前，该公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。 招股......
半绝缘碳化硅单晶衬底、N型碳化硅碳单晶衬底以及碳化硅莫桑石材料，配套建设综合楼及附属生活区。其产品主要用于第三代半导体芯片衬底，在军工、航空航天、新能源汽车等领域具有广阔的市场前景。 封面图片来源：拍信网......
机电已成功生长出行业领先的8英寸N型碳化硅晶体，完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产。......
正式将碳化硅材料列入重点研究领域项目，由中科院两家分所主攻导电型碳化硅晶体，山东大学晶体材料研究所主攻半绝缘型碳化硅晶体。 “相较于硅基，碳化硅器件具有功率大、体量小、节能高效、耐用等多方面优势，除了......
优势使它们在各种应用领域中受到广泛关注，从而推动了半导体行业的不断创新和进步。 碳化硅(SIC)是什么 定义：SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳......
企业级生态体系，培养第三代半导体行业人才。 同光股份成立于2012年，位于保定国家高新技术开发区，是中科院半导体所的合作单位，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发、生产和销售。公司主要产品包括6/8英寸导电型和高纯半绝缘型碳......
与近年来电动汽车、光伏储能等产业的蓬勃发展紧密相关。 总体来看，第三代半导体相关设备壁垒较高，国际厂商依旧占据较大市场。材料上国产厂商则取得了长足进展，如天岳先进、天科合达成功打入全球导电型碳......
家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的企业，公司外延片产品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）电力电子器件，可提供低缺陷率和高均匀性要求的6寸导电型碳化硅外延晶片。 封面图片来源：拍信网......

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