厦门8英寸碳化硅项目预计2025年试生产

发布时间:2024-10-22  

10月18日,据厦门日报消息,厦门这个8英寸碳化硅项目近日取得了新进展。

据报道,位于福建省厦门市海沧区的士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目近日进入土方工程收尾阶段,一期项目预计将于2025年三季度末初步通线,四季度试生产。

据悉,士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目总投资120亿元,分两期建设,其中,一期项目总投资70亿元,达产后年产42万片8英寸碳化硅功率器件芯片。两期全部建成投产后,将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。

从该项目推进情况来看,作为该项目实施主体士兰集宏的母公司,士兰微与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司于2024年5月21日签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。随后在6月18日,士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在厦门市海沧区正式开工。

近期,除士兰微8英寸碳化硅项目外,国内外厂商还有多个8英寸碳化硅项目披露了最新进展。

其中,北京市生态环境局于8月13日公示了天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(以下简称:二期项目)环评审批。二期项目用于扩大天科合达碳化硅晶体与晶片产能,投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底,其中8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。

8月底,重庆三安8英寸碳化硅衬底厂点亮通线。该项目投资额为70亿元,规划年产8英寸碳化硅衬底48万片。

9月27日,住友金属及其全资子公司Sicoxs Coparation宣布,将在Sicoxs的Ohkuchi工厂建设一条新的8英寸SiCkrest大规模生产线,SiCkrest为直接键合的碳化硅衬底。

10月13日,据韩媒报道,韩国东部高科(DB HiTek)于11日宣布,其将在忠清北道Eumseong的Sangwoo园区内投资扩建半导体洁净室,计划先行建设8英寸碳化硅产线。

10月16日,在首届SEMiBAY湾芯展开幕式上,方正微电子发布了车规/工规碳化硅MOSFET 1200V全系产品,还表示其8英寸碳化硅产线将于2024年年底通线。

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封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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