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全球首发!英特尔正式发布全新一代内存和存储产品(2020-12-18)
持久性的英特尔固态盘D5-P5316。
随着今日傲腾技术的发布,英特尔继续在数据中心内存和存储金字塔中构建融合了DRAM和NAND特性的新的层级。其中,英特尔傲腾固态盘通过高速缓存和高速存储的性能,突破......
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2024年通用NAND价格下跌超50% 三星、铠侠计划减产(2024-12-03)
2024年通用NAND价格下跌超50% 三星、铠侠计划减产;
【导读】由于通用NAND闪存市场不景气,预计内存行业将再次进行减产。据报道,日本内存厂商铠侠预计将在下个月开始减产NAND......
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飞凌开发板:S3C6410 之裸机程序烧写(2024-09-06)
,尚未验证。网上大部分方法都是针对Uboot 烧写内存,通过USB或者串口,网络。没有看到写道NAND FLASH的方法。没办法,只能凑活着写道内存中,先看看自己的程序是不是写对了。突然有一天,翻翻......
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2022年全球智能手机内存市场规模同比大幅下降23%(2023-04-10)
市场遭遇了严重逆风,2022年全球智能手机内存市场规模同比大幅下降23%,DRAM和NAND产品价格也大幅下降。
TechInsights手机元件技术服务指出,由于......
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澜起科技、东芯股份再透露新消息?(2022-06-09)
JEDEC已公布的相关信息来看,DDR5内存接口芯片已规划三个子代,支持速率分别是4800MT/s、5600MT/s、6400MT/s,预计后续可能还会有1-2个子代。预计今年除了DDR5第一......
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S3C2440的内存情况在NAND FLASH或者NOR FLASH启动的情况下(2024-07-23)
S3C2440的内存情况在NAND FLASH或者NOR FLASH启动的情况下;1,从NANDFLASH启动时,在ARM上电时,ARM会自动把NANDFLASH前4K的内容拷贝到S3C2440内部......
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存储需求动能强劲,第四季 DRAM 合约价有望再涨逾一成(2016-10-18)
器、面板等关键零部件皆终止长期价格颓势。TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 表示,内存在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长态势与服务器需求增温带动下,DRAM 与 NAND......
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Q1全球智能手机内存TOP3厂商包下85%市场:三星独占46%(2022-07-18)
Q1全球智能手机内存TOP3厂商包下85%市场:三星独占46%;市场研究机构Strategy Analytics发布的研究报告《2022年Q1智能手机内存市场份额:三星占46%》显示,2022年Q1......
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mini2440之启动机制(2024-06-20)
完后进入内核继续正常运行
Nor flash:带有通用的sram的接口,可以直接访问内存,启动时候零地址指向norflash,适合做代码存储并EIP的
nand flash:常用于存放较大的数据
mini2440启动时,从......
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NAND闪存,价格暴跌50%(2024-12-02)
NAND闪存,价格暴跌50%;
【导读】据报道,日本内存厂商铠侠预计将在下个月开始减产NAND。韩国三星电子也预计将采取减产措施,以稳定NAND供应......
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S3C2440,S3C2450和S3C6410的区别(2023-02-02)
。这些平台又与S3C2440处理器有哪些区别优势。
S3C2440:
主频400MHz;
SDRam内存控制器;
支持Nor Flash和Nand Flash(SLC)
支持2种Flash启动;
内部......
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arm:启动代码判断是从nand启动还是从norflash启动,拷贝程序到内存的过程(2023-09-01)
arm:启动代码判断是从nand启动还是从norflash启动,拷贝程序到内存的过程;一、nand启动和nor启动:[1]
CPU从0x00000000位置开始运行程序。
1、nand......
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2022年全球智能手机内存市场规模同比大幅下降23%(2023-04-11 15:01)
市场遭遇了严重逆风,2022年全球智能手机内存市场规模同比大幅下降23%,DRAM和NAND产品价格也大幅下降。从市场份额来看,三星市场份额为48%,SK海力士和美光紧随其后,2022年,前三......
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u-boot之NAND启动与NOR启动的区别(2024-08-29)
主要的区别为:nor flash比较稳定,存在里面的数据不易丢失,但是容量小,nor flash在读的时候可以像内存一样操作;nand flash容量大,但是存在位反转,会导致数据丢失,读写需要通过一定的时序。所以......
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内存销售额创纪录背后的喜与忧(2017-07-19)
NAND内存市场尤其突出。
是的,三星、SK海力士、美光这样的内存大厂在这场大戏中悉数到场,大张旗鼓,加码内存芯片布局的举措真可谓是应接不暇,颇为热闹。不论......
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美光首个 3D NAND 芯片送样,打破三星独霸局面(2016-10-18)
美光首个 3D NAND 芯片送样,打破三星独霸局面;
内存的 3D NAND Flash 大战即将开打!目前......
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arm920t中S3C2440、S3C2450和S3C6410的区别(2023-02-02)
器有哪些区别优势。
S3C2440:
主频400MHz;
SDRam内存控制器;
支持Nor Flash和Nand Flash(SLC)
支持2种Flash启动;
内部LCD、I2C、Camera等控......
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铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存,重组存储级内存业务(2024-04-07)
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存,重组存储级内存业务;4 月 7 日消息,据日经 xTECH 报道,铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日......
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华邦HyperRAM与SpiStack助力瑞萨RZ/A2M微处理器加速构建嵌入式AI系统(2021-07-08)
+NAND) 产品能够与瑞萨基于Arm® 内核的RZ/A2M 微处理器 (MPU) 搭配使用。华邦长期向瑞萨供应各类外部存储器,其中包括DRAM、NOR Flash和NAND Flash等嵌入式系统的主流内存......
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NAND平均成本上升,备货需求回暖,近期存储现货行情谨慎乐观(2023-09-07)
SSD、eMMC、存储卡和U盘以及部分渠道内存价格均录得小幅反弹。由于嵌入式的 NAND wafer供应趋于紧张,加上部分移动终端销量优于预期,高容量eMMC需求显著增加。本周初,现货......
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s3c2440裸机-内存控制器(一、内存控制器的原理)(2023-08-10)
),有memory controller内存控制器,有Nand控制器等...
1.不同类型的控制器:
(1)GPIO控制器属于门电路,不涉及到时序,相对简单。
(2)串口控制器属于协议类接口,类似......
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s3c2440裸机-内存控制器1-内存控制器的原理(2024-07-08)
memory controller内存控制器,有Nand控制器等...
1.不同类型的控制器:
(1)GPIO控制器属于门电路,不涉及到时序,相对简单。
(2)串口控制器属于协议类接口,类似......
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NAND闪存价格将在2023年第一季度下跌(2022-10-30)
境的不确定性给2022年下半年企业服务器和数据中心的NAND闪存需求蒙上了阴影。买家已经开始放缓购买内存的步伐,并对明年的需求变得谨慎。
消息人士称,今年第四季度企业级SSD价格......
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内存 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠(2016-10-18)
内存 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠;
笔电用内存需求动能强劲,甚至于 NAND 闪存......
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s3c2440裸机-代码重定位(1.重定位的引入,为什么要代码重定位)(2023-08-09)
对应nor,nor可以像内存一样读,但不能像内存一样写。我们能够从nor上取指令执行。
例子1:当nand启动的时候,我们nand中的前4K指令会变自动加载到sram中去,这时的0地址对应sram。
那么......
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s3c2440裸机-代码重定位-1-重定位的引入(2024-07-08)
一样读,但不能像内存一样写。我们能够从nor上取指令执行。
例子1:当nand启动的时候,我们nand中的前4K指令会变自动加载到sram中去,这时的0地址对应sram。
那么我们的程序如果大于4K......
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季度末部分资源供应趋紧,存储现货市场NAND行情续涨,DRAM行情回暖(2023-09-20)
季度末部分资源供应趋紧,存储现货市场NAND行情续涨,DRAM行情回暖;
【导读】三季度尾声,上游相继控制资源供应,原厂放缓NAND供应节奏,市场持续消耗库存,NAND资源供应趋紧,现货......
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半导体业者都被3D NAND骗了!(2017-08-19)
半导体业者都被3D NAND骗了!;
来源:内容来自国际电子商情 ,谢谢。
3D-NAND内存市场看俏,但几个有关的技术问题和误解也随之而来…
3D-NAND内存自从2013年8......
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都在说RAM和ROM 可你真的懂这些储存原件么?(2016-10-12)
闪存。
eMMC在之前一直都是业内主流的内存标准,通俗的来说,eMMC=NAND闪存 闪存控制芯片 标准接口封装,UFS和NVMe也都是如此,不同之处在于闪存控制芯片和接口协议不一样。eMMC从......
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红利结束!2018年开始DRAM价格将下崩(2017-05-10)
DRAM报价较去年第4季上涨26%,更较去年同期成长45%,至于NAND Flash报价首季报价季增8%,年增率也高达4成之多。而手机内存中,普通的8G DDR4内存从200元直......
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消息称国内存储大厂内存、闪存采购成本上涨约20~30%(2023-10-13)
和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点,国内有存储器下游龙头企业,NAND闪存芯片采购成本上涨近20%,DRAM内存芯片采购成本上涨约30......
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群联CEO:NAND需求增,报价还会涨(2024-01-30)
群联CEO:NAND需求增,报价还会涨;
【导读】群联CEO透露,近期NAND Flash需求正逐月增加,几乎每个容量规格都有缺货,未来两个月报价还会出现不小的涨幅。AI应用会推动NAND......
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存储上游资源竞价动作频频,SSD和内存条价格延续调整(2023-03-15)
存储上游资源竞价动作频频,SSD和内存条价格延续调整;
【导读】存储上游原厂库存高企,上游资源价格难以止跌,尤以NAND竞价出货动作频频。淡季整体市场围观氛围渐浓,基本维持按需流动。存储......
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2016 年全球闪存高峰会,中国厂商能见度快速攀升(2016-10-18)
年整体 NAND Flash 需求将维持每年 40% 的高成长率,中国巨大的市场发展潜力势必带动众多 NAND Flash 厂商投入,未来中国厂商的布局更加火热。
本届快闪高峰会中国厂商的动态可从内存......
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盘点华为/小米/OPPO/VIVO手机里的DRAM和NAND供应商(2022-04-14)
盘点华为/小米/OPPO/VIVO手机里的DRAM和NAND供应商;国际电子商情讯,随着手机对内存性能的需求接近PC,全球智能手机制造商已将最新内存组件用于手机当中,近日Techinsight发布了对智能手机中内存......
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助力数字化可持续未来!美光科技首次亮相上海进博会,展示创新内存和存储解决方案(2023-11-08)
助力数字化可持续未来!美光科技首次亮相上海进博会,展示创新内存和存储解决方案;
据IDC预测,到2025年全球数据使用量将达到175ZB,年均复合增长率(CAGR) 达35%。其中,我国......
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长江存储开始供应232层QLC 3D NAND 技术实现再次突破(2023-11-02)
被列入美国的实体名单, 但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。
近期存储市场的低迷,许多内存制造商专注于节省成本的举措,这可能为长江存储提供了机遇,使其推出拥有更高比特密度的3D Xtacking NAND。再次......
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DRAM芯片价格有望随NAND温和上涨(2023-09-20)
DRAM芯片价格有望随NAND温和上涨;
【导读】自从第三季度起,NAND晶圆减产效应开始显现,价格有所增长。NAND闪存供应商将从第四季度开始提价。据业内人士称,DRAM价格......
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内存缺货副作用 IC厂遭波及(2017-08-14)
旺季不旺,部分效应甚至可能延续到年底。
动态随机存取内存(DRAM)今年上半年创下史上最旺的淡季纪录,同时出现罕见的储存型闪存(NAND Flash)与编码型闪存(NOR Flash)同步......
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2025年内存市场展望(2024-10-09)
2025年内存市场展望;
【导读】内存市场正处于十字路口,受到技术进步、消费者需求变化和投资策略演变等各种因素的影响。随着人工智能应用彻底改变行业,对HBM和高容量SSD的需......
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2025年内存市场展望(2024-10-09)
2025年内存市场展望;
【导读】内存市场正处于十字路口,受到技术进步、消费者需求变化和投资策略演变等各种因素的影响。随着人工智能应用彻底改变行业,对HBM和高容量SSD的需......
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美光批量出货业界首款 176 层 QLC NAND 并推出客户端 PCIe 4.0 SSD 2400 系列;2022 年 1 月 25 日,上海 —— 内存和存储解决方案领先供应商 Micron......
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DRAM内存芯片现货价格下跌,NAND交易疲软(2024-06-24)
DRAM内存芯片现货价格下跌,NAND交易疲软;
【导读】研究机构TrendForce集邦咨询报告显示,短期内无论是DRAM内存还是NAND Flash的现货价格都没有太大的好转迹象。另外......
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部分产品缺货!这类芯片涨价预期持续发酵(2023-12-11)
部分产品缺货!这类芯片涨价预期持续发酵;
【导读】据台媒电子时报消息,存储芯片价格从第2季触底,近半年来市场价格强势拉涨,如11月NAND Flash价格已回到2023年初水平,但跌......
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S3C2440存储控制器的地址空间与MMU分析介绍(2022-12-26)
时地址空间不同?这是因为NOR是线性结构,跟普通的内存差不多,它接在BANK0上。而NAND则是另外一种结构,S3C2440有专用的NAND控制器和地址线来连接,它不能接在BANK0上。CPU启动时必定从0地址......
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存储涨价从DRAM内存延伸至NAND闪存(2023-11-13)
存储涨价从DRAM内存延伸至NAND闪存;
【导读】受减产和需求复苏的双重影响,存储价格的上涨趋势从DRAM内存开始,现在已扩展到NAND闪存。预计三星电子和SK海力......
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SK海力士量产321层NAND(2024-11-21)
SK海力士量产321层NAND;
【导读】业界首款1Tb 321层NAND已开发完成,2025年上半年供货。有望成为全栈式AI内存提供商,增强AI存储......
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全球最先进的闪存技术进入手机应用(2021-08-12)
新的 LPDDR5和1α LPDDR4X内存解决方案一起,推动下一波5G和人工智能手机的发展。
美光在高端和旗舰手机的内存创新方面一直处于领先地位。公司近日宣布,已开始批量出货全球首款基于176层NAND技术......
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消息称西数和铠侠合并出现新变数:SK 海力士反对(2023-10-18)
消息称西数和铠侠合并出现新变数:SK 海力士反对;10 月 18 日消息,NAND 闪存芯片制造商铠侠(Kioxia)与西部数据(WD)的合并计划迎来新变数,报道称韩国内存巨头 SK 海力......
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2017 年内存迎好年,预估成长 10%、产值刷新高(2016-12-22)
于 DRAM、NAND Flash 平均销售价格(ASP)上扬,而能有 10% 的成长。
报告指出,2015 年 PC 市场大衰退、存货激增、新兴应用无法带来爆发性的成长,内存市场黯淡,整体而言也衰退了 3......
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