2017 年内存迎好年,预估成长 10%、产值刷新高

发布时间:2016-12-22  

technews

半导体行业观察苦了好久的内存产业终于在今年下半转佳,且明年有望再持续成长!今年下半市场需求回升,但上游厂商产能扩张有限,面临供货吃紧状况。使得 2016 年下半开始,无论 DRAM、NAND Flash 价格都节节上升,而这样的态势可能还会维持到 2017,调研机构 IC insights 预估,明年整体内存市场还能有 10% 的成长。

调研机构 IC insights 20 日发布最新报告指出,在两年衰退之后,内存市场明年将迎来好年,受惠于 DRAM、NAND Flash 平均销售价格(ASP)上扬,而能有 10% 的成长。

报告指出,2015 年 PC 市场大衰退、存货激增、新兴应用无法带来爆发性的成长,内存市场黯淡,整体而言也衰退了 3%,2016 年上半,内存市场同样维持衰弱的态势,即便 2016 年下半市况好转,2016 全年整体内存市场估计仍年衰退 1%,总产值约 773 亿美元,

内存 ASP 在 2015 年跌了 3%,在 2016 年又跌了 10%,不过,IC insights 估计,2017 年 DRAM ASP 能有 11% 的增长,而 NAND Flash 是今年唯一成长的内存类别,明年也有望有 10% 的成长。

总体而言,明年内存 IC 产业有 10% 的成长,产值来到 853 亿美元刷新历史新高纪录,且未来将逐年成长,2020 年能突破 1,000 亿大关、2021 年达到 1,100 亿美元。2016~2021 年内存市场年复合成长率约在 7.3%。

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  • Total Memory Market Forecast to Increase 10% in 2017

延伸阅读:

  • 2017 年 DRAM 供给位成长小于 20%,价格将持续攀高
  • 11 月 DRAM 合约价续涨,4GB 模组均价站上 18 美元大关
  • 涨价态势底定,2017 年第一季 DRAM 合约均价季涨幅约 15%
  • DRAM 需求拉紧报,第四季合约报价有望攀涨三成

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