当手机厂商供应链缺货的消息一波波接踵而至的时候，嗅觉敏锐的半导体厂商已经意识到，在今年的手机大潮中，技术已经沦为了故事的配角，这种情况在DRAM和NAND内存市场尤其突出。

是的，三星、SK海力士、美光这样的内存大厂在这场大戏中悉数到场，大张旗鼓，加码内存芯片布局的举措真可谓是应接不暇，颇为热闹。不论是原本作为主角的智能手机还是其他的手机零部件，即便缺货情况也是真实存在的，但是与内存相比，不免有些相形见绌。

根据IC Insights的最新数据显示，DRAM和NAND这两种内存类型的销售额在今年将创下历史新高。

就DRAM而言，根据Trendforce公司旗下DRAMeXchange事业部公布的最新统计数据，就在2017年前三个月中，内存组件的整体销售额达到创纪录的141亿美元，较上年同期增长达13.4%。另外，与2016年第四季度进行比较，2017年第一季度的PC DRAM组件平均销售价格增长了至少30%。

与此同时，服务器与移动市场亦因此受到严重影响，其中移动DRAM产品的价格平均上涨近10%。

在这种情况影响之下，三星作为市场王者，营收达到63亿美元，较上个季度增长6.8%且目前占据整体市场份额的44.8%。

实际上，三星近几年已经尝到了来自芯片市场的甜头，芯片产品成为和面板一样的利润奶牛。摩根士丹利就表示，半导体部门营业利润占据三星电子第二季度总营业利润的60%以上，该部门的营业利润主要来自存储芯片。而外界普遍预测，在半导体芯片业务的带动下，三星电子第二季度利润有望创历史新高。

可以说，内存芯片销售额暴涨，将使三星电子首度超越全球最大半导体制造商英特尔。

除了三星，美光也在DRAM价格上涨的影响下出现了营收的大幅度增长。数据显示，内存芯片销售额暴涨，将使三星电子首度超越全球最大半导体制造商英特尔。

另一方面，2017年第一季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响，即使第一季度为传统NAND Flash淡季，渠道颗粒合约价却仍上扬约20-25%。

受到中国智能手机以及SSD的需求动能带动，加上整体NAND Flash库存水位偏低，推升平均售价(ASP)季成长约15%，虽然SK海力士第一季度位元出货量(bit shipment)较去年第四季下降3%，但所有产品线均维持稳定的获利水位。

三星第一季SSD占整体产品组合比重已超过四成，且平均销售价格随着市场缺货而上扬，因此，第一季营收虽然较去年第四季度衰退5.8%，但其NAND Flash的营业利益率却较前一季提升。

中国闪存市场ChinaFlashMarket于今年年初发布了一份《2016年度闪存产业报告和2017年市场分析》，指出2016年整个闪存产业就被涨价、缺货、3D NAND等笼罩，芯片价格上涨超过了80%。

今年5月1日，半导体权威研究机构IC Insights发布的报告显示，2017年Q1与2016年Q1相比，DRAM的平均价格同比上涨了45%，NAND闪存的价格也同比增长了40%。

IHS的统计报告也指出，DRAM和NAND在未来五年都会有3-6倍的需求增长。因此在这样的供需矛盾影响下，存储类元器件50%的涨幅实属正常，并且未来还会继续看涨。

但是销售额的暴涨，根本原因却不是出货量的增加。

就DRAM而言，IC Insights预计2017年实际出货量将会有所下降。此外，NAND出货量与2016年相比，仅仅增长了2%。 对于DRAM和NAND两个内存市场而言，销售强劲的年增长率几乎完全是快速上升的平均销售价格（ASP）驱动的。

平均销售价格的增长从2016年开始就已经初现端倪。资料显示，2016年4月DRAM ASP为2.41美元，然而2017年1月ASP已迅速扬升至3.60美元，涨幅达49%。IC Insights预估2017年DRAM与NAND Flash ASP将会分别大幅年增37%与22%。

为什么会出现这种内存价格的大幅度增长呢？具体来说，主要有以下几点原因：

首先，内存良率问题。

三星在 2017 年 2 月中旬陆续召回部分序号的 18 纳米制程的内存模块，并且再重新出货给客户之后，仍然发生有瑕疵的状况。 而且，此事件已影响了名列前茅的 PC 大厂在 DPPM (每百万台的不良率) 有大幅提升的状况。

市场原本预计，在进入 2017 年第 2 季之后，因为有三星 18 纳米的 PC DRAM 内存模块与美光 17 纳米的 PC DRAM 内存模块相继出货，供货吃紧的状况应该可以得到缓解。 不料，三星继上次召回有瑕疵的 18 纳米制程的 PC DRAM 内存模块之后，近期再次出货的情况仍旧没有改善，还因而造成 PC大厂在 DPPM ( 每百万台的不良率) 有大幅提升的状况。

而除了三星之外，美光的 17 纳米制程 PC DRAM 内存模块也碰上相类似的情况。 甚至以目前出货给客户的样本来看，良率还低于 50% 以下。在 17 纳米制程的 PC DRAM 内存模块良率有问题的情况下，美光又无法再回头提供 20 纳米制程的产品给客户，这也使得美光陷入两难的状态。

以上两种情况，也为 2017 年 DRAM 市场的供货状况与价格变化再投下不确定因素。

其次，天灾不断。

在内存产能得不到扩大的情况下，本来情况就已经够糟糕了，但是屋漏偏逢连夜雨，内存工厂又接连出事。

不久前的7月1日，台湾美光晶圆科技发生氮气外泄事故，导致厂内晶片和设备受到了污染，事故至少造成6万片晶圆报废。

此次受到影响的工厂为台湾美光晶圆科技的Fab2，厂房为双子星结构，场内可容纳2座12寸晶圆厂，工厂产能达到月产12万片以上。由于去年美光与华亚科正式合并，该厂最早开始转入20nm制程，产品线也扩充至移动设备中的LPDDR4。

对于上述事件，TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)表示，报废的6万片晶圆约占全球DRAM产能5.5%，鉴于目前DRAM市场供货吃紧的状况，加之停工引起的产能中断，预计未来内存价格还将进一步上涨。

以上两点可以是抬高DRAM的主要原因。

第三，各大内存厂商大部分支出主要都用于推动技术进步，而不是用于增加产能。

具体来说，三星、SK海力士和美光在2017年上半年DRAM方面无新增产能，叠加下游内存需求不断增长，DRAM合约价在淡季也明显上涨。在NAND方面，三星、SK海力士和美光在2017年基本上所有的闪存支出都用在了3D NAND闪存上面，而不是用于扩大产能，即便是在今年投入的产能也不可能在短期内减小，但是要知道闪存缺货情况并不是一两日的光景了。

内存厂商在研发新技术的时候忽视了市场对于产品的需求，不可以不说是人祸。

最后，爆发的市场需求。

造成 NAND Flash 大缺货的原因，主要因为各种电子用品的渗透率提高，加上新兴市场使用者从功能性手机转进智能手机，带动相关储存需求急速攀升。

各家NAND Flash厂为竞逐储存容量更高的3D NAND，去年开始都调拨产能投入3D NAND Flash生产，结果因良率未达预期，造成全球NANDFlash大缺货，今年首季更写下历年来淡季最大涨幅。

那么如何解决这一问题呢？扩大产能可以说是势在必行的一步。

近日，有消息显示，三星计划投资近3万亿韩元(约合人民币183亿元)，扩充位于京畿道华城工厂17线DRAM产能。若投资完成，华城工厂将再没有多余空间，三星计划在17线生产增产DRAM、3D NAND闪存以及系统半导体。

从内存销售创纪录和出货量增长不大，我们应该注意到，市场对于DRAM和NAND的需求依旧非常紧迫。尽管2017年DRAM的平均销售价格会在今年下半年放缓，但是全年的平均销售价格增长率依旧达到了63%。

对于NAND的平均销售价格来说，2017年也将创下新高，预计会达到33%。

在市场需求与产能的双重压迫下，才造成了如今内存市场产品价格居高不下的局面。

虽然对于全球半导体产值来说，内存价格的上涨是一个好消息，据Gartner最新发布的统计显示，全球半导体产值受到内存价格上涨，今年将首破突破4,000亿美元，达到4,014亿美元，年增16.8%。

但是我们应当深刻的注意到这种情况出现的深层次原因。在这一轮市场增长中，技术已经不再是推动市场的主要动力，这与市场在技术的推动下的实现良性增长完全是背道而驰。

我们总是乐观的估计市场的需求和自身能力，而忽视了客观因素和意外事件的影响。在这一轮涨价潮中，良率和天灾就是厂商所忽视的客观原因。

对于一个良性发展的市场而言，技术才是主要的驱动力，对于恶性发展的市场而言，价格是厂商竞争的根本。今年的内存市场，我们不应当只看到了销售额的增长，而陷入价格的恶性循环之中，毕竟技术才是根本！（文/刘燚）

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