半导体行业观察闪存产业的指标性展会──2016 年全球闪存高峰会（2016 Flash Memory Summit）甫落幕，TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，大会连续两年设置中国专场，并由华澜微电子总裁骆建军博士担任论坛主持人，显示出中国市场已成国际关注焦点，中国闪存厂商的发言权与能见度正快速攀升。

由于移动设备需求的快速增长及服务器、数据中心的大量建置，中国市场 NAND Flash 消耗量呈爆发式成长。DRAMeXchange 预估 2017 年中国市场所消耗的 NAND Flash 量将占全球 30% 以上，2020 年将占全球逾 40%，成为中国大力进军 NAND Flash 产业，积极建立上中下游完整供应链的主要原因。

杨文得分析，3D-NAND Flash 最晚将于 2018 年超越整体 NAND Flash 市场的一半，进一步推升固态硬盘储存应用的容量与市场规模，至 2020 年整体 NAND Flash 需求将维持每年 40% 的高成长率，中国巨大的市场发展潜力势必带动众多 NAND Flash 厂商投入，未来中国厂商的布局更加火热。

本届快闪高峰会中国厂商的动态可从内存制造、主控芯片与应用市场两大面向看出其强大的发展企图：

内存制造端：武汉新芯为目前中国 NAND Flash 制造端厂商中最具规模者，与国际大厂飞索半导体（Spansion）合作发展 3D-NAND Flash，预计 2018 上半年量产第一世代的 3D-NAND 产品。今年 7 月武汉新芯正式与紫光集团成立长江存储科技公司，将有效整合中国在 NAND Flash 制造端发展能量。杨文得表示，为拉近与国际内存大厂的距离，中国产学界代表也联合展示闪存 FTL 技术及复旦大学 的RRAM 商业化尝试，可见中国在闪存布局有长远规画。

主控芯片与应用市场：中国主控芯片厂如华澜微、忆恒创源与华为等一线大厂皆参与盛会，看准固态硬盘未来 5 年快速成长的商机，各厂正强化在固态硬盘整体存储设备及 PCIe 高速接口的研发能量。此外，为实现建立自主产业链的目标，华澜微与华为等厂商也展示自主开发的 IP 与基础性结构研究。杨文得进一步表示，近年来中国主控芯片业者以自主开发或并购等方式获取关键 IP 技术的进展速度加快，预期两年内将有更多 NAND Flash 主控芯片厂跨国合作与购并。

（首图来源： CC BY 2.0）

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