【导读】据台媒电子时报消息，存储芯片价格从第2季触底，近半年来市场价格强势拉涨，如11月NAND Flash价格已回到2023年初水平，但跌势从2022年底一路快速下跌，无论是DRAM或NAND距离回到损益平衡点仍有不小挑战。但近期西部数据发布涨价函，叠加「明天会更贵」的心态持续发酵，带动下游系统业者采购力道转趋积极，部分产品出现缺货现象。

12月11日，据台媒电子时报消息，存储芯片价格从第2季触底，近半年来市场价格强势拉涨，如11月NAND Flash价格已回到2023年初水平，但跌势从2022年底一路快速下跌，无论是DRAM或NAND距离回到损益平衡点仍有不小挑战。但近期西部数据发布涨价函，叠加「明天会更贵」的心态持续发酵，带动下游系统业者采购力道转趋积极，部分产品出现缺货现象。

虽然各家内存大厂采取减产的步调不一，但上半年减产效应已逐渐发酵，先前较高的晶圆库存也陆续释出，由于内存处于价格低档时，上游原厂宁愿减少颗粒产出，改以Wafer供货以降低生产成本。然当进入价格高档阶段，上游原厂倾向供应颗粒IC，有利产品单价（ASP）提高。

而上周NAND Flash供应商西部数据率先对客户发出涨价通知信，强调未来几季NAND芯片产品价格将呈现周期性上涨，预期累计涨幅上看55%，堪称发出业内明确涨价的信号。

市场变化的主要转折点为三星积极减产：此前买方认为终端需求能见度仍低，担忧市场旺季不旺，因此保持低库存、缓提货的采购策略；随着供给龙头业者大幅减产，买方出于对供应将显著减少的预期心理因素，采购态度转趋积极。

据了解，受上游原厂减少产出后，整体供货资源顺序进行动态调整，原厂自家品牌产品利润最好，手握产能自然会以出货优先，对外NAND销售比重下降。供应链表示，目前感受到部分产品缺货状况，客户敲下第一波预订单，后续要增加拉货已经买不到。

封测业者观察，从第3季起来自内存模块业者的急单陆续涌现，随着价格持续看涨，第4季封测需求将能持稳或小增，整体订单动能将有机会优于第三季。

尽管近期内存价格涨势强劲，部分业者担心，终端实质需求相对平淡，与上游涨价幅度出现脱钩，可能导致压抑需求的状况，随着2024年即将到来，预期内存产业调涨价格趋势仍不会改变。

数据显示，由于存储芯片大厂减产保价策略奏效，行业Q4合约价报价优于市场预期，NAND每家平均涨至少20%-25％。展望第四季度，TrendForce预计，NAND Flash产品将迎来量价齐涨，预估全产品平均销售单价涨幅将达13%，NAND Flash产业营收将环比增长逾两成。

据CFM闪存市场数据显示，2023年第三季度全球NAND Flash市场规模环比7.5%至98.12亿美元，DRAM市场规模环比增长22.4%至130.63亿美元。整体来看，继第二季度环比增长9%之后，第三季度全球存储市场规模再度环比增长16%至228.75亿美元，同比跌幅进一步缩小到-28%。

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