葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

资讯

- NOT Gate 与门 - AND Gate 或门 - OR Gate 与非门 - NAND Gate 或非门 - NOR Gate 与非门和或非门都是非常通用的门，因为......
2024年第一季NAND Flash产业营收季增28.1%，成长动能预期将延续至第二季｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：2024年第一季NAND Flash产业......
TrendForce集邦咨询：2024年第一季NAND Flash产业营收季增28.1%，成长动能预期将延续至第二季; May 29, 2024 ---- 根据TrendForce集邦......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存;· 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 · 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存......
考究：三星到底有没有偷台积电技术？; 来源：内容来自 写点科普 ，谢谢。 台积电和联电拉开分水岭的关键，在于2000 那年联电采信了IBM… 等等！IBM支持的Gate-First......
Gen5 SSD世代来临。 群联表示，携手AMD与美光共同打造的PCIe Gen5生态系，其中各自将推出相对应的产品，包含AMD AM5平台、美光的DDR5与Raeplacement-Gate 3D......
3D NAND到底行不行，一文读懂3D NAND的神话与现实; 来源：本文由半导体行业观察翻译自semiwiki ，作者Scotten Jones，谢谢。 多年以来，2D NAND......
今年下半年推进本次产品的量产。 另外，SK海力士在本次产品中也采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”2工艺。公司表示：“本次产品通过采用HKMG工艺技术实现了最佳性能表现。坚信......
数据中心需求强劲，第一季NAND营收增长8.3%;根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上......
预计宏观经济的不确定性将持续存在，但三星预计需求将在下半年开始复苏，主要集中在HPC和汽车行业。半导体业务将继续巩固市场和技术领先地位，扩大先进节点和产品的比重，如DDR5、LPDDR5x和Gate......
技术可协助芯片制造商更好地检测与成像出纳米级埋藏的缺陷，以加快次世代闸极全环（Gate-All-Around，GAA）逻辑芯片，以及更高密度DRAM和3D NAND闪存的开发和制造。 电子......
和汽车行业。半导体业务将继续巩固市场和技术领先地位，扩大先进节点和产品的比重，如DDR5、LPDDR5x和Gate-All-Around (GAA)工艺。 资本......
-Gate 3D NAND、以及群联的旗舰Gen5 SSD控制芯片PS5026-E26等，助力5G无线技术所衍生的高速传输以及高速储存需求。 群联强调，美光、AMD与群联的合作，目的......
Floating Gate技术，堆叠192层，单芯片密度达到1.3Tera Bit。相比于第一代64L QLC NAND，其Program速度提升2.5倍，随机读性能提升5倍，读延迟降低1.5倍......
压电力半导体工艺技术的应用领域广泛，包括家电、汽车、通信、工业等，支持设计和制造用于驱动电机的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市场占电力半导体IC市场的8%，预计自2022年至2027年年......
发出了改进LPDDR5X性能的自命名产品“LPDDR5T”，正进行客户认证。 SK海力士强调：“公司将HKMG(High-K Metal Gate)2工艺......
DRAM将跨入3D时代; 来源：内容来自 eettaiwan ，谢谢。 就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低，NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D，而DRAM......
望成长13%。为提高芯片能效，英特尔、三星和台积电等芯片大厂准备2025年生产2纳米全环绕栅极（gate-all-around，GAA）芯片，使2025年先进制程总产能出现17%涨幅......
一名称职的搬运工，我将此视频的内容做浓缩，有兴趣的还是也可以去看看原视频。 在 1997 年以前，几点几微米，或者几百纳米，那的的确确是指的晶体管上面的 gate 的长度（gate 在大陆叫做栅，在台......
寄存器详解----------------- 8位从高到低依次为：GATE        C/T        M1    M0                GATE    C......
D2 D1 D0 GATE C/T M1 M0 GATE C/T M1 M0 这是定时器/计数器工作方式寄存器TMOD，不能位寻址（只能一次操作一个字节，八位，不能单独操控某一位）。 TMOD......
“ 与非门 ：一个与门的输出和一个非门相连，英文是not and，NAND gate。那个......
负责车身动力的牵引电机是无法依靠小功率直流源驱动。因此必须使用逆变器，将直流成分转换成大功率交流量。 在逆变器中，包含有主控 MCU，以及本篇文章重点介绍的 Gate Driver，该器件可以将 MCU 的低电压 PWM 控制......
-Step Dry Etching Model for Non-Uniform Etching Profile in Gate-All-Around Field-Effect Transistor......
英诺赛科推出100V双向导通器件，支持48V BMS应用; 【导读】英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件 INV100FQ030A，器件采用单 Gate 设计，通过控制 Gate到......
，标识定时器的溢出和中断情况。 定时器/计数器模式控制寄存器（TMOD） GATE = 0  不受外部中断控制GATE = 1  受外部中断控制（即使软件开启了，也要外部中断引脚置位才行） 方式0......
中国大陆存储器行业方兴未艾？;存储器，顾名思义，用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。目前，现代计算系统通常采取高速缓存（SRAM）、主存（DRAM）、外部存储（NAND Flash）的三......
机功耗、内建被动均衡、高压Gate-driver等功能，LDO输出能力达50 mA，适合应用于3~8串锂电池产品，如电池管理系统(BMS)保护板、电动工具、无线......
  IE0  IT0 定时器方式寄存器(TMOD) 用于控制两个定时/计数器的工作方式,高4位定义T1,低4位定义T0,字节地址为89H。 格式: GATE C/T  M1   M0   GATE C......
音频与能量的传递有绝对的关系，故在音频范围内，其GATE的导通时间也必须被限制在1us以内。这样才能彻底的改善音频噪音。 一般为了解决变压器的机械式震荡噪音可藉由加强凡立水，加强点胶(epoxy)，让线更扎实，减少......
及以下节点的产能预计在2024年将增长13%，主要受数据中心训练、推理和前沿设备的生成式人工智能（AI）的驱动。为了提高处理效率，包括英特尔、三星和台积电在内的芯片制造商准备开始生产2nm GAA（Gate......
速将 GATE 引 脚连接至 VIN。在 GATE 与 VIN 电压之间没有二极管压降。当外部 N 沟道 MOSFET 的栅极处于最负电位 (VIN)时，从VOUT至VIN上负电压的漏电流极小。  图 3......
沟道 MOSFET 的 GATE，以获得 2.7V 至 16.5V 的电源电压范围。LTC4210 提供了初始定时循环，并允许 GATE 以一种可编程速率斜坡上升。 LTC4210 具有......
区块），大家常见的逻辑容量主要包括8GB、16GB、32GB这些，但也有128GB的服务器级内存，其中就使用了不等数量的DRAM芯片。 基于2013年全球首款3D垂直结构NAND（3D V-NAND）商业......
武汉新芯50nm高性能SPI NOR Flash产品全线量产;2020年5月13日，紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”），宣布其采用50nm Floating Gate......
HOLTEK新推出BD66FM6445A/52A内建P/N Gate-driver BLDC电机MCU; 【导读】Holtek推出新一代直流无刷电机专用SoC Flash MCU......
一个电机需要LDO，MCU，gate driver, amplifier, LIN/CAN transceiver和MOSFET。基于此，推出了针对低压电机驱动的品牌™。其中，最简单的driver系列......
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”;存储器的抹除流程使人想起相机的闪光灯，于是闪存被命名为“Flash”。 1975年，全球第一台数码相机诞生，它的制造者叫做——柯达。作为......
多认为中国的驱动 IC 设计公司有望伴随着新的晶圆代工厂投资计划而崭露头角，然而，由于目前在面板设计上，如 GOA（Gate on Array，闸极驱动电路基板）、Dual-Gate 甚至 Tri-Gate 等技......
EEPROM，在I/O方面具有21个多功能脚位，包括多通道12-bit A/D转换器、比较器等。SPI、I²C和UART通信接口搭配内建IAP功能实现在线更新程序，整合2组Low-side高压Gate......
单FET结构，这些器件还可连接背靠背外部FET，以阻止电流倒流到适配器中。 上电时，器件等待50ms，然后再驱动GATE至高。/FLAG在GATE变高之后继续保持50ms的低状态。MAX4838......
单FET结构，这些器件还可连接背靠背外部FET，以阻止电流倒流到适配器中。 上电时，器件等待50ms，然后再驱动GATE至高。/FLAG在GATE变高之后继续保持50ms的低状态。MAX4838......
和MCU家族，我们首先提出第一种解决方案： 驱动一个电机需要LDO，MCU，gate driver, amplifier, LIN/CAN transceiver和MOSFET。基于此，英飞......
基于 Richtek RT7075A MCU+Gate Driver 之 24W;现在房间装修越来越漂亮普通吊扇已不能满足装饰的审美要求，此类吊扇应运而生，这类......
器工作模式寄存器TMOD，不可位寻址，需整体赋值，高4位用于定时器1，第四位用于定时器0。 C/T：为定时器功能选择位，C/T=0对机器周期计数，C/T=1，对外部脉冲计数。 GATE:门控......
功能引脚并提供丰富外围资源，如UART、SPI、I²C、7外部通道最快1Msps的SAR ADC、最多15通道16-bit PWM等。整合2组Low-side高压Gate-driver、1组High......
三星上半年量产首代3纳米GAA技术制程，第二代制程研发中;韩国三星发表最新财报时也宣布，计划2022下半年商业化生产全球首创的闸极全环晶体管（Gate-All-Around，GAA）技术芯片。新制......
. 　　GATE　　:　　GATE=0，定时器的运行由TRx位（TCON寄存器）控制，GATE=1，由外部引脚INTx控制，INTx为1时，才能运行。 　　C/T　　:　　定时/计数模式选择，计数......
串联电阻的方法了。 1）Source/Drain的ESD implant 因为我们的LDD结构在gate poly两边很容易形成两个浅结，而这个浅结的尖角电场比较集中，而且因为是浅结，所以它与Gate比较近，所以......
单片机的定时器;TMOD：定时器/计数器模式控制寄存器TMOD是一个逐位定义的8位寄存器，但只能使用字节寻址，其字节地址为89H。 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 GATE......

相关企业

Golden Gate Electronics Ltd
;Golden Gate Electronics Ltd;;
苏州恩威电子科技有限公司
际知名品牌. 主动元器件:NAND Gate Falsh、DRAM、SRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM等IC元件. 被动元器件:电容,电阻,电感,磁珠,滤波器,变压器,谐振器等等, 代理
agileswitch
SwitchingTM technology in our Gate Driver Cores, Plug and Play Gate Drivers are suitable for SiC
深圳市玖壹电子有限公司
HY27UF082G2B SAMSUNG K9F1G08ROB 1G NAND FLASH 1.8V SAMSUNG K9F1G08UOB-PCBO 1G NAND FLASH NAND01GW3132BN6E 2G
JOJO
;JOJO;;NAND /NOR FLASH.各类存储IC
杨青德
;杨青德;;ASIC 设计, IC 销售, NAND FLASH,NOR FLASH 销售
香港德胜科技
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
深圳德盛科技有限公司
;深圳德盛科技有限公司;;公司主要以 NAND FLASH SDRAM/MCP为主.
深圳市比亚泰科技有限公司
;深圳市比亚泰科技有限公司;;长期求购NAND Flash，闪存芯片
保迪浩东国际贸易有限公司
◎MCP：NOR+SRAM(PSRAM)系列:32+4/32+8/64+16/64+32/128+32等. NOR+NAND+SRAM(PSRAM)系列:128+512+32/128+512+64/128