【导读】据SEMI国际半导体产业协会最新全球晶圆厂预测报告(World Fab Forecast)指出,芯片需求不断上升带动全球半导体晶圆厂产能持续成长,2024及2025年各增加6%及7%,月产能达创纪录3370万片8吋晶圆新高。
据SEMI国际半导体产业协会最新全球晶圆厂预测报告(World Fab Forecast)指出,芯片需求不断上升带动全球半导体晶圆厂产能持续成长,2024及2025年各增加6%及7%,月产能达创纪录3370万片8吋晶圆新高。
SEMI表示,5纳米以下制程数据中心训练、推论和先进制程生成式AI人工智能技术推波助澜下,2024年可望成长13%。为提高芯片能效,英特尔、三星和台积电等芯片大厂准备2025年生产2纳米全环绕栅极(gate-all-around,GAA)芯片,使2025年先进制程总产能出现17%涨幅。
SEMI全球行销长暨台湾区总裁曹世纶分析,从云端运算到各种边缘装置,AI无所不在,让高效能芯片开发竞逐更白热化,带动全球半导体制造产能的强劲扩张,创造正向循环:AI加速各式应用半导体成长,激励更高投资。
中国大陆芯片制造商可望维持两位数产能成长,今年增幅15%达每月885万片,2025年再成长14%到1010万片,几乎占业界总量三分之一。
其他主要芯片制造地区至2025年产能成长预估均不超过5%。台湾以月产580万片(成长4%)居第二。韩国可望继今年首度突破500万片后,2025年再涨7%,到540万片排第三位。日本、美洲、欧洲与中东及东南亚半导体产能分别为月产470万片(年增3%)、320万片(年增5%)、270万片(年增4%)和180万片(年增4%)。
受惠英特尔设立晶圆代工服务及中国产能扩张,晶圆代工部门2024年产能将成长11%,2025年也有10%涨幅,到2026年月产1270万片。
人工智能服务器运算能力快速增长,一并带动HBM需求,为存储部门许久未见的成长动能。爆炸性AI落地需HBM堆叠配置(stack)紧密,每HBM可整合8~12晶粒,正是为什么许多DRAM市场领导厂商增加投资HBM / DRAM。DRAM产能今明两年都有9%成长,而3D NAND市场复苏较缓慢,今年产能不会上升,2025年有5%涨幅。
边缘装置人工智能应用兴起,主流智能手机DRAM容量也从8GB增至12GB,配备人工智能助理的笔电有至少16GB DRAM需求,人工智能拓展至边缘装置可望更带动DRAM需求往上爬升。
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